是优选第二沟道区域18C的第二沟道宽度为第一沟道区域12C的第一沟道宽度以上。另外，出于确保薄膜晶体管TR的沟道宽度的目的，优选将第一沟道宽度及第二沟道宽度设为相同。
[0084]或者，薄膜晶体管TR在上述的沟道长仏1丄2)、沟道宽度及间隔1'14、1'16之中，至少满足L2 < L1的关系即可。栅电极WG具备底面WGb、以及面积比底面WGb的面积小的上表面WGa，形成为正锥台状。能够得到特性偏差及占有面积小的薄膜晶体管TR。该情况下，薄膜晶体管TR更优选满足T16 ( T14的关系。另一方面，薄膜晶体管TR的沟道宽度没有特别限定，但优选第二沟道区域18C的第二沟道宽度为第一沟道区域12C的第一沟道宽度以上。另外，出于确保薄膜晶体管TR的沟道宽度的目的，优选将第一沟道宽度及第二沟道宽度设为相同。
[0085]或者，薄膜晶体管TR在上述的沟道长仏1丄2)、沟道宽度及间隔1'14、1'16之中，至少第二沟道宽度超过第一沟道宽度即可。能够得到特性偏差及占有面积小的薄膜晶体管TRo该情况下，薄膜晶体管TR更优选满足T16 ( T14的关系。薄膜晶体管TR更优选满足L2 ( L1的关系。
[0086]上述的实施方式中，作为显示装置，以液晶显示装置为例进行了公开。但是，上述的实施方式能够应用于有机EL (electroluminescent)显不装置、其他自发光型显不装置或者具有电泳元件等的电子纸型显示装置等、所有平板式或可挠式的显示装置。此外，上述的实施方式当然能够应用到中小型的显示装置、乃至大型的显示装置，没有特别限定。
[0087]上述的薄膜晶体管TR能够应用于显示装置以外的半导体装置，例如，能够应用于各种存储器或者各种传感器。
【主权项】
1.一种显示装置， 具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备: 第一半导体层，具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域； 第一绝缘膜，形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上； 栅电极，形成于所述第一绝缘膜之上，与所述第一沟道区域对置； 第二绝缘膜，形成于所述栅电极之上； 第二半导体层，形成于所述第二绝缘膜之上，与所述第一半导体层对置，具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域； 第一电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第三区域接触；以及第二电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第一电极隔开间隔，与所述第四区域接触； 相互对置的所述栅电极的底面与所述第一沟道区域的上表面之间的间隔，大于相互对置的所述栅电极的上表面与所述第二沟道区域的底面之间的间隔。2.如权利要求1所述的显示装置， 所述第一半导体层及所述第二半导体层由至少包含铟、镓及锌中的某一个的氧化物材料形成。3.如权利要求2所述的显示装置， 所述第一半导体层及所述第二半导体层为氧化铟镓锌。4.如权利要求2所述的显示装置， 所述第一沟道区域是重叠着所述第一绝缘膜的重叠区域， 所述第一区域及所述第二区域是从所述第一绝缘膜离开的非重叠区域， 所述第一区域及所述第二区域的还原性元素浓度比所述第一沟道区域的还原性元素浓度高。5.如权利要求1所述的显示装置，还具备: 第三绝缘膜，形成于所述第一电极及所述第二电极之上； 共用电极，形成于所述第三绝缘膜之上； 第四绝缘膜，形成于所述共用电极之上；以及 像素电极，形成于所述第四绝缘膜之上，与所述共用电极对置，与所述第二电极电连接。6.如权利要求5所述的显示装置， 还具备液晶层，该液晶层被施以在所述共用电极与所述像素电极之间产生的电场。7.如权利要求1所述的显示装置，还具备: 像素电极，在与所述第二半导体层同一水平的层中用与所述第二半导体层相同的材料来一体地形成； 第三绝缘膜，形成于所述第一电极、所述第二电极及所述像素电极之上；以及 共用电极，形成于所述第三绝缘膜之上，与所述像素电极对置。8.如权利要求7所述的显示装置， 还具备液晶层，该液晶层被施以在所述共用电极与所述像素电极之间产生的电场。9.如权利要求1所述的显示装置，还具备: 共用电极，在与所述第一半导体层同一水平的层中用与所述第一半导体层相同的材料形成，并与所述第一半导体层隔开间隔地配置；以及 像素电极，隔着所述第二绝缘膜与所述共用电极对置，在与所述第二半导体层同一水平的层中用与所述第二半导体层相同的材料来一体地形成。10.如权利要求9所述的显示装置， 还具备液晶层，该液晶被施以在所述共用电极与所述像素电极之间产生的电场。11.一种显示装置， 具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备: 第一半导体层，具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域； 第一绝缘膜，形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上； 栅电极，形成于所述第一绝缘膜之上，与所述第一沟道区域对置； 第二绝缘膜，形成于所述栅电极之上； 第二半导体层，形成于所述第二绝缘膜之上，与所述第一半导体层对置，具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域； 第一电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第三区域接触；以及第二电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第一电极隔开间隔，与所述第四区域接触； 所述栅电极具备与所述第一沟道区域对置的底面、以及与所述第二沟道区域对置且面积比所述底面的面积小的上表面，形成为正锥台状。12.如权利要求11所述的显示装置， 相互对置的所述栅电极的底面与所述第一沟道区域的上表面之间的间隔是相互对置的所述栅电极的上表面与所述第二沟道区域的底面之间的间隔以上。13.如权利要求11所述的显示装置， 所述第一半导体层及所述第二半导体层由至少包含铟、镓及锌中的某一个的氧化物材料形成。14.如权利要求13所述的显示装置， 所述第一半导体层及所述第二半导体层为氧化铟镓锌。15.如权利要求13所述的显示装置， 所述第一沟道区域是重叠着所述第一绝缘膜的重叠区域， 所述第一区域及所述第二区域是从所述第一绝缘膜离开的非重叠区域， 所述第一区域及所述第二区域的还原性元素浓度比所述第一沟道区域的还原性元素浓度高。16.如权利要求11所述的显示装置，还具备: 第三绝缘膜，形成于所述第一电极及所述第二电极之上； 共用电极，形成于所述第三绝缘膜之上； 第四绝缘膜，形成于所述共用电极之上；以及 像素电极，形成于所述第四绝缘膜之上，与所述共用电极对置，与所述第二电极电连接。17.如权利要求16所述的显示装置， 还具备液晶层，该液晶层被施以在所述共用电极与所述像素电极之间产生的电场。18.如权利要求11所述的显示装置，还具备: 像素电极，在与所述第二半导体层同一水平的层中用与所述第二半导体层相同的材料来一体地形成； 第三绝缘膜，形成于所述第一电极、所述第二电极及所述像素电极之上；以及 共用电极，形成于所述第三绝缘膜之上，与所述像素电极对置。19.如权利要求18所述的显示装置， 还具备液晶层，该液晶层被施以在所述共用电极与所述像素电极之间产生的电场。20.如权利要求11所述的显示装置，还具备: 共用电极，在与所述第一半导体层同一水平的层中用与所述第一半导体层相同的材料形成，并与所述第一半导体层隔开间隔地配置；以及 像素电极，隔着所述第二绝缘膜与所述共用电极对置，在与所述第二半导体层同一水平的层中用与所述第二半导体层相同的材料来一体地形成。
【专利摘要】一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。
【IPC分类】G02F1/1368, H01L29/423, H01L29/786, H01L29/06
【公开号】CN105278196
【申请号】CN201510408263
【发明人】三宅秀和, 石田有亲, 植村典弘, 三宅博都, 铃村功, 山口阳平
【申请人】株式会社日本显示器
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年7月13日
【公告号】US20160027921