中所示的一个元件或特征与另一个(一些)元件或特征的关系。应该理解，空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的装置的除图中所示的取向之外的不同取向。例如，如果图中的装置颠倒，则被描述为“在其它元件或特征下方”的元件将因此被取向为“在其它元件或特征上方”。这样，示例性术语“在……下方”可涵盖“在……下方”和“在……上方”这两个取向。装置可按照其它方式取向（旋转90度或位于其它取向），并且本文所用的空间相对描述语将相应地解释。
[0033]图I是根据本发明一个实施例的像素单元的示意性结构图。
[0034]如图I所示，像素单元10(图I中由虚线所围成的部分)位于栅线20与数据线30交叉的位置处。像素单元10包括由栅线20和数据线30划分的四个分区al、bl、cl和dl，四个分区al、bl、cl和dl中的狭缝电极之间相互电连接。像素单元10在任意两个相邻分区中的狭缝电极的狭缝倾斜方向不同。例如，如图I所示，分区al与分区bl为两个相邻分区，像素单元10在分区a I中的狭缝电极的狭缝倾斜方向与在分区b I中的狭缝电极的狭缝倾斜方向不同；分区al与分区Cl为两个相邻分区，像素单元10在分区al中的狭缝电极的狭缝倾斜方向与在分区c I中的狭缝电极的狭缝倾斜方向不同。
[0035]像素单元10设置在栅线20与数据线30交叉的位置处，并且包括由栅线20和数据线30划分的彼此电连接的四个分区al、bl、cl和dl。由于像素单元10在任意两个相邻分区中的狭缝电极的狭缝倾斜方向不同，因此像素单元10在上、下方向和左、右方向上均包括了多个畴区。也就是说，像素单元10的四个分区al、bl、cl和dl形成为四个畴区，像素单元10在上、下方向上包括了两个畴区，并且在左、右方向上包括了两个畴区。因而，像素单元10不仅改善了上、下方向上的色彩偏差，还改善了左、右方向上的色彩偏差，因此在最大程度上消除色彩偏差的冋题。
[0036]如图I所示，像素单元IO在四个分区aI、b I、c I和d I中的狭缝电极的狭缝倾斜方向与栅线20之间的锐角分别为α1、α2、α3和α4。像素单元10在四个分区中的狭缝电极的狭缝倾斜方向可以关于栅线20呈镜像对称，S卩，α1=α3且α2=α4。此外，像素单元在四个分区中的狭缝电极的狭缝倾斜方向可以关于数据线30呈镜像对称，S卩，α1=α2且α3=α4。再者，像素单元10在四个分区中的狭缝电极的狭缝倾斜方向可以关于栅线20和数据线30均呈镜像对称，即，α1=α2=α3=α40
[0037]像素单元10在四个分区al、bl、cl和dl中的狭缝电极的狭缝倾斜方向关于栅线20和/或数据线30呈镜像对称，可以使得液晶分子在像素单元10中的受力是均匀的。
[0038]根据本发明的实施例，像素单元10在四个分区aI、b I、c I和d I中的狭缝电极的狭缝倾斜方向与栅线20之间的锐角α1、α2、α3和α4可以在3-20度之间。可替换地，像素单元10在四个分区a I、b I、c I和d I中的狭缝电极的狭缝倾斜方向与数据线30之间的锐角可以在3-20度之间。
[0039]如图I所示，像素单元10的四个分区al、bl、cl和dl分别包括在四个相邻的最小单元A、B、C和D中，并且每个最小单元包括分别属于四个相邻像素单元的四个分区。具体而言，像素单元10的分区al包括在最小单元A中，同时最小单元A还包括分别属于另外三个像素单元的三个分区a2、a3和a4;像素单元10的分区bl包括在最小单元B中，同时最小单元B还包括分别属于另外三个像素单元的三个分区b2、b3和b4;像素单元10的分区Cl包括在最小单元C中，同时最小单元C还包括分别属于另外三个像素单元的三个分区c2、c3和c4;并且像素单元10的分区dl包括在最小单元D中，同时最小单元D还包括分别属于另外三个像素单元的三个分区d2、d3和d4。
[0040]如图I所示，包括在同一个最小单元内的四个分区中的狭缝电极相互电隔离，并且包括在同一个最小单元内的四个分区中的狭缝电极具有相同的狭缝倾斜方向。具体而言，例如，包括在最小单元A中的四个分区al、a2、a3和a4中的狭缝电极相互电隔离，这是因为四个分区al、a2、a3和a4分别属于四个相邻的像素单元。此外，四个分区al、a2、a3和a4中的狭缝电极具有相同的狭缝倾斜方向，从而使得在最小单元A内的各个狭缝电极具有相同的狭缝倾斜方向。
[0041]将包括在同一个最小单元内的四个分区中的狭缝电极设置为具有相同的狭缝倾斜方向，使得在同一最小单元内的液晶分子取向一致，从而提供了良好的光透过率。
[0042]像素单元10的四个分区al、bl、cl和dl所占的开口面积可以相等。此外，每个最小单元中包含的四个分区的开口面积也可以相等(例如，最小单元A中包含的四个分区al、a2、a3和a4的开口面积相等）。
[0043]针对高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch，ADS)显不模式，狭缝电极可以是像素电极。像素单元10还包括公共电极以及位于栅线20和数据线30交点处的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管的源极与所述数据线30电连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述狭缝电极通过过孔电连接。
[0044]可替换地，狭缝电极也可以是公共电极。狭缝电极为公共电极针对的是高开口率HADS显示模式。由于公共电极一层制作且接相同的公共电极信号，不需要进行分区间的连接，通过对板状像素电极按照前述方式进行分区，最大程度消除色彩偏差的问题。
[0045]像素电极与对应的公共电极之间设置有绝缘层，并且所述像素电极设置在对应的公共电极上方或者下方。
[0046]图2是根据本发明的一个实施例的阵列基板的示意性结构图。
[0047]如图2所示，阵列基板100包括交叉设置的多条栅线20和多条数据线30，以及设置在各条栅线20与各条数据线30的交叉位置处的多个像素单元10。每个像素单元10包括由栅线20和数据线30划分的四个分区al、bl、cl和dl，四个分区al、bl、cl和dl中的狭缝电极之间相互电连接。每个像素单元10在任意两个相邻分区中的狭缝电极的狭缝倾斜方向不同。
[0048]根据本发明的实施例，由形成在阵列基板100上的相邻两条栅线20和相邻两条数据线30所围成的区域为一个最小单元。阵列基板100的各个像素单元10的四个分区al、bl、Cl和dl可以分别包括在四个相邻的最小单元A、B、C和D中，并且每个最小单元可以包括分别属于四个相邻像素单元的四个分区。
[0049]根据本发明的实施例，包括在同一个最小单元内的四个分区中的狭缝电极相互电隔离，并且包括在同一个最小单元内的四个分区中的狭缝电极具有相同的狭缝倾斜方向。
[0050]根据本发明的实施例，像素单元10的四个分区al、bl、cl和dl所占的开口面积相等。进而，形成在阵列基板100上的所有分区所占的开口面积相等。
[0051]如图2所示，根据本发明的狭缝电极的狭缝可以为开口形式，也可以为封闭形式。
[0052]阵列基板100包括交叉设置的多条栅线20和多条数据线30，以及设置在各条栅线20与各条数据线30的交叉位置处的多个像素单元10。由于阵列基板100的各个像素单元10包括由栅线20和数据线30划分的彼此电连接的四个分区al、bl、cl和dl，因此使得像素单元10在上、下方向上包括了两个畴区，并且在左、右方向上包括了两个畴区。因而，阵列基板100