一种基板及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开了一种基板及其制作方法。所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域，每一所述图形区域外围的设定区域设置有第一防静电结构，用于释放静电，增加了静电释放的路径，由于所述图形区域外围具有大面积的空白区域，能够形成大面积的所述防静电结构，快速释放静电，有效保证产品的质量和良率。
【专利说明】
一种基板及其制作方法
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在液晶显示器件的制作过程中，特别是对盒前的摩擦配向，均会产生和积累大面积的静电，如果不及时释放静电，静电击伤会造成显示不良。
[0003]为了释放静电，在阵列基板的显示区域一般设置静电环来释放静电。但是，显示区域外围的非显示区域，却没有设置静电保护电路，在受到静电击伤后也会造成显示不良。而彩膜基板上也暂无静电保护电路，无法及时释放静电。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种基板及其制作方法，用以解决如何有效释放基板制作过程中产生的静电的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种基板，所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域，每一所述图形区域外围的设定区域设置有第一防静电结构。
[0006]如上所述的基板，优选的是，所述基板还包括位于每一图形区域外围的空白区域，所述设定区域位于所述空白区域的外围。
[0007]如上所述的基板，优选的是，所述设定区域设置有多个所述第一防静电结构。
[0008]如上所述的基板，优选的是，所述第一防静电结构为闭合的导电图形，或所述第一防静电结构具有至少一个用于放电的尖端。
[0009]如上所述的基板，优选的是，所述图形区域包括取向膜图形。
[0010]如上所述的基板，优选的是，所述待形成显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第一防静电结构由透明导电层、栅金属层、源漏金属层中的其中一层、任意两个的复合层或三个的复合层制得。
[0011]如上所述的基板，优选的是，所述待形成显示基板为彩膜基板。
[0012]如上所述的基板，优选的是，每一所述图形区域包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域，每一所述图形区域设置有位于密封区域和显示区域之间的第二防静电结构，所述第二防静电结构与所述第一防静电结构电连接。
[0013]本发明实施例中还提供一种如上所述的基板的制作方法，所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域，所述制作方法包括:
[0014]在每一所述图形区域外围的设定区域形成第一防静电结构。
[0015]如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法还包括:
[0016]在每一所述图形区域形成取向膜图形，并对取向膜摩擦取向；
[0017]具体在对所述取向膜摩擦取向之前，在每一所述图形区域外围的设定区域形成所述第一防静电结构，所述第一防静电结构用于释放在对取向膜摩擦取向时产生的静电。
[0018]如上所述的制作方法，优选的是，所述待形成显示基板为薄膜晶体管阵列基板；
[0019]通过对透明导电层、栅金属层和源漏金属层中的其中一层、任意两个的复合层或三个的复合层进行构图工艺，形成所述第一防静电结构。
[0020]如上所述的制作方法，优选的是，所述待形成显示基板为彩膜基板；
[0021]通过对透明导电层进行构图工艺，形成所述第一防静电结构。
[0022]如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法还包括:
[0023 ]在对取向膜进行摩擦取向时，还通过静电中和方法来中和静电电荷。
[0024]如上所述的制作方法，优选的是，每一所述图形区域包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域，所述制作方法还包括:
[0025]在每一所述图形区域的密封区域和显示区域之间形成第二防静电结构，所述第二防静电结构与所述第一防静电结构电连接。
[0026]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0027]上述技术方案中，在制作显示基板时，在显示基板的图形区域外围形成防静电结构，增加了静电释放的路径，由于所述图形区域外围具有大面积的空白区域，能够形成大面积的所述防静电结构，快速释放静电，有效保证产品的质量和良率。
【附图说明】
[0028]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1表不本发明实施例中基板的结构不意图一；
[0030]图2表不本发明实施例中基板的结构不意图一.；
[0031 ]图3表示本发明实施例中基板的每一图形区域的结构示意图；
[0032]图4表示本发明实施例中基板的制作方法流程图。
【具体实施方式】
[0033]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0034]在显示器件的实际生产过程中，会在一块基板上同时制作多个显示基板的图形，并在对盒工艺后，进行切割，形成多个独立的显示面板。所述显示基板可以为液晶显示基板，也可以为OLED显示基板，具体可以为阵列基板，也可以为彩膜基板或封装基板，阵列基板与彩膜基板(或封装基板)对盒形成显示面板。
[0035]结合图1和图2所示，为了有效释放制作工艺中产生的静电，本实施例中提供一种基板，所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域100，每一图形区域100外围的设定区域200设置有第一防静电结构I，用于释放静电，增加了静电释放的路径。由于图形区域100的外围具有大面积的空白区域，能够设置大面积的第一防静电结构1，快速释放静电，有效保证产品的质量和良率。
[0036]其中，第一防静电结构I可以为闭合的导电图形，或具有至少一个用于放电的尖端，都能够释放静电，起到静电保护的作用。当然，第一防静电结构I的结构并不局限于此，还可以为其他能够释放静电的结构。
[0037]本实施例的第一防静电结构I为闭合的导电图形，具体可以为闭合的导电环，设定区域200内设置多个闭合的导电环，如图1所示。第一防静电结构I也可以为覆盖整个设定区域200的导电层图形，面积很大，释放静电的效果更好，如图2所示。第一防静电结构I的材料可以选择金属或其他导电材料。
[0038]对于液晶显示器件，为了使液晶分子正确取向，还需要形成取向膜，所述取向膜经过摩擦取向后，表面会形成取向沟槽，为液晶分子提供一定的预倾角。所述取向膜暴露在显示基板的最外侧，在对盒工艺后，注入液晶，所述取向膜与液晶分子接触设置，对液晶分子进行取向。在摩擦取向工艺中会产生大量的静电，而本实施例中，摩擦辊轮在摩擦取向时会接触到外围的第一防静电结构I，第一防静电结构I能够快速释放在对取向膜摩擦取向时产生的静电，使显不基板的内部少受摩?祭静电的影响，提尚广品良率。
[0039]本实施例中，如图3所示，在图形区域100还设置有第二防静电结构2，用于释放在显示基板的制作工艺中产生的静电。第二防静电结构2可以为闭合的导电图形，或具有至少一个用于放电的尖端，或其他能够释放静电的结构。可选的，将第二防静电结构2与第一防静电结构I电连接，增加显示面板内部产生的静电的释放路径，使第一防静电结构I起到更好的静电保护作用。第二防静电结构2通常设置在显示基板的密封区域103和显示区域101之间。密封区域103位于非显示区域102，对盒工艺中会在该区域形成密封材料，实现密封对合
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[0040]为了便于后续切割工艺的对位，设计所述基板还包括位于每一图形区域100外围的空白区域300，设定区域200位于空白区域300的外围，从而在对所述基板进行切割，形成独立的显示面板时，能够快速对位，结合图1和图2所示。而在切割之前，设定区域200设置的多个第一防静电结构I都能够用于释放静电，实现静电保护的作用。
[0041]当本实施例中的待形成显示基板为薄膜晶体管阵列基板时，图形区域100包括薄膜晶体管阵列基板的各膜层图形，如:像素电极、栅线、数据线，以及薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极。第一防静电结构I可以由透明导电层、栅金属层、源漏金属层中的其中一层、任意两个的复合层或三个的复合层制得，其中，所述透明导电层还用于形成像素电极，所述栅金属层还用于形成栅电极、栅金属等，所述源漏金属层还用于形成源电极、漏电极和数据线等，从而在薄膜晶体管阵列基板的制作工艺中同时形成第一防静电结构1，不需要增加单独的制作工艺，降低生产成本。而且在制作取向膜之前即制作完成第一防静电结构I，在对取向膜进行摩擦取向时，第一防静电结构I能够快速释放摩擦产生的静电。进一步地，如图3所示，图形区域100包括显示区域101和非显示区域102，以及位于非显示区域102的密封区域103，在密封区域103和显示区域101之间设置第二防静电结构2，第二防静电结构2用于释放薄膜晶体管阵列基板的制作工艺中产生的静电。优选地，在形成显示区域101的某一导电层图形时，例如:栅金属层图形，利用所述某一导电层在显示区域101和密封区域103之间形成第二防静电结构2，简化制作工艺，降低生产成本。在形成第二防静电结构2后，第二防静电结构2就能够释放后续制作工艺中产生的静电，防止静电损坏显示基板的内部，提高产品良率。
[0042]本实施例中的待形成显示基板也可以为彩膜基板或封装基板，第一防静电结构I可以释放彩膜基板或封装基板的制作工艺中产生的静电，尤其是在对彩膜基板的取向膜进行摩擦取向时产生的静电，防止在对盒后，将静电引入显示面板内部，造成损坏，克服了彩膜基板或封装基板上没有防静电结构，无法释放制作工艺中产生的静电的问题。进一步地，当彩膜基板上形成有公共电极时，第一防静电结构I可以与所述公共电极由同一透明导电层制得，简化制作工艺。
[0043]结合图1和图2所示，本实施例中所述基板具体包括:
[0044]至少一个待形成显示基板的图形区域100，每一图形区域100的外围具有空白区域300，在除图形区域100和空白区域300的其他区域200设置有大面积的第一防静电结构1，第一防静电结构I为闭合的导电图形；
[0045]每一图形区域100包括显示区域101和非显示区域102，以及位于非显示区域102的密封区域103，在密封区域103和显示区域101之间设置有第二防静电结构2，第二防静电结构2为闭合的导电图形，第二防静电结构2和第一防静电结构I电连接；
[0046]每一图形区域100包括取向膜(图中未示出)，在对取向膜摩擦取向时，第一防静电结构I用于释放摩擦静电。
[0047]至于图形区域100的其他膜层图形，取决于所述待形成显示基板的类型，如:阵列基板、彩膜基板，请参照现有技术，在此不再详述。
[0048]基于同一发明构思，如图4所示，本实施例中还提供一种如上所述的基板的制作方法，所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域，所述制作方法包括:
[0049]在每一所述图形区域外围的设定区域形成第一防静电结构。
[0050]通过上述制作方法形成的第一防静电结构，增加了静电释放的路径。同时，由于能够形成大面积的第一防静电结构，快速释放静电，有效保证产品的质量和良率。
[0051]当所述待形成显示基板为液晶显示基板时，如图4所示，所述制作方法还包括:
[0052]在每一所述图形区域形成取向膜图形，并对取向膜摩擦取向。
[0053]在对取向膜摩擦取向时会产生大面积的静电，如果不能快速、有效得释放静电，会对显示基板内部造成严重损坏。为了解决该技术问题，本实施例中具体在对所述取向膜摩擦取向之前，在每一所述图形区域外围的设定区域形成所述第一防静电结构。由于所述图形区域的外围具有大面积的空白区域，能够形成大面积的所述第一防静电结构，在对取向膜摩擦取向时，摩擦辊轮与所述第一防静电结构接触，所述第一防静电结构能够有效释放摩擦取向时产生的静电。
[0054]由于对取向膜摩擦取向时会产生大量的静电，为了增加静电的释放路径，所述制作方法还包括:
[0055]在对取向膜进行摩擦取向时，还通过静电中和方法来中和静电电荷。
[0056]需要说明的是，静电中和法是利用空气中的带电离子来中和物体表面的静电电荷的方法，具体可以利用离子风机或X射线向空气中散发带电粒子的设备，以有效地中和物体表面的静电电荷，或提供湿度较高的空气环境(>30 % Rh)也具有静电中和的作用。
[0057]本实施例中在所述图形区域还形成第二防静电结构，用于释放在待形成显示基板的制作工艺中产生的静电。可选的，将所述第二防静电结构与第一防静电结构电连接，增加显示面板内部产生的静电的释放路径，使所述第一防静电结构起到更好的静电保护作用。通常在显示基板的密封区域和显示区域之间形成所述第二防静电结构。所述密封区域位于非显示区域，对盒工艺中会在该区域形成密封材料，实现密封对盒。
[0058]当本实施例中的所述待形成显示基板为薄膜晶体管阵列基板时，所述制作方法还包括:在所述图形区域形成薄膜晶体管阵列基板的各膜层图形，如:像素电极、栅线、数据线，以及薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极。可选的，通过对透明导电层、栅金属层和源漏金属层中的其中一层、任意两个的复合层或三个的复合层进行构图工艺，形成所述第一防静电结构。其中，对所述透明导电层进行的构图工艺还用于形成像素电极，对所述栅金属层进行的构图工艺还用于形成栅电极、栅金属等，对所述源漏金属层进行的构图工艺还用于形成源电极、漏电极和数据线等，从而在薄膜晶体管阵列基板的制作工艺中同时形成所述第一防静电结构，不需要增加单独的制作工艺，降低生产成本。而且在制作取向膜之前即制作完成所述第一防静电结构，在对取向膜进行摩擦取向时，所述第一防静电结构能够快速释放摩擦产生的静电。进一步地，所述制作方法还包括:
[0059]在密封区域和显示区域之间形成第二防静电结构。
[0060]通过上述步骤形成所述第二防静电结构后，所述第二防静电结构能够释放后续制作工艺中产生的静电，防止静电损坏显示基板的内部，提高产品良率。其中，在制作薄膜晶体管阵列基板的工艺中，所述第二防静电结构由最先形成的导电层形成，例如:栅金属层。所述第二防静电结构与栅线和栅电极同层形成，简化制作工艺，降低生产成本。
[0061 ]本实施例中所述基板的制作方法具体包括:
[0062]在所述基板上除图形区域100和空白区域300的其他区域200形成大面积的闭合的导电图形，由所述闭合的导电图形形成第一防静电结构I，结合图1和图2所示；
[0063]在每一图形区域100的密封区域103和显示区域101之间形成闭合的导电图形，由闭合的导电图形形成第二防静电结构2，第二防静电结构2和第一防静电结构I电连接，如图3所示；
[0064]在每一图形区域100形成取向膜(图中未示出)，在对取向膜摩擦取向时，第一防静电结构I用于释放摩擦静电。
[0065]至于图形区域100的其他膜层图形的制作工艺，取决于所述待形成显示基板的类型，如:阵列基板、彩膜基板，请参照现有技术，在此不再详述。
[0066]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种基板，所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域，其特征在于，每一所述图形区域外围的设定区域设置有第一防静电结构。2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板还包括位于每一图形区域外围的空白区域，所述设定区域位于所述空白区域的外围。3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述设定区域设置有多个所述第一防静电结构。4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一防静电结构为闭合的导电图形，或所述第一防静电结构具有至少一个用于放电的尖端。5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述图形区域包括取向膜图形。6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述待形成显示基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第一防静电结构由透明导电层、栅金属层、源漏金属层中的其中一层、任意两个的复合层或三个的复合层制得。7.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，所述待形成显示基板为彩膜基板，所述第一防静电结构由透明导电层制得。8.根据权利要求1-7任一项所述的基板，其特征在于，每一所述图形区域包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域，每一所述图形区域设置有位于密封区域和显示区域之间的第二防静电结构，所述第二防静电结构与所述第一防静电结构电连接。9.一种权利要求1-8任一项所述的基板的制作方法，所述基板包括至少一个待形成显示基板的图形区域，其特征在于，所述制作方法包括: 在每一所述图形区域外围的设定区域形成第一防静电结构。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括: 在每一所述图形区域形成取向膜图形，并对取向膜摩擦取向； 具体在对所述取向膜摩擦取向之前，在每一所述图形区域外围的设定区域形成所述第一防静电结构，所述第一防静电结构用于释放在对取向膜摩擦取向时产生的静电。11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述待形成显示基板为薄膜晶体管阵列基板； 通过对透明导电层、栅金属层和源漏金属层中的其中一层、任意两个的复合层或三个的复合层进行构图工艺，形成所述第一防静电结构。12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述待形成显示基板为彩膜基板； 通过对透明导电层进行构图工艺，形成所述第一防静电结构。13.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括: 在对取向膜进行摩擦取向时，通过静电中和方法来中和静电电荷。14.根据权利要求9-13任一项所述的制作方法，其特征在于，每一所述图形区域包括显示区域和位于显示区域外围的非显示区域，所述非显示区域包括密封区域，所述制作方法还包括: 在每一所述图形区域的密封区域和显示区域之间形成第二防静电结构，所述第二防静电结构与所述第一防静电结构电连接。
【文档编号】G02F1/13GK105974617SQ201610292570
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年5月5日
【发明人】刘利萍, 董春垒
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司