位"在上方"。因此，示 例性术语"在……下方"可以包含上方和下方两个方位。装置可以另外定位（旋转90度或 在其他方位）并且相应地解释在这里所使用的空间相对描述语。
[0036] 在这里所使用的术语仅用于描述具体的实施例的目的并且不意图限制本发明。如 在这里所使用的，除非上下文另有清楚地指示，否则单数形式"一个"、"一种"、"该"和"所 述"也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语"包括"和/或"包 含"说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或 更多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0037] 将在下文中参照附图描述发明的示例性实施例。
[0038] 图1是根据本发明的示例性实施例的弯曲液晶显示器（LCD)的示意性分解斜视 图。图2是图1的区域II的示意性放大图。
[0039] 参照图1和图2,弯曲IXD 500C包括：第一弯曲基底100C;第二弯曲基底200C，与 第一弯曲基底100C分隔开并面对第一弯曲基底100C ;液晶层300C，设置在第一弯曲基底 100C与第二弯曲基底200C之间。
[0040] 第一弯曲基底100C与第二弯曲基底200C中的每个包括显示区DAC和非显示区 NDAC。显示区DAC是能够观察到图像的区域，非显示区NDAC是观察不到图像的区域。显示 区DAC被非显示区NDAC围绕。
[0041 ] 共电极110C可以设置在第一弯曲基底100C与第二弯曲基底200C之间，并且可以 是没有缝隙图案的"无图案"电极。像素电极291C可以设置在第二弯曲基底200C与共电 极110C之间，并且可以是具有缝隙图案的图案电极。
[0042] 液晶层300C可以设置在共电极110C与像素电极291C之间。液晶层300C可以包 括具有负介电各向异性的液晶分子LC。第一弯曲液晶取向层AL1C可以设置在共电极110C 与液晶层300C之间。第二弯曲液晶取向层AL2C可以设置在液晶层300C与像素电极291C 之间。
[0043] 第二弯曲基底200C可以是薄膜晶体管（TFT)基底。在第二弯曲基底200C的显示 区DAC中，可以形成沿第一方向延伸的多条栅极线GLC以及沿垂直于第一方向的第二方向 延伸的多条数据线DLC。像素电极291C可以分别设置在由栅极线GLC和数据线DLC限定的 像素 PXC中。
[0044] 每个像素电极291C可以包括彼此分隔开的子像素电极291-1C和291-2C。例如， 子像素电极291-1C和291-2C可以是大体上矩形的。子像素电极291-1C和291-2C中的每 个可以是具有缝隙图案的图案电极。更具体地，子像素电极291-1C和291-2C中的每个可 以具有包括主干SC、从主干SC延伸的分支BC和设置在主干SC与分支BC之间的切口 DC的 缝隙图案。主干SC可以形成为十字形，分支BC可以相对于主干SC以大约45°角从主干 SC放射状地分出。
[0045] 每条栅极线GLC可以包括从栅极线GLC沿第二方向朝向像素电极291C突出的栅 电极224-1C和224-2C。每条数据线DLC可以包括源电极273-1C和273-2C以及漏电极 275-1C和275-2C。源电极273-1C和273-2C可以从数据线DLC突出并且可以形成为U形。 漏电极275-1C和275-2C可以与源电极273-1C和273-2C分隔开。
[0046] 可以通过开关元件TFT提供数据电压给像素电极291C。对应于TFT的控制端的栅 电极224-1C和224-2C可以电连接到栅极线GLC中的一条，对应于TFT的输入端的源电极 273-1C和273-2C可以通过接触孔285-lC、285-2C、285-3C和285-4C电连接到数据线DLC 中的一条，对应于TFT的输出端的漏电极275-1C和275-2C可以电连接到像素电极291C中 的一个。
[0047] 像素电极291C可以与共电极110C-起产生电场，并且因此可以控制设置在共电 极110C与像素电极291C之间的液晶层300C的液晶分子LC的取向方向。像素电极291C 可以使电场变形，并且可以因此控制第一液晶分子LC1的取向方向和第二液晶分子LC2的 取向方向。
[0048] TFT基底可以具有由玻璃或聚合物形成的基体基底（未示出）、栅电极224-1C和 224-2C、栅极绝缘层（未示出）、半导体层（未示出）、欧姆接触层（未示出）、源电极273-1C 和273-2C、漏电极275-1C和275-2C、钝化层（未示出）和有机层（未示出）叠置的结构。
[0049] TFT的沟道可以由半导体层形成。半导体层可以设置为与栅电极224-1C和224-2C 叠置。源电极273-1C和273-2C可以相对于半导体层分别与漏电极275-1C和275-2C分隔 开。
[0050] 维持电极线SLC可以包括基本平行于栅极线GLC延伸的主干线231C和从主干线 231C分出来的多条分支线235C。维持电极线SLC可以是可选的，并且可以改变维持电极线 SLC的形状和布置。
[0051] 作为显示区DAC的外围的非显示区NDAC可以是围绕显示区DAC的光屏蔽区。在 第二弯曲基底200C的非显示区NDAC中，可以设置一个或更多个驱动单元（未示出），所述 驱动单元提供栅极驱动信号和数据驱动信号到显示区DAC中的每个像素 PXC。栅极线GLC 和数据线DLC可以从显示区DAC延伸直至非显示区NDAC，并且可以连接到驱动单元。
[0052] 第一弯曲基底100C可以是与第二弯曲基底200C相对的基底。共电极110C可以 设置在第一弯曲基底100C上。
[0053] 滤色器层（未示出）可以形成在显示区DAC的对应于每个像素 PXC的部分中，并 且可以包括红色（R)滤色器、绿色（G)滤色器和蓝色（B)滤色器。滤色器层可以包括在第 一弯曲基底100C和第二弯曲基底200C中的一个中。例如，根据包括在第一弯曲基底100C 中的滤色器层，第一弯曲基底100C可以具有由玻璃或聚合物形成的基体基底（未示出）、滤 色器层和保护层（overcoat layer)(未示出）叠置的结构。保护层可以是覆盖滤色器层的 平坦化层。在这个示例中，共电极110C可以设置在保护层上。
[0054] 可选择地，根据包括在第二弯曲基底200C中的滤色器层，第二弯曲基底200C可以 具有阵列上滤色器（color-filter_on-array，COA)结构，在阵列上滤色器（C0A)结构中，滤 色器层形成在设置有TFT的透明绝缘基底上。例如，滤色器层可以设置在有机层和覆盖源 电极273-1C和273-2C以及漏电极275-1C和275-2C的钝化层之间。
[0055] 遮光图案层（未示出）可以沿着滤色器层的R滤色器、G滤色器和B滤色器之间的 边界设置。遮光图案层可以包括在第一弯曲基底100C和第二弯曲基底200C中的一个中。 例如，遮光图案层可以是黑色矩阵。
[0056] 在通过弯曲平板IXD制造弯曲IXD 500C期间，由于施加到第一弯曲基底100C和 第二弯曲基底200C的应力，可能在第一弯曲基底100C与第二弯曲基底200C之间发生错位 (misalignment)。例如，在平板IXD的弯曲期间，第一弯曲基底100C可能相对于第二弯曲 基底200C向左或向右移动，结果，第一弯曲基底100C和第二弯曲基底200C的对齐的状态 可能与平板LCD的第一平坦基底和第二平坦基底的对齐的状态不同。在第一弯曲基底100C 与第二弯曲基底200C之间的这种错位会劣化弯曲IXD 500C的显示质量。
[0057] 例如，当第一弯曲液晶取向层AL1C和第二弯曲液晶取向层AL2C中的每个包括其 中的液晶分子的方向矢（director)的取向方向彼此不同的多个畴时，第一弯曲液晶取向 层AL1C的畴与第二弯曲液晶取向层AL2C的畴之间的任何错位可能引起第一液晶分子LC1 与第二液晶分子LC2之间的取向方向的干扰或冲突，第一液晶分子LC1在第一弯曲液晶取 向层AL1C的表面倾斜地取向，第二液晶分子LC2在第二弯曲液晶取向层AL2C的表面沿不 同于第一液晶分子LC1的方向倾斜地取向。结果，第一液晶分子LC1与第二液晶分子LC2 之间的液晶分子可以垂直取向，从而形成织构（texture)。然而，织构会在显示区DAC中被 看作为污点或暗区，并且会降低弯曲IXD 500C的透光率。
[0058] 在下文中将参照图3更详细地描述弯曲IXD 500C。图3是沿图1的线III-III' 截取的剖视图。更具体地，图3示出了当还没有施加电场时在弯曲LCD 500C中液晶分