个表面(整个面)是指抗蚀剂图案的整个形成区域。因此，在周缘部没有形成上述抗蚀剂图案的形成区域的晶片W，该周缘部也可以不被积液30覆盖。
[0088]当抗蚀剂膜与显影液的反应在晶片W的整个表面充分推进时，清洗液喷嘴51从待机部56的待机位置向晶片W的中心部上移动。然后，对该中心部排出清洗液，并且晶片W以规定的转速旋转，开始晶片W表面的清洗处理。上述清洗液由于离心力而向晶片W的周缘部扩展，显影液的积液30被从晶片W除去。然后，清洗液的供给停止，另一方面，晶片W的旋转继续，清洗液被从晶片W甩下，晶片W得到干燥。然后，晶片W的旋转停止，该晶片W被交接到未图示的基板输送机构，从显影装置1搬出。
[0089]根据该显影装置1的显影处理，从显影液喷嘴3的排出口 31向构成该显影液喷嘴的接触部32与晶片W的表面之间的间隙排出显影液，在该间隙填满显影液，并且从上述接触部32看时使显影液溢出到比该接触部32的外缘靠外侧的位置而形成积液。然后，像这样维持显影液溢出的状态，一边从上述排出口 31向正在旋转的晶片W排出显影液，一边使上述显影液喷嘴3向晶片W的周缘部移动，使上述积液30扩展到晶片W的整个面。由此，在使积液30扩展到晶片W的整个面时，能够防止作为比较例来进行说明的产生在接触部32的移动方向上显影的推进度大幅不同的点P1和点P1在晶片W表面上的涡旋状的移动。进一步，能够防止比较例中说明的未涂区域R1的形成和该未涂区域R1在晶片W表面上的涡旋状的移动。作为结果，能够提高晶片W表面内的显影处理的均匀性，能够防止与其它区域相比抗蚀剂图案的CD的大小差异较大的区域(CD变化区域)在晶片的表面上呈涡旋状形成。在进行评价试验后，确认到通过进行该第一实施方式中说明的显影处理，涡旋状的CD变化区域的形成得到抑制。
[0090]但是，在晶片W的中央部形成与显影液喷嘴3的接触部32接触并且其外缘溢出到比该接触部32的外缘靠外侧的位置的积液30时，不限定于如上所述进行。在接触部32与晶片W的中央部上的图3中说明的处理位置相比位于上方的状态下开始显影液的排出，在晶片W的中央部形成积液30。接着，使接触部32下降到上述处理位置，与上述积液30接触，如上方式积液30的外缘为溢出到比接触部32的外缘靠外侧的位置的状态。在接触部32的下降中，显影液的排出既可以停止，也可以继续。
[0091](第一实施方式的第一变形例)
[0092]接着，参照图13说明第一实施方式的第一变形例。在该第一变形例中，代替显影液喷嘴3，使用仅形状与显影液喷嘴3不同的显影液喷嘴5进行显影处理。显影液喷嘴5构成为俯视观看时椭圆形，因此接触部32也构成为椭圆形。在椭圆形的接触部32的中心，排出口 31开口。该显影液喷嘴5在显影处理中沿着椭圆的短轴方向水平地移动。S卩，当俯视显影液喷嘴5时，行进方向的外缘呈向行进方向凸起的曲线，与上述行进方向的外缘相连的左右的各外缘呈曲率比上述行进方向的外缘所形成的曲线的曲率大的曲线。
[0093]在使用该显影液喷嘴5的情况下，也与第一实施方式同样地进行处理。S卩，显影液喷嘴5配置在旋转的晶片W的中央部上，向该晶片W的中央部供给显影液，以其外缘溢出到比接触部32的外缘靠外侧的位置的方式形成积液30。然后，以维持上述溢出的方式，显影液喷嘴5向晶片W的周缘部上水平移动。此时，由于显影液喷嘴5构成为与上述行进方向的外缘相连的左右的各外缘形成曲率比上述行进方向的外缘所形成的曲线的曲率大的曲率的曲线，所以晶片W的旋转方向上比较广的范围被接触部32覆盖。接触部32的下方被供给显影液，因此在显影液喷嘴5的水平移动中，在晶片W的旋转方向上的广范围被供给显影液。因此，在该显影液喷嘴5的移动中，能够进一步可靠地防止比较例中说明的未涂区域R1的产生。
[0094]在显影液喷嘴中，如上所述与行进方向的外缘相连的左右的各外缘不限定于构成为曲线，也可以构成为具有角部。作为具有该角部的例子，在图14中示出在俯视观看时构成为月牙状的显影液喷嘴59。该显影液喷嘴59的水平移动方向是形成月牙的外形的圆弧的突出方向。使用这样的显影液喷嘴59也能够得到与使用显影液喷嘴5的情况同样的效果。此外，除了像这样俯视观看时呈椭圆形、月牙状地构成显影液喷嘴之外，将显影液喷嘴形成为俯视观看时扇形，也能够防止未涂区域R1的产生。
[0095](第一实施方式的第二变形例)
[0096]接着，对第一实施方式的第二变形例进行说明。图15是在该第二变形例中使用的显影液喷嘴3的立体图，图16、图17是表示使用该显影液喷嘴3进行的显影处理的说明图。在显影液喷嘴3，从显影液喷嘴3的接触部32的侧方，板状的扩散部件61水平地伸出，该扩散部件61的下表面位于例如与接触部32相同的高度。此外，扩散部件61设置在显影液喷嘴3的行进方向，在俯视观看时以向晶片W的旋转方向上游侧描绘圆弧的方式伸出。
[0097]对使用了这样的显影液喷嘴3的显影处理进行说明如下，如第一实施方式中说明的那样，在晶片W的中央部上配置有显影液喷嘴3，以溢出到比接触部32的外缘靠外侧的位置的方式形成积液30时，该积液30与扩散部件61接触(图16)。然后，在排出显影液的状态下显影液喷嘴3向晶片W的周缘部上移动时，通过该移动，扩散部件61也向晶片W的周缘部上移动。
[0098]在该扩散部件61的移动过程中，与该扩散部件61接触的显影液，由于与该扩散部件61之间作用的表面张力，受到向扩散部件61的移动方向去的力，以被扩散部件61拉拽的方式向晶片W的周缘部扩散(图17)。通过像这样显影液扩散，能够更加可靠地防止上述的未涂区域R1的产生。此处，参照图17对扩散部件61的配置进一步详细地进行说明如下，为了获得防止这样的未涂区域R1的产生的效果，设置成在俯视观看时相对于包含接触部32的中心Q和晶片W的旋转中心P的直线L，前端部伸出到晶片W的旋转方向上游侧。但是，作为扩散部件61，不限定于设置在显影液喷嘴3，也可以为与使显影液喷嘴3移动的移动机构42分开设置的移动机构连接的结构，通过该移动机构与显影液喷嘴3的移动并行地移动。
[0099](第一实施方式的第三变形例)
[0100]图18中示出显影装置1的又一个变形例。在该例子中，在臂41设置有供给作为不活泼气体的N2 (氮)气体的气体喷嘴62。该气体喷嘴62向着显影液喷嘴3的行进方向向斜下方排出N2气体。当对设置有该气体喷嘴62的情况下的显影处理进行说明时，像上述那样在晶片W的中央部上以其外缘位于接触部32的外缘的外侧的方式形成积液30。然后，开始从气体喷嘴62排出N2气体，积液30的周缘部被该N 2气体向晶片W的外侧推压扩展。然后，使臂41移动，使排出队气体的状态的气体喷嘴62和排出显影液的状态的显影液喷嘴3向晶片W的周缘部移动。通过像这样在移动中排出N2气体，积液30的边缘部被向显影液喷嘴3的行进方向推压扩展，能够更加可靠地抑制在显影液喷嘴3的行进方向上积液的边缘与显影液喷嘴3的边缘重叠。
[0101](第二实施方式)
[0102]接着，参照图19以与第一实施方式的显影装置1的不同点为中心说明第二实施方式的显影装置。在该显影装置中，臂41设置有显影液喷嘴3和作为辅助喷嘴的显影液喷嘴71，显影液喷嘴71能够与显影液喷嘴3 —起在晶片W的表面上沿着晶片W的径向移动。显影液喷嘴71构成为垂直的圆筒状，其下端设置在比显影液喷嘴3的接触部32高的位置。因此，显影液喷嘴71不进行显影液喷嘴3进行的那样的显影液的搅拌。显影液喷嘴71对晶片W的表面的与显影液喷嘴3的接触部32相对的区域的外侧区域供给显影液，该外侧区域相对于与上述接触部32相对的区域，位于显影处理时的显影液喷嘴71和显影液喷嘴3的移动方向侧。
[0103]参照上述图19和图20、图21的显影液喷嘴3、71的侧视图，以与第一实施方式的显影处理的不同点为中心说明第二实施方式的显影装置的显影处理。此外，也适当参照图22?图24的晶片W的俯视图。首先，与第一实施方式同样地使显影液喷嘴3移动到晶片W的中央部上的处理位置，从显影液喷嘴3向旋转的晶片W进行显影液的排出，形成积液30。例如该积液30的外缘与接触部32的外缘重叠，或者位于比接触部32的外缘稍微靠内侧的位置时，从显影液喷嘴71开始排出显影液。图19示出紧临从显影液喷嘴71排出显影液之前的状态。
[0104]通过与从显影液喷嘴71供给的显影液汇合，积液30以其外缘溢出到接触部32的外缘的外侧的方式扩大(图20、图22)。然后，在从显影液喷嘴3、71持续排出显影液的状态下，显影液喷嘴3、71向晶片W的周缘部上移动。因此，在从显影液喷嘴71向积液30的边缘部供给显影液的状态下，积液30向晶片W的周缘部扩展(图21、图23)。当显影液喷嘴71的显影液的排出位置位于晶片W的外侧时，来自该显影液喷嘴71的显影液的排出停止。然后，当显影液喷嘴3位于晶片W的周缘部上时，显影液喷嘴3、71的移动停止(图24)，之后，来自显影液喷嘴3的显影液的排出和晶片W的旋转停止。
[0105]在该第二实施方式中，如上述那样从显影液喷嘴71进行显影液的排出是为了更加可靠地形成在显影液喷嘴3的移动中积液30的外缘溢出到接触部32的外缘的外侧的状态。即，根据晶片W表面的抗蚀剂的性质的不同，从显影液喷嘴3排出的显影液在晶片W表面上的扩展情况发生变化，因此存在显影液不容易在晶片W表面上扩展的情况，但在该第二实施方式中，具有能够不依赖于这样的抗蚀剂