成像装置和处理盒的制作方法

成像装置和处理盒的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种成像装置和处理盒，该成像装置包括：电子照相感光体，其包括导电性基体和包含感光层的有机层；充电部件，其对电子照相感光体的表面进行充电；静电潜像形成单元；显影单元；转印单元；以及清洁部件，其在电子照相感光体的表面上进行清洁，其中在电子照相感光体的轴向上，电子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子照相感光体和充电部件的接触区域宽，并且在电子照相感光体的轴向上的两个端部处均满足关系式0.97≤d’/d≤1.03，0.97≤d”/d≤1.1和1.03≤d”max/d≤1.1，其中d、d’、d”和d”max分别为本申请中所限定的各部分处的有机层总膜厚的值。
【专利说明】
成像装置和处理盒
技术领域
[0001] 本发明设及成像装置和处理盒。
【背景技术】
[0002] 电子照相型成像装置通常包括电子照相感光体（其可被称为"感光体"）、充电单 元、静电潜像形成单元、显影单元、转印单元、清洁单元、定影单元等。
[0003] 专利文献1公开了一种成像装置，其包括感光体和充电装置。在专利文献1公开 的成像装置中，W运样的方式获得感光体：利用浸涂法在基材上形成感光膜并使其旋转，并 且在利用浸涂形成感光膜时，充电装置使得接触充电部件沿着感光体的轴向与起始于对接 起始位置的区域接触并对感光体进行充电，该对接起始位置设定为从位于上方侧的感光体 的上端部直至内部。在专利文献1公开的成像装置中，当将感光体的寿命预定旋转数设为 A (转）、感光体每旋转一转的感光膜磨损量设为B ( μ m)、感光体的充电装置产生的充电电 势（绝对值）设为C(V)、化及感光体的充电电压施加期间的介电击穿场强度设为D(V/ym) 时，接触充电部件的对接起始位置设定在W下部位：在该部位处，感光体中的感光膜的膜厚 度为由式"C今D+AXB"获得的值至成像区域中的感光膜的平均膜厚减去2 μπι所得的值。
[0004] 专利文献2公开了一种电子照相装置，其至少包括电子照相感光体和清洁部件。 在该电子照相装置中，电子照相感光体包括依次位于支持部件上的电荷产生层和电荷传输 层，其中电荷传输层至少包含电荷传输材料和作为粘结剂树脂的粘均分子量为50, 000 W 上的链状热塑性树脂，并且膜厚分布满足下式（1)，并且作为清洁部件的橡胶刮刀与电子照 相感光体接触。
[0005] (距离涂布起始位置7mm位置处的膜厚）>(涂布中屯、部的膜厚）Χ0. 75:式（1)
[0006] (其中，涂布中屯、部的膜厚为22 μ m W上）。
[0007] 专利文献3公开了一种处理速度为250mm/sec W上的电子照相装置，其中电子照 相感光体包括依次位于支持部件上的电荷产生层和电荷传输层，电荷传输层具有满足下式 (1)的膜厚分布，并且具有橡胶刮刀作为清洁部件与电子照相感光体接触。
[0008] (距离涂布起始位置7mm位置处的膜厚）>(涂布中屯、部的膜厚）X0. 80 :式（1)
[0009] 专利文献4公开了一种电子照相感光体，其具有通过浸涂形成于基体上的感光 膜。在专利文献4公开的电子照相感光体中，感光膜具有成像区域和覆盖成像区域的充电 区域，并且充电区域中在成像区域的外部中的浸涂时位于下方的部分的膜厚度A大于成像 区域中的浸涂时位于下方的端部的膜厚度B。
[0010] 专利文献5公开了一种电子照相装置，其包括电子照相感光体和设置为与感光体 接触的充电用部件，膜厚度di与膜厚度d 2的比率在0.50《cU/di^ 1.20(式（1))的范围 内，膜厚度di为电子照相感光体的表面层的中屯、部区域的厚度，膜厚度cU为其端部侧区域 的厚度，并且充电用部件的充电宽度区域中的端部侧部分的电阻值W比中屯、部的部分的电 阻值大的方式分布。
[0011] 专利文献6公开了一种成像方法，其利用在圆筒状导电性基体上包括至少具有感 光层的涂层的电子照相感光体并重复进行充电工序、曝光工序、利用了含有调色剂的显影 剂的显影工序、调色剂图像转印工序、W及用清洁单元除去电子照相感光体上的残留调色 剂的工序来形成图像。在专利文献6公开的成像方法中，当将电子照相感光体的成像宽度 方向上的涂层中屯、部处的膜厚平均值设为P(ym)、成像区域之外的区域的膜厚的最大平均 值设为Pmax ( μ m)、且从具有最大值的点至涂层端部的距离平均值设为D ( μ m)时，形状同 时满足下式（1)和（2)，并且充电工序中的充电是通过使充电部件与电子照相感光体接触 而进行的。 阳01引 0<Pmax<2P 式（1) 阳01引 2《（Pmax/D) X 100《50 式似
[0014] 专利文献 1 :JP-A-2007-121887
[0015] 专利文献 2 :JP-A-2004-157316
[0016] 专利文献 3 :JP-A-2004-157315
[0017] 专利文献 4 :JP-A-11-160899
[0018] 专利文献 5 :JP-A-8-286393
[0019] 专利文献6 :日本专利No. 4134698

【发明内容】

[0020] 本发明的目的是提供一种成像装置，其包括：
[0021] 电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层 的有机层；
[0022] 充电部件，其接触电子照相感光体的表面并且对电子照相感光体的表面进行充 电；化及
[0023] 清洁部件，其接触电子照相感光体的表面从而在电子照相感光体的表面上进行清 洁；并且
[0024] 与在电子照相感光体的轴向上电子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子 照相感光体和充电部件的接触区域宽、且在电子照相感光体的一个端部满足关系式d' / d<0. 97、d"/d<0. 97和d"max/d<l. 03的情况相比，该成像装置抑制了因电子照相感光体的 轴向端部的介电击穿所引起的图像缺陷的发生，
[0025] 其中将位于与充电部件接触的区域中的有机层的平均总膜厚设为d，将位于不与 充电部件接触的区域中且从电子照相感光体轴向上的与充电部件接触的区域的端部至与 清洁部件接触的区域的端部的区域A中的有机层的总膜厚设为d'，将位于不与清洁部件接 触的区域中且从电子照相感光体轴向上的与清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部 的区域B中的有机层的总膜厚设为d"，并且将有机层的最大总膜厚部的总膜厚设为d"max。 [00%] 上述目的通过W下构造而得W实现。
[0027] 根据本发明的第一方面，提供了一种成像装置，包括：
[0028] 电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层 的有机层；
[0029] 充电部件，其接触电子照相感光体的表面并且对电子照相感光体的表面进行充 电；
[0030] 静电潜像形成单元，其在电子照相感光体的表面上形成静电潜像；
[0031] 显影单元，其利用包含调色剂的显影剂将形成于电子照相感光体的表面上的静电 潜像显影，W形成调色剂图像； 阳0巧转印单元，其将调色剂图像转印到记录介质的表面上；W及
[0033] 清洁部件，其接触电子照相感光体的表面从而在电子照相感光体的表面上进行清 洁，
[0034] 其中在电子照相感光体的轴向上，电子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子 照相感光体和充电部件的接触区域宽，
[0035] 电子照相感光体轴向上的两个端部处的最大总膜厚部分别被包括在不与清洁部 件接触的区域中，其中在最大总膜厚部处，有机层的总膜厚变为最大，并且
[0036] 在将位于与充电部件接触的区域中的有机层的平均总膜厚设为d，将位于不与充 电部件接触的区域中且从电子照相感光体轴向上的与充电部件接触的区域的端部至与清 洁部件接触的区域的端部的区域A中的有机层的总膜厚设为d'，将位于不与清洁部件接触 的区域中且从电子照相感光体轴向上的与清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部的 区域B中的有机层的总膜厚设为d"，并且将有机层的最大总膜厚部的总膜厚设为d"max时， 在电子照相感光体的轴向上的两个端部均满足W下所有的关系式（1)至（3):
[0037] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0038] 0. 97《d，，/d《1. 1 (2)
[0039] 1. 03《d"max/d《1. 1 做。
[0040] 根据本发明的第二方面，在根据第一方面所述的成像装置中，关系式（1)满足W 下关系：
[0041] 0. 98《d，/d《1. 02。
[0042] 根据本发明的第Ξ方面，在根据第一方面所述的成像装置中，关系式（2)满足W 下关系：
[0043] 0. 98《d，，/d《1. 05。
[0044] 根据本发明的第四方面，在根据第一方面所述的成像装置中，关系式（3)满足W 下关系：
[0045] 1. 03《d"max/d《1. 05。
[0046] 根据本发明的第五方面，在根据第一方面所述的成像装置中，当将区域A在电子 照相感光体轴向上的长度设为a时，满足W下关系：
[0047] 1mm《a《5mm。
[0048] 根据本发明的第六方面，在根据第一方面所述的成像装置中，当将区域A在电子 照相感光体轴向上的长度设为a时，满足W下关系：
[0049] 1mm《a《3mm。
[0050] 根据本发明的第屯方面，在根据第一或第二方面所述的成像装置中，当将区域B 在电子照相感光体轴向上的长度设为b时，满足W下关系：
[0051] 0. 1mm《b《10mm。
[0052] 根据本发明的第八方面，在根据第一或第二方面所述的成像装置中，当将区域B 在电子照相感光体轴向上的长度设为b时，满足W下关系：
[0053] 0. 1mm《b《5mm。
[0054] 根据本发明的第九方面，在根据第一至第Ξ方面中任一方面所述的成像装置中， 所述电子照相感光体从导电性基体侧起包括底涂层和感光层作为有机层，其中感光层包括 电荷产生层和电荷传输层，并且
[005引有机层的平均总膜厚d在20μηι至70μηι的范围内。
[0056] 根据本发明的第十方面，在根据第一至第Ξ方面中任一方面所述的成像装置中， 所述电子照相感光体从导电性基体侧起包括底涂层、电荷产生层、电荷传输层和保护层作 为有机层，并且
[0057] 有机层的平均总膜厚d在20μηι至60μηι的范围内。
[0058] 根据本发明的第十一方面，在根据第一至第Ξ方面中任一方面所述的成像装置 中，所述电子照相感光体包括单层型感光层作为有机层，并且
[0059] 有机层的平均总膜厚d在15 μ m至40 μ m的范围内。
[0060] 根据本发明的第十二方面，提供了一种处理盒，其能从成像装置上拆卸下来，该处 理盒包括：
[0061] 电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层 的有机层；
[0062] 充电部件，其接触电子照相感光体的表面并且对电子照相感光体的表面进行充 电；
[0063] 清洁部件，其接触电子照相感光体的表面从而在电子照相感光体的表面上进行清 洁， W64] 其中在电子照相感光体的轴向上，电子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子 照相感光体和充电部件的接触区域宽， 阳0化]电子照相感光体轴向上的两个端部处的最大总膜厚部分别被包括在不与清洁部 件接触的区域中，其中在最大总膜厚部处，有机层的总膜厚变为最大，
[0066] 在将位于与充电部件接触的区域中的有机层的平均总膜厚设为d，将位于不与充 电部件接触的区域中且从电子照相感光体轴向上的与充电部件接触的区域的端部至与清 洁部件接触的区域的端部的区域A中的有机层的总膜厚设为d'，将位于不与清洁部件接触 的区域中且从电子照相感光体轴向上的与清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部的 区域B中的有机层的总膜厚设为d"，并且将有机层的最大总膜厚部的总膜厚设为d"max时， 在电子照相感光体的轴向上的两个端部均满足W下所有的关系式（1)至（3):
[0067] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0068] 0. 97《d"/d《1. 1 似
[0069] 1. 03《d"max/d《1. 1 做。
[0070] 根据本发明的第一至第四方面，提供了一种成像装置，其包括电子照相感光体、充 电部件和清洁部件。电子照相感光体包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含 感光层的有机层。充电部件接触电子照相感光体的表面从而对电子照相感光体的表面进行 充电。清洁部件接触电子照相感光体的表面从而在电子照相感光体的表面上进行清洁。在 将位于与充电部件接触的区域中的有机层的平均总膜厚设为d，将从电子照相感光体轴向 上的与充电部件接触的区域的端部至与清洁部件接触的区域的端部的区域A(该区域A为 不与充电部件接触的区域）中的有机层的总膜厚设为d'，将从电子照相感光体轴向上的与 清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部的区域B(该区域B为不与清洁部件接触的区 域）中的有机层的总膜厚设为d"，并且将有机层的最大总膜厚部处的总膜厚设为d"max时， 在电子照相感光体的轴向上，电子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子照相感光体和 充电部件的接触区域宽，并且与在电子照相感光体的一个端部满足关系式d' /d<0. 97、d"/ d<0. 97和d"max/d<l. 03的情况相比，因电子照相感光体的轴向端部的介电击穿所引起的 图像缺陷的发生得到抑制。
[0071] 根据本发明的第五和第六方面，提供了一种成像装置，其中与在电子照相感光体 的至少一个端部处，区域A在电子照相感光体轴向上的长度a小于1mm或大于5mm的情况 相比，因充电部件的端部放电所引起的局部磨损得到抑制，或装置尺寸得W降低。
[0072] 根据本发明的第屯和第八方面，提供了一种成像装置，其中与在电子照相感光体 的至少一个端部处，区域B在电子照相感光体轴向上的长度b小于0. 1mm或大于10mm的情 况相比，有机层的磨损得W抑制，并且装置尺寸得W降低。
[0073] 根据本发明的第九方面，提供了一种成像装置，该成像装置中的电子照相感光体 从导电性基体侧起包括底涂层W及包含电荷产生层和电荷传输层的感光层作为有机层，与 有机层的平均总膜厚d小于20 μπι或大于70 μπι的情况相比，在电子照相感光体的轴向端 部抑制了因介电击穿引起的图像缺陷，并且抑制了材料成本的上升。
[0074] 根据本发明的第十方面，提供了一种成像装置，该成像装置中的电子照相感光体 从导电性基体侧起包括底涂层、电荷产生层、电荷传输层和保护层作为有机层，与有机层的 平均总膜厚d小于20 μπι或大于60 μπι的情况相比，在电子照相感光体的轴向端部抑制了 因介电击穿引起的图像缺陷，并且抑制了材料成本的上升。
[0075] 根据本发明的第十一方面，提供了一种成像装置，该成像装置中的电子照相感光 体包括单层型感光层作为有机层，与有机层的平均总膜厚d小于15 μ m或大于40 μ m的情 况相比，在电子照相感光体的轴向端部抑制了因介电击穿引起的图像缺陷，并且抑制了材 料成本的上升。
[0076] 根据本发明的第十二方面，提供了一种处理盒，其包括电子照相感光体、充电部件 和清洁部件，电子照相感光体包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层 的有机层，充电部件接触电子照相感光体的表面并对电子照相感光体的表面进行充电，清 洁部件接触电子照相感光体的表面从而在电子照相感光体的表面上进行清洁，在将位于与 充电部件接触的区域中的有机层的平均总膜厚设为d，将位于不与充电部件接触的区域中 且从电子照相感光体轴向上的与充电部件接触的区域的端部至与清洁部件接触的区域的 端部的区域A中的有机层的总膜厚设为d'，将位于不与清洁部件接触的区域中且从电子照 相感光体轴向上的与清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部的区域B中的有机层的 总膜厚设为d"，并且将有机层的最大总膜厚部的总膜厚设为d"max时，在电子照相感光体 的轴向上，电子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子照相感光体和充电部件的接触区 域宽，并且与在电子照相感光体的一个端部满足关系式d' /d<0. 97、d"/d<0. 97和d"max/ d<l. 03的情况相比，因电子照相感光体的轴向端部的介电击穿所引起的图像缺陷的发生得 到抑制。
[0077] 附图简要说明
[0078] 下文将基于W下附图对本发明的示例性实施方案进行详细说明，其中：
[0079] 图1是示出根据示例性实施方案的成像装置的例子的示意性构造图；
[0080] 图2是示出根据示例性实施方案的电子照相感光体的层结构的例子的示意性截 面图；
[0081] 图3是示出根据示例性实施方案的电子照相感光体的层结构的另一例子的示意 性截面图；
[0082] 图4是针对根据示例性实施方案的电子照相感光体、充电部件和清洁部件之间的 关系，示出了电子照相感光体中的有机层的膜厚度的分解图的示意图；
[0083] 图5是示出通过喷墨法由液滴喷头喷出而落下的部分液滴的重叠状态的示意图；
[0084] 图6是示出液滴喷头的倾斜状态（倾斜角Θ )的示意图，该液滴喷头通过喷墨法 将涂布液施加到圆筒状的待涂布物上；W及
[0085] 图7是示出根据示例性实施方案的成像装置的另一例子的示意性结构图。
【具体实施方式】
[0086] 下面将详细说明根据示例性实施方案的成像装置。
[0087] 根据示例性实施方案的成像装置包括电子照相感光体、充电部件、静电潜像形成 单元、显影单元、转印单元和清洁部件。电子照相感光体包括导电性基体和设置在该导电性 基体上的至少包含感光层的有机层。充电部件接触电子照相感光体的表面并且对电子照相 感光体的表面进行充电。静电潜像形成单元在电子照相感光体的表面上形成静电潜像。显 影单元利用包含调色剂的显影剂将形成于电子照相感光体的表面上的静电潜像显影，W形 成调色剂图像。转印单元将调色剂图像转印到记录介质的表面上。清洁部件接触电子照相 感光体的表面从而在电子照相感光体的表面上进行清洁。在电子照相感光体的轴向上，电 子照相感光体和清洁部件的接触区域比电子照相感光体和充电部件的接触区域宽。电子照 相感光体轴向上的两个端部处的最大总膜厚部分别被包括在不与清洁部件接触的区域中， 其中在最大总膜厚部处，有机层的总膜厚变为最大。在将位于与充电部件接触的区域中的 有机层的平均总膜厚设为d，将位于不与充电部件接触的区域中且从电子照相感光体轴向 上的与充电部件接触的区域的端部至与清洁部件接触的区域的端部的区域A中的有机层 的总膜厚设为d'，将位于不与清洁部件接触的区域中且从电子照相感光体轴向上的与清洁 部件接触的区域的端部至最大总膜厚部的区域B中的有机层的总膜厚设为d"，并且将有机 层的最大总膜厚部的总膜厚设为d"max时，在电子照相感光体的轴向上的两个端部均满足 W下所有的关系式（1)至（3):
[0088] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0089] 0. 97《d"/d《1. 1 似
[0090] 1. 03《d"max/d《1. 1 (3)。
[0091] 在根据示例性实施方案的成像装置中的感光体的轴向端部处抑制了介电击穿的 理由据推测如下。
[0092] 与利用电晕放电器的非接触充电法相比，诸如充电漉等充电部件与电子照相感光 体的表面接触从而对感光体的表面进行充电的接触充电法具有较低的电压和较小的臭氧 生成量。然而，由于充电部件与感光体的表面接触，因此在重复成像过程中感光体表面层的 碎屑量变得明显，特别是，易于发生偏向于感光体轴向的端部、而不是中屯、部的磨损（不均 匀磨损），因此可能会发生层剥离或介电击穿。
[0093] 作为电子照相感光体，主要使用有机感光体，从方便性、高品质和高生产性的角度 考虑，该有机感光体主要通过浸涂法来制备。有机感光体是通过利用涂布液来形成感光层 等。涂布液包含对应于导电性基体上各层所要求的功能的材料、粘结剂树脂、溶剂等。
[0094] 然而，在浸涂法中，涂布开始测（上端侧）的涂膜理论上会由于重力而向下流动并 因此变薄。此外，在感光层的一部分变薄时该部分的电流强度变大，因此与厚膜部分相比更 易于发生磨损。由于厚度薄的膜原本就具有小的磨损裕度（wear margin)，因此易于在采用 接触充电法的成像装置中的感光体的上端侧（涂布开始测）发生层剥离或介电击穿。
[0095] 发明人进行了密切观察，结果发现仅限定充电区域和感光体的有机层的膜厚作为 抑制因感光体轴向上的两个端部的不均匀磨损而引起的发生介电击穿情形的对策是不充 分的，因此需要适当限定包括与清洁部件接触的区域的感光体有机层的膜厚度。具体来说， 如果残留调色剂附着于作为成像装置中的清洁部件而设置的清洁刮刀（下面可称为刮刀） 的端部并且沿着感光体的圆周方向转印到感光体时，在对应于刮刀的端部附近的位置处形 成了 W长条状附着的调色剂（下面可称为"调色剂长条（toner stripe)")。特别是，据认 为：如果在感光体的轴向上，刮刀的端部位置靠近充电漉的端部位置，则会促进感光体在调 色剂长条部的磨损，尤其是，如果在调色剂长条部，感光体的有机层薄的话，则容易发生介 电击穿。
[0096] 相反，在根据示例性实施方案的成像装置中，感光体和充电部件的接触区域、感光 体和清洁部件的接触区域W及感光体的有机层的总膜厚具有特定的关系。因此，认为抑制 了有机层的不均匀磨损，并且在感光体的轴向端部抑制了介电击穿的发生。
[0097] 下面将描述根据示例性实施方案的成像装置和处理盒的例子。然而，本发明不局 限于此。此外，对附图中所示出的主要部分加 W说明，而将省略其他部分的说明。可省略构 成根据示例性实施方案的成像装置的部件的参考标号。
[009引图1示意性示出了根据示例性实施方案的成像装置的构造的例子。
[0099] 图1中示出的成像装置100包括：电子照相感光体7、充电装置（充电单元的一个 例子）8、曝光装置（静电潜像形成单元的一个例子）9、转印装置（一次转印装置）40、中间 转印部件50、W及清洁装置13 (清洁单元的一个例子）。
[0100] 处理盒300支撑在壳体内作为一个整体的电子照相感光体7、充电装置8 (充电单 元的一个例子）、显影装置11 (显影单元的一个例子）和清洁装置13 (清洁单元的一个例 子）。 阳101 ] 曝光装置9布置在曝光装置9可W通过处理盒300中的开口将光照射到电子照相 感光体7上的位置处。转印装置40布置在隔着中间转印部件50与电子照相感光体7相对 的位置处。中间转印部件50被布置为与电子照相感光体7局部地接触。尽管未在图中示 出，但是成像装置还包括将已转印到中间转印部件50上的调色剂图像转印至记录介质（例 如纸）上的二次转印装置。此外，中间转印部件50、转印装置40(-次转印装置）和二次转 印装置（未示出）相当于转印单元的例子。
[0102] W下，将详细描述根据示例性实施方案的成像装置的各个部件。在下面的描述中， 将对在接触充电法中包括充电漉作为充电部件且清洁刮刀作为清洁部件的情况加 W说明。 然而，示例性实施方案中的充电部件和清洁部件不限于此。 阳103] 电子照相感光体
[0104] 根据示例性实施方案的电子照相感光体包括导电性基体和设置在导电性基体上 的至少包含感光层的有机层。
[01化]作为感光层，可W使用通过层叠含有电荷产生材料的电荷产生层和含有电荷传输 材料的电荷传输层而获得的功能分离型感光层，或可W使用其中在一层中含有电荷产生材 料和电荷传输材料的单层型感光层。设置在导电性基体上的除感光层之外的有机层的例子 包括底涂层、中间层和保护层。底涂层设置在导电性基体和感光层之间。中间层设置在底 涂层和感光层之间。保护层设置在感光层之上。除感光层之外的运些有机层可W根据需要 设置。
[0106] 图2示意性示出了根据示例性实施方案的电子照相感光体的层结构的例子。图2 中示出的电子照相感光体具有其中底涂层4、电荷产生层2A、电荷传输层2B和保护层5依 次层叠在导电性支持部件1上的层结构。感光层2由电荷产生层2A和电荷传输层2B运两 层构成。 阳107] 图3示意性示出了根据示例性实施方案的电子照相感光体的层结构的另一个例 子。图3中示出的电子照相感光体具有其中底涂层4、感光层6和保护层5依次层叠在导电 性支持部件1上的层结构。图3中示出的电子照相感光体的感光层6是图2中所示的电荷 产生层2A和电荷传输层2B的功能一体化的单层型感光层6。
[0108] 根据示例性实施方案的电子照相感光体不限于图2和3中示出的层结构。例如， 电子照相感光体可不包括底涂层4和保护层5，或可包括位于底涂层4和感光层之间的中间 层。 阳109] 充电装置
[0110] 作为充电装置中的充电部件8,例如，使用导电性或半导电性的充电漉。采用接触 充电法使根据示例性实施方案的成像装置运转，在该接触充电法中，充电漉接触电子照相 感光体7的表面并由此对电子照相感光体7的表面进行充电。
[0111] 作为根据示例性实施方案的充电漉8,可W使用已知的充电漉。例如，可W使用运 样的漉状部件，其包括圆筒状或圆柱状的棒状部件（杆状物）、设置在杆状物的外周面上的 导电性弹性层W及设置在导电性弹性层的外周面上的表面层。
[0112] 根据示例性实施方案的成像装置中的充电部件8不限于充电漉，也可W包括（例 如）充电刷、充电膜、充电橡胶刮化充电管，等等。 阳11引曝光装置
[0114] 曝光装置9可W是W预定的成像方式将电子照相感光体7的表面曝光于射线（如 半导体激光射线、LED射线和液晶快口射线）下的光学设备。光源的波长可W是在电子照 相感光体的光谱敏感波长范围内的波长。作为半导体激光的波长，主要是激光发射波长在 780nm附近的近红外波长。然而，可使用的激光射线波长并不局限于运种波长，并可使用发 射波长在600nm范围的激光、或者作为蓝色激光的具有在400nm至450nm范围内的任意发 射波长的激光。为形成彩色图像，使用能够获得多波束输出的平面发光型激光光源是有效 的。 阳11引显影装置
[0116] 作为显影装置11，例如可使用与磁性或非磁性的单组分或双组分显影剂接触或不 接触来成像的常用显影装置。对运种显影装置11没有特别限定，只要其具有上述功能即 可，并且可根据所需用途适当选择。其例子包括利用刷或漉将单组分或双组分显影剂施加 至电子照相感光体7上的已知的显影装置。其中，使用在其表面上保持有显影剂的显影漉 的显影装置是优选的。
[0117] 显影装置11中使用的显影剂可W是仅由调色剂形成的单组分显影剂、或者是由 调色剂和载体形成的双组分显影剂。此外，调色剂可为磁性的或非磁性的。作为显影剂，可 使用已知的显影剂。 阳11引清洁装置
[0119] 清洁装置13具有清洁刮刀131 (清洁部件的一个例子），并且清洁刮刀131设置为 与电子照相感光体7的表面接触。
[0120] 作为示例性实施方案中的清洁部件，可W使用众所周知的清洁刮刀。清洁刮刀131 可W具有单层结构，或由基材层和与电子照相感光体7接触的表面层形成的双层结构。理 想的形成清洁刮刀131的材料为由聚氨醋形成的弹性橡胶部件。 阳121] 示例性实施方案中的清洁部件除了使用了清洁刮刀131的实施方案之外，还可W 是导电性或绝缘性的纤维状部件。作为示例性实施方案中的清洁部件，可W仅使用纤维状 部件，或可W组合使用清洁刮刀131和用于辅助清洁的纤维状部件。
[0122] 图1示出了包括用于将润滑剂14供应到电子照相感光体7的表面上的（漉状） 纤维状部件132和用于辅助清洁的（平刷状）纤维状部件133的例子。然而，运些部件可 W根据需要来设置。 阳123] 转印装置
[0124] 转印装置40的例子包括已知的转印充电装置自身，如使用带、$昆、膜、橡胶刮刀等 的接触型转印充电装置；利用电晕放电的栅格转印充电装置和利用电晕放电的电晕管转印 充电装置。 阳125] 中间转印部件
[0126] 作为中间转印部件50,可使用被赋予半导电性的由聚酷亚胺、聚酷胺酷亚胺、聚碳 酸醋、聚芳醋、聚醋、橡胶等构成的带形式（中间转印带）。另外，除了带形式W外，所述中间 转印部件还可采取鼓的形式。 阳127] 图4示意性示出了示例性实施方案中的电子照相感光体7、充电部件（充电漉）8 和清洁部件（清洁刮刀）131之间的关系。图4示出了电子照相感光体中的有机层的膜厚 度的分解图。
[0128] 在根据示例性实施方案的成像装置中，在电子照相感光体7的轴向上，电子照相 感光体7和清洁部件131的接触区域比电子照相感光体7和充电部件8的接触区域宽。不 与清洁部件131接触的区域在电子照相感光体7的两个端部均具有最大总膜厚部，在该最 大总膜厚部处，有机层3的总膜厚变为最大。
[0129] 在对与充电部件8接触的区域充电并通过曝光形成静电潜像后，在电子照相感光 体7的表面上形成了调色剂图像。调色剂图像通过中间转印部件转印到记录介质，或直接 转印到记录介质上。例如，如图4所示，由于与充电部件8接触的区域的内侧成为形成调色 剂图像的区域（图像区域），因此调色剂易于残留在电子照相感光体7的表面上的与充电部 件8接触的区域中。在示例性实施方案中，清洁部件131在轴向上W比充电部件8接触电 子照相感光体7的范围更宽的范围接触电子照相感光体7。因此，确实可靠地除去了残留在 电子照相感光体7的表面上的调色剂。
[0130] 当将从电子照相感光体轴向上的与充电部件接触的区域的端部至与清洁部件接 触的区域的端部的区域（该区域为不与充电部件接触的区域）设为区域A，并将区域A的长 度设为a时，示例性实施方案的电子照相感光体在电子照相感光体的轴向上的两个端部处 优选均满足W下关系：
[0131] 1mm《a《5mm。
[0132] 区域A的长度a为1mm W上抑制了因清洁部件的端部附近形成的调色剂长条和在 充电部件端部的放电所引起的局部磨损。区域A的长度a为5mm W下使得成像装置的整体 尺寸得W降低。 阳13引从该角度出发，a《3mm是更优选的。
[0134] 不与清洁部件131接触的区域在电子照相感光体的两个端部均具有最大总膜厚 部，在该最大总膜厚部，有机层的总膜厚变为最大，与清洁部件131接触的有机层的总膜厚 基本上是不变的。因此，因清洁部件131端部的接触压力集中而引起的感光体表面上的不 均匀磨损的影响得到抑制。
[0135] 有机层3的总膜厚是指设置在导电性基体上并且至少包含感光层的有机层3厚度 的合计厚度。有机层3的总膜厚等于在厚度方向上从导电性基体的表面至电子照相感光体 的最表面层的表面的厚度。
[0136] 例如，在仅具有单层型感光层作为有机层的单层型感光体的情况中，单层型感光 层的膜厚度成为有机层的总膜厚。例如，在层叠底涂层、电荷产生层和电荷传输层作为有 机层的Ξ层结构的情况中，运Ξ层的膜厚度的总和成为有机层的总膜厚。在运些层上还层 叠了保护层作为最表面层的四层结构的情况中，运四层的膜厚度的总和成为有机层的总膜 厚。
[0137] 作为根据示例性实施方案的电子照相感光体中的有机层的膜厚度，采用了通过满 流膜厚计（FISCHER Co巧oration制造）W如下方式获得的值。
[0138] 作为有机层的中屯、部的膜厚度的平均值d，测定中屯、部W及距离中屯、部80mm的各 截面上彼此垂直的方向（沿圆周方向间隔90° )上的四个位置处的12个地方，采用了通过 该方法获得的平均值。
[0139] 有机层端部的膜厚度d'和d"通过在感光体的轴向上进行多点测量来评价。具体 来说，将有机层的端部设为0mm，并沿基体的轴向使测量位置偏移1mm。类似于中屯、部，测量 各截面上彼此垂直的方向（沿圆周方向间隔90° )上的四个位置，并取其平均值。运样就 限定了轴向上各位置处的膜厚度。所测得的长度成为从有机层的端部至充电漉的接触位置 的距离。
[0140] 运里，"在电子照相感光体的轴向上的两个端部处有机层的总膜厚均变为最大的 '最大总膜厚部'"是指当对于全部有机层层叠在电子照相感光体中的区域测量轴向上的有 机层的总膜厚时，有机层的总膜厚在从电子照相感光体的轴向上的中屯、位置至各端部的厚 度分布中变为最大的部分。 阳141] 在根据示例性实施方案的成像装置中，不与清洁部件接触的区域在电子照相感光 体轴向上的两个端部处均具有有机层的最大总膜厚部。然而，两个端部处的最大总膜厚部 的厚度不必彼此相同。从抑制有机层的不均匀磨损的角度出发，期望两个端部处的最大总 膜厚部的厚度差距小。 阳142]当将电子照相感光体轴向上的从与清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部 的区域B (该区域B为不与清洁部件接触的区域）的长度设为b时，在电子照相感光体的轴 向上的两个端部处优选满足W下关系：
[014引 0. 1mm ^ b ^ lOmm。
[0144] 区域B的长度b为0. 1mm W上可抑制有机层的磨损受到促进的情况。抑制有机层 的磨损受到促进是由具有电子照相感光体的有机层的最大总膜厚部附近的膜厚度的区域 与清洁部件接触而导致的。区域B的长度b为10mm W下使得装置尺寸减小。
[0145] 从该角度出发，0. 是更优选的。 阳146] 在根据示例性实施方案的成像装置中，与充电部件接触的区域中的有机层的平均 总膜厚d和区域A(其为不与充电部件接触的区域且从电子照相感光体的轴向上的与充电 部件接触的区域的端部至与清洁部件接触的区域的端部）中的有机层的总膜厚d'满足W 下关系式（1): 阳 147] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0148] 目P，区域A中的电子照相感光体的有机层的总膜厚d'在与充电部件接触的区域中 的电子照相感光体的有机层的平均总膜厚d的±3%的范围内。运样，电子照相感光体的外 周面在整个与清洁部件接触的区域中变平滑，从而抑制了局部异常磨损的发生。
[0149] 从该角度出发，0. 98《d' /d《1. 02是优选的。
[0150] 与充电部件接触的区域中的电子照相感光体的有机层的平均总膜厚d根据层结 构而变化。然而，从防止非均匀充电的角度出发，与充电部件接触的区域中的电子照相感光 体的有机层的总膜厚优选在轴向和圆周方向上均在±5%的范围内，更优选在±3%的范 围内。 阳151] 在根据示例性实施方案的成像装置中，与充电部件接触的区域中的电子照相感光 体的有机层的平均总膜厚d和区域B (其位于不与清洁部件接触的区域中并且从电子照相 感光体轴向上的与清洁部件接触的区域的端部至最大总膜厚部）中的有机层的总膜厚d" 满足W下关系式（2): 阳 15引 0. 97《d，，/d《1. 1 (2)。 阳153]目P，区域B中的电子照相感光体的有机层的总膜厚d"在与充电部件接触的区域中 的电子照相感光体的有机层的平均总膜厚d的-3%至+10%的范围内。运样，在包括偏差 的范围内，区域B中的电子照相感光体的有机层的总膜厚d"不小于平均总膜厚山并且抑制 了清洁部件的碎片的产生或端部磨损的影响。 阳154] 从该角度出发，0. 98《d"/d《1. 05是优选的。
[0155] 与充电部件接触的区域中的电子照相感光体的有机层的平均总膜厚d和有机层 中最大总膜厚部处的总膜厚d"max满足W下关系式（3): 阳 156] 1. 03《d"max/d《1. 1 (3) 阳157]目P，电子照相感光体的有机层中的最大总膜厚部处的总膜厚d"max在与充电部件 接触的区域中的电子照相感光体的有机层的平均总膜厚d的+3%至+10%的范围内。运样， 在区域A和区域B中抑制了电子照相感光体中有机层的剧烈变化，并在区域A中抑制了清 洁部件的碎片或端部磨损的发生。 阳158] 从该观点出发，1. 03《d"max/d《1. 05是优选的。
[0159] 有机层的成膜方法
[0160] 示例性实施方案中的电子照相感光体的有机层的成膜方法没有特别限定，只要不 与清洁部件接触的区域即端部（非图像区域）具有在电子照相感光体的轴向上的两个端部 的有机层的总膜厚均变为最大的最大总膜厚部、并且有机层的总膜厚满足全部关系式（1) 至（3)即可。 阳161] 包括运样的方法：将各有机层形成用涂布液涂布到导电性基体上，干燥从而依次 成形。例如，当将圆筒状导电性基体的一个端部设为上端，并将其另一端部设为下端，运样 通过浸涂法将各有机层成膜时，在上端部膜厚容易变薄且在下端部膜厚容易变厚。尤其是， 在上端部侧难W在不与清洁部件接触的区域中形成有机层的最大总膜厚部。
[0162] 作为涂布各有机层形成用涂布液的方法，在示例性实施方案中，从高精度地控制 各有机层的膜厚度的观点出发，包括喷墨法、电子束涂布法、喷嘴涂布法等方法。另外，合适 的是利用喷墨法、电子束涂布法或喷嘴涂布法喷出各有机层形成用涂布液从而从旋转的导 电性基体的一个端部至另一端部依次进行涂布的方法。
[0163] 当有机层如感光层在导电性基体上成膜时，对于在预定条件下形成为与充电部件 接触的区域的中屯、部（图像区域），W满足关系式（1)至（3)的方式在轴向上的两个端部处 调节每单位时间的喷射量（流速），从而进行图案成膜。具体来说，包括在恒定流速下使两 个端部处的喷头移动速度变缓、在恒定的喷头移动速度下提高两个端部处的流速，等等。
[0164] 例如，当制备在导电性基体上仅包括感光层作为有机层的单层型感光体时，对感 光层的厚度进行调节。
[0165] 在包括功能分离型感光层（其中层叠了电荷产生层和电荷传输层）的功能分离型 感光体中，电荷产生层的膜厚度通常比电荷传输层的膜厚度小得多，并且比根据需要而形 成的底涂层或保护层的膜厚度小得多。为此，例如，如图3所示，在底涂层、电荷产生层、电 荷传输层和保护层依次层叠于导电性基体上的功能分离型电子照相感光体中，有机层的总 膜厚接近底涂层、电荷传输层和保护层的膜厚度总和。可W通过调节底涂层、电荷传输层和 保护层中某一层的厚度或两层或多层的厚度来调节有机层的总膜厚。 阳166] 图5和图6示意性示出了使用喷墨法进行涂布的方法的例子。如图6所示，W相对 于圆筒状导电性基体的轴线倾斜的方式安装液滴喷头200,使得从喷嘴202喷射出液滴204 之后相邻液滴204在降落于导电性基体表面上之后立即彼此邮连（如图5所示）。如图5 所示，喷射时的液滴的直径基本上如由虚线所指示的那样与喷嘴直径相同。但是在液滴碰 到导电性基体206的表面并润湿该表面之后，液滴的直径如由实线所指示的那样变大。因 此，相邻的液滴彼此邮连，由此形成涂膜。
[0167] 具体来说，将导电性基体206安装在进行水平旋转的装置中，并设置填充有涂布 液的液滴喷头200使得液滴喷到导电性基体206上。在该状态下，使导电性基体206旋转， 并从喷嘴202中喷出涂布液。如图6所示，使液滴喷头200从导电性基体206的一端水平 移动到位于相反侧的另一端。例如，在使用了运种液滴喷头200的喷墨法中，通过使用涂布 液中的固形物浓度、每单位时间从液滴喷头喷出的量、液滴喷头相对于导电性基体的轴向 的倾斜角（θ)、液滴喷头的移动速度、导电性基体的旋转速度等来调节涂膜的厚度和均匀 性。 阳168] 作为喷墨法中的喷出技术，采用诸如连续型、间歇型（压电型（压电元件）、热型、 静电型等）的一般技术。然而，理想的是采用了压电元件的连续型和间歇型。从生产性和 喷出稳定性的观点出发，更期望连续型。
[0169] 涂布后，通过加热并干燥来进行固化，由此形成有机层。
[0170] 例如，当将受热而聚合的单体用作有机层构成组分的材料时，单体由于受热而聚 合，同时溶剂被除去，由此形成固化的有机层。此情况中的加热溫度可根据单体的类型、溶 剂的沸点等来选择。 阳171] 作为根据示例性实施方案的电子照相感光体的例子，下文将描述具有图3中所示 的层结构的电子照相感光体。 阳172] 导电性基体 阳173] 导电性基体的例子包括使用了金属（如侣、铜、锋、铭、儀、钢、饥、铜、金和销）及其 合金（如不诱钢）的金属板、金属鼓和金属带。此外，导电性基体的其它例子包括涂覆、沉 积或层合有导电性化合物（如导电性聚合物和氧化铜）、金属（如侣、钮和金）或其合金的 纸张、树脂膜和带。术语"导电性"是指体积电阻率小于l〇"Qcm。
[0174] 当在激光打印机中使用电子照相感光体时，为了防止在用激光照射时形成的干设 条纹，优选将导电性基体的表面粗糖化使之具有0. 04 μ m至0. 5 μ m的中屯、线平均粗糖度 (Ra)。此外，当将非相干光用作光源时，用于防止干设条纹的表面粗糖化并没有特别的必要 性，但是由于抑制了由导电性基体表面上的凹凸不平引起的缺陷的产生，因而适于实现更 长的使用寿命。
[0175] 用于表面粗糖化的方法的例子包括将研磨剂悬浮于水中并喷至支持部件上的湿 式巧磨、将导电性基体按压在旋转的磨石上从而进行连续磨削的无屯、磨削、W及阳极氧化 处理。 阳176] 用于表面粗糖化的方法的其它例子包括：通过在导电性基体的表面上形成其中分 散有导电性或半导电性颗粒的树脂层，从而通过分散在该层中的颗粒实现表面粗糖化，而 不将导电性基体的表面粗糖化的表面粗糖化方法。
[0177] 在通过阳极氧化进行的表面粗糖化处理中，通过其中金属（例如侣）导电性基体 作为阳极在电解液中被阳极氧化的阳极氧化处理，从而在导电性基体的表面上形成氧化 膜。电解液的例子包括硫酸溶液和草酸溶液。然而，通过阳极氧化而没有加 W改性所形成 的多孔阳极氧化膜是化学活性的，易于被污染，根据环境的不同电阻变化大。因此，优选进 行密封处理，在该密封处理中，在加压水蒸汽或沸水中（其中可W加入金属盐如儀盐）通过 由水合反应引起的体积膨胀来密封阳极氧化膜的细孔，从而将阳极氧化物转化为更稳定的 水合氧化物。
[0178] 阳极氧化膜的膜厚优选为0. 3 μπι至15 μπι。当阳极氧化膜的厚度在上述范围内 时，趋向于发挥对于注入的阻挡性，并且趋向于抑制由于重复使用而引起的残留电势的增 加。
[0179] 可W对导电性基体进行使用了酸性水溶液的处理或勃姆石处理。 阳180] 利用酸性处理液的处理如下进行。首先，制备包含憐酸、铭酸和氨氣酸的酸性处理 液。酸性处理液中憐酸、铭酸和氨氣酸的混合比（例如）为10重量％至11重量％的憐酸、 3重量％至5重量％的铭酸和0. 5重量％至2重量％的氨氣酸。酸性成分的总浓度优选为 13.5重量％至18重量％的范围。处理溫度优选为（例如）42°(：至48°(：。膜的膜厚优选为 0. 3 μηι 至 15 μηι。 阳181] 勃姆石处理是运样进行的：将基体浸没在溫度为90°C至100°C的纯水中5分钟至 60分钟，或者使基体与溫度为9(TC至12(TC的热水蒸汽接触5分钟至60分钟。膜厚度优选 为0. Ιμπι至5 μπι。可W使用对膜溶解性低的电解液（例如己二酸、棚酸、棚酸盐、憐酸盐、 邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐和巧樣酸盐溶液）对膜进一步进行阳极氧化 处理。 阳182] 底涂层 阳183] 底涂层为（例如）包括无机颗粒和粘结剂树脂的层。 阳184] 无机颗粒的例子包括粉末电阻（体积电阻率）约为102 Ω . cm至1〇11 Ω . cm的无 机颗粒。
[0185] 其中，作为具有上述电阻值的无机颗粒，优选诸如氧化锡颗粒、氧化铁颗粒、氧化 锋颗粒、和氧化错颗粒之类的金属氧化物颗粒，更优选氧化锋颗粒。
[0186] 通过邸T法测定的无机颗粒的比表面积优选为（例如）10m7g W上。
[0187] 无机颗粒的体积平均粒径优选为（例如）50nm至2, OOOnm (更优选60nm至 1, OOOnm)。
[0188] 无机颗粒相对于粘结剂树脂的含量优选为（例如）10重量％至80重量％，更优选 为40重量％至80重量％。
[0189] 无机颗粒可W是经过表面处理的无机颗粒。可W组合使用两种或更多种经过不同 的表面处理或具有不同粒径的无机颗粒。
[0190] 表面处理剂的例子包括硅烷偶联剂、铁酸醋偶联剂、侣偶联剂和表面活性剂。硅烷 偶联剂是特别优选的，并且具有氨基的硅烷偶联剂是更优选的。
[0191] 具有氨基的硅烷偶联剂的例子包括3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙 基）-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和 N，N-双（2-径乙基）-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷，但不限于此。
[0192] 可使用运些硅烷偶联剂中的两种或多种的混合物。例如，具有氨基的硅烷偶联 剂可与另外的硅烷偶联剂组合使用。硅烷偶联剂的其它例子包括：乙締基Ξ甲氧基硅烷、 3-甲基丙締酷氧基丙基-Ξ (2-甲氧基乙氧基）硅烷、2-(3,4-环氧环己基）乙基Ξ甲氧 基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、乙締基Ξ乙酷氧基硅烷、3-琉基丙基Ξ甲氧 基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基二甲氧基硅烷、N-2-(氨 基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N，N-双（2-径乙基）-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷 和3-氯丙基Ξ甲氧基硅烷，但不限于此。 阳193] 使用表面处理剂进行表面处理的方法可为已知方法中的任意一种方法，并且可W 是干法或湿法。
[0194] 用于处理的表面处理剂相对于无机颗粒的量优选为（例如）0. 5重量％至10重 量％。
[01巧]运里，从电特性的长期稳定性和载流子阻挡性（carrier blocking property)优 异的角度考虑，底涂层中优选包含无机颗粒和电子受体化合物（受体化合物）。
[0196] 电子受体化合物的例子包括电子传输材料，例如：酿类化合物，如四氯苯酿和四 漠苯酿；四氯基酿二甲烧化合物；巧酬类化合物，如2, 4, 7- Ξ硝基巧酬和2, 4, 5, 7-四硝 基-9-巧酬；嗯二挫类化合物，如2-(4-联苯基）-5-(4-叔下基苯基）-1，3, 4-嗯二挫、 2, 5-双（4-糞基）-1,3,4-嗯二挫W及2, 5-双（4-二乙基氨基苯基）-1,3,4-嗯二挫；氧 杂蔥酬类化合物；嚷吩类化合物；W及联苯酿类化合物，如3, 3'，5, 5' -四叔下基联苯酿。 阳197] 特别是，作为电子受体化合物，具有蔥酿结构的化合物是优选的。作为具有蔥酿结 构的电子受体化合物，优选径基蔥酿类化合物、氨基蔥酿类化合物和氨基径基蔥酿类化合 物等，并且蔥酿、1，2-二径基蔥酿、1，4-二径基蔥酿、1，5-二径基蔥酿和1，2, 4-Ξ径基蔥酿 等是特别优选的。
[0198] 电子受体化合物可与无机颗粒一起分散包含在底涂层中，或可W附着在无机颗粒 的表面而被包含在底涂层中。
[0199] 将电子受体化合物附着至无机颗粒表面的方法的例子包括干法和湿法。 阳200] 干法为运样一种将电子受体化合物附着至无机颗粒表面的方法，其中在用具有高 剪切力的混合机等揽拌无机颗粒的同时，直接或W电子受体化合物溶解于有机溶剂中的溶 液的形式将电子受体化合物滴加到无机颗粒上，或将其与干燥空气或氮气一起喷到无机颗 粒上。电子受体化合物的滴加或喷雾优选在不高于溶剂沸点的溫度下进行。在将电子受体 化合物滴加或喷雾后，可W进一步对无机颗粒在100°cw上的溫度下进行烘烤。烘烤可W在 能够获得所需的电子照相特性的任意溫度和时间下进行，而没有限制。 阳201] 湿法为运样一种将电子受体化合物附着到无机颗粒表面的方法，其中利用揽拌、 超声波、砂磨机、娠磨机、球磨机等将无机颗粒分散于溶剂中，之后添加电子受体化合物，并 进一步揽拌或分散混合物，之后除去溶剂。作为除去溶剂的方法，通过过滤或蒸馈来除去溶 剂。在除去溶剂后，可W进一步对颗粒在l〇〇°CW上的溫度下进行烘烤。烘烤可W在能够获 得所需的电子照相特性的任意溫度和时间下进行，而没有限制。在湿法中，可W在添加表面 处理剂之前除去无机颗粒中所含的水分，并且除去水分的方法的例子包括通过揽拌加热溶 剂中的无机颗粒来除去水分的方法、或通过与溶剂共沸来除去水分的方法。 阳202] 此外，可W在使用表面处理剂对无机颗粒进行表面处理之前或之后进行电子受体 化合物的附着，电子受体化合物的附着也可W与利用表面处理剂进行的表面处理同时进 行。 阳203] 电子受体化合物相对于无机颗粒的含量优选为（例如）0. 01重量％至20重量％， 更优选为0. 01重量％至10重量％。
[0204] 底涂层中使用的粘结剂树脂的例子包括已知材料，例如：已知的高分子化合物如 缩醒树脂（如聚乙締醇缩下醒）、聚乙締醇树脂、聚乙締醇缩醒树脂、酪蛋白树脂、聚酷胺树 月旨、纤维素树脂、明胶、聚氨醋树脂、聚醋树脂、不饱和聚醋树脂、甲基丙締酸树脂、丙締酸树 月旨、聚氯乙締树脂、聚醋酸乙締醋树脂、氯乙締-醋酸乙締醋-马来酸酢树脂、有机娃树脂、 有机娃-醇酸树脂、脈醒树脂、酪树脂、酪醒树脂、Ξ聚氯胺树脂、氨基甲酸乙醋树脂、醇酸 树脂和环氧树脂；错馨合物；铁馨合物；侣馨合物；铁醇盐化合物；有机铁化合物；W及娃 烧偶联剂。 阳205] 底涂层中所用的粘结剂树脂的其它例子包括具有电荷输送基团的电荷输送树脂 和导电性树脂（例如聚苯胺）。 阳206] 其中，不溶于上层的涂布溶剂的树脂适合作为底涂层中所用的粘结剂树脂，并且 特别合适的是：通过热固性树脂反应而得到的树脂，所述热固性树脂例如为脈醒树脂、酪树 月旨、酪醒树脂、Ξ聚氯胺树脂、氨基甲酸乙醋树脂、不饱和聚醋树脂、醇酸树脂和环氧树脂； W及通过使选自由聚酷胺树脂、聚醋树脂、聚酸树脂、甲基丙締酸树脂、丙締酸树脂、聚乙締 醇树脂W及聚乙締醇缩醒树脂构成的组中的至少一种树脂与固化剂反应而得到的树脂。 阳207] 在运些粘结剂树脂W两种或更多种组合使用的情况下，混合比例酌情而定。 阳20引可W在底涂层中加入各种添加剂W提高电特性、环境稳定性或图像质量。
[0209] 添加剂的例子包括已知的材料，例如，多环缩合型或偶氮型电子传输颜料、错馨合 物、铁馨合物、侣馨合物、铁醇盐化合物、有机铁化合物和硅烷偶联剂。还可W将用于上述无 机颗粒的表面处理的硅烷偶联剂加入到底涂层中作为添加剂。
[0210] 作为添加剂的硅烷偶联剂的例子包括乙締基Ξ甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙 基-Ξ (2-甲氧基乙氧基）硅烷、2-(3,4-环氧环己基）乙基Ξ甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧 基丙基二甲氧基硅烷、乙締基二乙酷氧基硅烷、3-琉基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二 乙氧基硅烷、N-2-(氨乙基）-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基）-3-氨基丙基甲基 甲氧基硅烷、N, N-双（2-径乙基）-3-氨基丙基二乙氧基硅烷和3-氯丙基二甲氧基硅烷。 阳211] 错馨合物的例子包括下醇错、乙酷乙酸乙醋错、Ξ乙醇胺错、乙酷丙酬下醇错、乙 酷乙酸乙醋下醇错、醋酸错、草酸错、乳酸错、麟酸错、辛酸错、环烧酸错、十二酸错、硬脂酸 错、异硬脂酸错、甲基丙締酸下醇错、硬脂酸下醇错和异硬脂酸下醇错。
[0212] 铁馨合物的例子包括铁酸四异丙醋、铁酸四正下醋、铁酸下醋二聚物、四（2-乙基 己基）铁酸醋、乙酷丙酬铁、聚乙酷丙酬铁、辛二醇铁、乳酸铁的锭盐、乳酸铁、乳酸铁的乙 基醋、Ξ乙醇胺铁和聚硬脂酸径基铁。
[0213] 侣馨合物的例子包括异丙醇侣、二异丙醇单下氧基侣、下醇侣、二乙基乙酷乙酸二 异丙醇侣和Ξ(乙基乙酷乙酸）侣。
[0214] 运些添加剂可W单独使用，或作为两种或更多种添加剂的混合物或缩聚物使用。
[0215] 底涂层的维氏硬度优选为35 W上。
[0216] 将底涂层的表面粗糖度（微观不平度十点高度（ten point hei曲t of irregularities))调节在（l/4)n λ 至（1/2) λ 的范围内，W抑制莫尔图像（moire image), 其中λ表示用于曝光的激光的波长，η表示上层的折射率。
[0217] 为了调节表面粗糖度，可W将树脂颗粒等加入到底涂层中。树脂颗粒的例子包括 有机娃树脂颗粒和交联聚甲基丙締酸甲醋树脂颗粒。另外，为了调节表面粗糖度，可W对底 涂层的表面进行抛光。抛光方法的例子包括打磨抛光、喷砂处理、湿式巧磨和磨削处理。 [021引对底涂层的形成没有特别限制，使用那些已知的形成方法。然而，例如，底涂层的 形成通过W下方式来进行：使底涂层形成用涂布液（该涂布液是通过将上述组分加入到溶 剂中而获得的）形成涂膜，并干燥涂膜，之后根据需要进行加热。
[0219] 用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂的例子包括醇溶剂、芳族控溶剂、面代控溶 剂、酬溶剂、酬醇溶剂、酸溶剂和醋溶剂。 阳220] 运些溶剂的具体例子包括常见的有机溶剂，如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正下 醇、节醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酬、甲乙酬、环己酬、醋酸甲醋、醋酸乙醋、醋酸正下 醋、二氧六环、四氨巧喃、二氯甲烧、氯仿、氯苯和甲苯。 阳221] 在底涂层形成用涂布液的制备中用于分散无机颗粒的方法的例子包括已知的方 法，例如使用漉磨机、球磨机、振动式球磨机、娠磨机、砂磨机、胶体磨和涂料振动器等的方 法。
[0222] 底涂层的膜厚度优选设定为（例如）15 μηι W上的范围，更优选20 μηι至50 μηι。 阳223] 中间层
[0224] 尽管未在图中示出，但是可W在底涂层和感光层之间设置中间层。
[0225] 中间层为（例如）包括树脂的层。中间层中所用的树脂的例子包括诸如缩醒树脂 (如聚乙締醇缩下醒）、聚乙締醇树脂、聚乙締醇缩醒树脂、酪蛋白树脂、聚酷胺树脂、纤维 素树脂、明胶、聚氨醋树脂、聚醋树脂、甲基丙締酸树脂、丙締酸树脂、聚氯乙締树脂、聚乙酸 乙締醋树脂、氯乙締-乙酸乙締醋-马来酸酢树脂、有机娃树脂、有机娃-醇酸树脂、酪醒树 脂和Ξ聚氯胺树脂等高分子化合物。
[0226] 中间层可W是包括有机金属化合物的层。中间层中所用的有机金属化合物的例子 包括含有诸如错、铁、侣、儘和娃等金属原子的有机金属化合物。 阳227] 中间层中所用的运些化合物可W单独使用，或者作为多种化合物的混合物或缩聚 物使用。
[0228] 其中，包含含有错原子或娃原子的有机金属化合物的层是优选的。
[0229] 对中间层的形成没有特别限定，使用那些已知的形成方法。然而，例如，中间层的 形成通过W下方式来进行：使中间层形成用涂布液（所述涂布液是通过将上述组分加入到 溶剂中而获得的）形成涂膜，并干燥涂膜，之后根据需要进行加热。
[0230] 作为用于形成中间层的涂布方法，可使用常规的方法，例如浸涂法、挤出涂布法、 线棒涂布法、喷涂法、刮涂法、刀片涂布法和帘涂法。 阳23U 中间层的膜厚度优选设定为（例如）〇. 1 μπι至3 μηι的范围。此夕F，可W将中间层 用作底涂层。 阳2巧 电荷产生层 阳233] 电荷产生层为（例如）包含电荷产生材料和粘结剂树脂的层。此外，电荷产生层 可为电荷产生材料的沉积层。电荷产生材料的沉积层适合于使用发光二极管（LED)和有机 电致发光巧L)图像阵列等非相干光源的情况。 阳234] 电荷产生材料的例子包括：偶氮颜料，如双偶氮颜料和Ξ偶氮颜料；稠合芳控颜 料，如二漠蔥嵌蔥酬（dibromoantant虹one)颜料；二糞嵌苯颜料；化咯并化咯颜料；献菁颜 料；氧化锋；和Ξ角砸。
[0235] 其中，为了对应于近红外区的激光曝光，优选使用金属献菁颜料或非金属献菁颜 料作为电荷产生材料，特别地，更优选使用径基嫁献菁；氯嫁献菁；二氯献菁锡；和氧铁献 菁等。 阳236] 另一方面，为了对应于近紫外区的激光曝光，作为电荷产生材料，优选的是：稠合 芳控颜料，如二漠蔥嵌蔥酬；硫說颜料；四氮杂化嘟（po巧hyrazine)化合物；氧化锋；Ξ角 砸；双偶氮颜料；等等。 阳237] 在使用发光中屯、波长为450皿至780皿的L邸和有机化图像阵列等非相干光源 的情况下，可使用上述电荷产生材料，但是从分辨率的角度来看，在感光层W厚度为20 μm w下的薄膜的形式使用的情况下，感光层中的电气强度加强，因此，易于发生从基体注入电 荷而导致的带电减少，或者易于形成被称为所谓的黑点的图像缺陷。当使用了诸如Ξ角砸 和献菁颜料等P型半导体运样的容易产生暗电流的电荷产生材料时，运种现象变得明显。
[0238] 就运点而言，在使用稠合芳控颜料、二糞嵌苯颜料、偶氮颜料等η型半导体作为电 荷产生材料时，不易产生暗电流，并且即使是在W薄膜形式使用的情况下也可抑制被称为 黑点的图像缺陷。η型电荷产生材料的例子包括JP-A-2012-155282中第[028引至[0291] 段中所述的化合物（CG-1)至（CG-27)，但不限于此。
[0239] 此外，η型的确定可W如下进行：采用通常使用的飞行时间法（time-of-fli曲t method),通过光电流的极性来进行确定，将与空穴相比电子作为载流子更容易流出的类型 定为η型。
[0240] 用于电荷产生层的粘结剂树脂可选自范围广泛的绝缘树脂，此外该粘结剂树脂也 可W选自有机光电导性聚合物，如聚-Ν-乙締基巧挫、聚乙締基蔥、聚乙締基巧和聚硅烷。 阳241] 粘结剂树脂的例子包括聚乙締醇缩下醒树脂、聚芳醋树脂（如双酪和芳族二价簇 酸的缩聚物等）、聚碳酸醋树脂、聚醋树脂、苯氧基树脂、氯乙締-醋酸乙締醋共聚物、聚酷 胺树脂、丙締酸树脂、聚丙締酷胺树脂、聚乙締基化晚树脂、纤维素树脂、氨基甲酸乙醋树 月旨、环氧树脂、酪素、聚乙締醇树脂和聚乙締基化咯烧酬树脂。术语"绝缘性"在此是指体积 电阻率为10" Ω · cm W上。 阳242] 运些粘结剂树脂可单独使用，或者作为两种或多种的混合物使用。
[0243] 此外，W重量比计，电荷产生材料与粘结剂树脂的混合比优选为10:1至1:10的范 围。 阳244] 此外，还可向电荷产生层中加入已知的添加剂。 阳245] 对电荷产生层的形成没有特别的限制，可使用已知的形成方法。然而，例如可通过 如下方式来形成电荷产生层：使电荷产生层形成用涂布液（所述涂布液是通过将上述组分 加入到溶剂中而获得的）形成涂膜，并干燥涂膜，然后根据需要进行加热。此外，还可通过 沉积电荷产生材料来形成电荷产生层。通过沉积来形成电荷产生层尤其适合于将稠合芳控 颜料或二糞嵌苯颜料用作电荷产生材料的情况。 阳246] 用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂的例子包括甲醇、乙醇、正丙醇、正下 醇、节醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酬、甲乙酬、环己酬、醋酸甲醋、醋酸正下醋、二氧六 环、四氨巧喃、二氯甲烧、氯仿、氯苯和甲苯。运些溶剂可W单独使用，或者作为其两种或更 多种的混合物使用。 阳247] 关于将颗粒（例如，电荷产生材料）分散于电荷产生层形成用涂布液中的方法，例 如可使用：介质分散机，如球磨机、振动球磨机、娠磨机、砂磨机和邸式砂磨机；或者无介质 分散机，如揽拌机、超声分散机、漉磨机、或高压均质器。高压均质器的例子包括：通过在高 压下使分散液撞击液体或撞击壁W将颗粒分散的碰撞系统；W及通过在高压状态下使分散 液穿过微细的流路从而将颗粒分散的贯穿系统（penetration system)。
[0248] 此外，在分散过程中，有效的是，电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的平 均粒径为0. 5μπι W下，优选为0. 3μπι W下，更优选为0. 15μπι W下。 悦49] 电荷产生层的膜厚优选设定为（例如）0. Ιμπι至5.0μπι，更优选为0.2μπι至 2. 0 μ m〇 阳250] 电荷传输层 阳251] 电荷传输层为（例如）包含电荷传输材料和粘结剂树脂的层。电荷传输层还可为 包含聚合物电荷传输材料的层。 阳252] 电荷传输材料的例子包括电子传输化合物，例如：酿系化合物，例如对苯酿、四氯 苯酿、四漠苯酿和蔥酿；四氯基酿二甲烧化合物；巧酬系化合物，如2, 4, 7-Ξ硝基巧酬；氧 杂蔥酬系化合物；二苯酬系化合物；氯基乙締基系化合物；和乙締系化合物。电荷传输材料 的其它例子包括空穴传输化合物，如Ξ芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、芳基烧控系化合 物、芳基取代乙締系化合物、巧系化合物、蔥系化合物W及腺系化合物。运些电荷传输材料 可W单独使用或其两种或更多种组合使用，但并不限于此。 阳253] 从电荷迁移率的角度来看，电荷传输材料优选为由如下式（a-1)表示的Ξ芳基胺 衍生物、W及由如下式（a-2)表示的联苯胺衍生物。 阳巧4]
悦对在上式（a-1)中，Ar"、A/2和Ar TS各自独立地表示取代或未取代的芳 基、-C品-C(RT4) = C(RT5) (R?)、或-CsHa-CH = CH-CH ="护7) (rTs)，并且护4、护5、护6、护嘴 RTS各自独立地表示氨原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。 阳巧6] 上述各基团的取代基的例子包括面素原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1 至5个碳原子的烷氧基。上述各基团的取代基的其它例子包括被具有1至3个碳原子的烧 基取代的取代氨基。 阳巧7]
悦加]在式（a-2)中，R?和R?2各自独立地表示氨原子、面素原子、具有1至5个碳原 子的烷基、或具有1至5个碳原子的烷氧基；护1°1、护1°2、护111和rt"2各自独立地表示面素原 子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、被具有1或2个碳原子的 烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-COT2) = C(rT") (R"4)、或-CH = CH-CH = C(R"5) 妒6);护12、护3、护4、rTI郝rT16各自独立地表示氨原子、取代或未取代的烷基、或者取代或 未取代的芳基；并且Tml、Tm2、Tnl和Τη2各自独立地表示0至2的整数。 阳巧9] 上述各基团的取代基的例子包括面素原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1 至5个碳原子的烷氧基。上述各基团的取代基的其它例子包括被具有1至3个碳原子的烧 基取代的取代氨基。
[0260] 运里，在由式（a-1)表示的Ξ芳胺衍生物和由式（a-2)表示的联苯胺衍生物中，从 电荷迁移率的角度考虑，特别优选具有"-C品-CH = CH-CH = C(R")(护8)"的；芳胺衍生物 和具有"-CH = CH-CH = C(R"5) (R?)"的联苯胺衍生物。 阳261]作为聚合物电荷传输材料，使用已知的具有电荷传输性的材料，如聚-N-乙締基 巧挫和聚硅烷。特别优选聚醋系聚合物电荷传输材料。此外，聚合物电荷传输材料可W单 独使用，或者与粘结剂树脂组合使用。 阳262] 用于电荷传输层中的粘结剂树脂的例子包括：聚碳酸醋树脂、聚醋树脂、聚芳醋树 月旨、甲基丙締酸树脂、丙締酸树脂、聚氯乙締树脂、聚偏二氯乙締树脂、聚苯乙締树脂、聚乙 酸乙締醋树脂、苯乙締-下二締共聚物、偏二氯乙締-丙締腊共聚物、氯乙締-醋酸乙締醋 共聚物、氯乙締-醋酸乙締醋-马来酸酢共聚物、有机娃树脂、有机娃醇酸树脂、酪醒树脂、 苯乙締-醇酸树脂、聚N-乙締基巧挫、和聚硅烷。其中，聚碳酸醋树脂和聚芳醋树脂是合适 的。运些粘结剂树脂可单独使用，或者两种或多种组合使用。 阳263] 此外，W重量比计，电荷传输材料和粘结剂树脂的共混比优选为10:1至1:5。 阳264] 另外，电荷传输层中可W包含已知的添加剂。 阳2化]对电荷传输层的形成方法没有特别限定，可W使用已知的形成方法。然而，例如， 电荷传输层的形成通过W下方式进行：使电荷传输层形成用涂布液（所述涂布液是通过将 上述组分加入到溶剂中而获得的）形成涂膜，并干燥该涂膜，然后根据需要进行加热。 阳％6] 用于电荷传输层形成用涂布液的溶剂的例子包括常用的有机溶剂，如芳族控类， 如苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酬类，如丙酬和2-下酬；脂肪族面代控类，如二氯甲烧、氯仿和 二氯乙烧；W及环状或直链状的酸类，如四氨巧喃和乙酸。运些溶剂可W单独使用，或者W 其两种或多种组合使用。
[0267] 电荷传输层的膜厚度优选设为5 μηι至50 μηι的范围，更优选10 μηι至30 μηι。 悦側保护层 阳269] 根据需要在感光层上设置保护层。设置保护层的目的（例如）是为了防止在充电 时感光层发生化学变化，或者进一步提高感光层的机械强度。
[0270] 因而，可朗尋由固化膜（交联膜）构成的层用作保护层。作为运些层，例如包括下 述1)或2)所描述的层。 阳271] 1)由组成中含有含反应性基团的电荷传输材料的固化膜构成的层（目Ρ，含有含反 应性基团的电荷传输材料的聚合物或交联物的层），其中该含反应性基团的电荷传输材料 在同一分子中具有反应性基团W及电荷输送骨架， 阳272] 2)由组成中含有非反应性电荷传输材料W及含反应性基团的非电荷传输材料的 固化膜构成的层（即，含有非反应性电荷传输材料W及含反应性基团的非电荷传输材料的 聚合物或交联物的层），其中所述含反应性基团的非电荷传输材料具有反应性基团，而不具 有电荷输送骨架。 阳273] 含反应性基团的电荷传输材料中的反应性基团的例子包括已知反应性基团，如链 聚合性基团、环氧基、-〇H、-〇R(其中R表示烷基）、-畑2、-甜、-C00H、和-SiR"3 〇。(〇护％。（其 中rw表示氨原子、烷基、取代芳基或未取代芳基，rw表示氨原子、烷基、或Ξ烷基甲娃烷基。 化表示1至3的整数）。
[0274] 对链聚合性基团没有特别的限制，只要其为能够自由基聚合的官能团即可。例如， 该链聚合性基团为具有至少包含碳双键的基团的官能团。具体来说，链聚合基团的例子包 括：含有选自乙締基、乙締基酸基、乙締基硫酸基、苯乙締基、丙締酷基、甲基丙締酷基及其 衍生物中的至少一者的基团。其中，从具有优异的反应性的方面来看，链聚合性基团优选是 含有选自乙締基、苯乙締基、丙締酷基、甲基丙締酷基、及其衍生物中的至少一者的基团。 阳275] 对含反应性基团的电荷传输材料的电荷输送骨架没有特别的限制，只要该电荷输 送骨架具有电子照相感光体中已知的结构即可。例如，电荷输送骨架可W是衍生自含氮空 穴传输化合物（例如Ξ芳基胺系化合物、联苯胺系化合物和腺系化合物）的骨架，并且包括 与氮原子共辆的结构。其中，优选Ξ芳基胺化合物骨架。 阳276] 具有反应性基团W及电荷输送骨架的运些含反应性基团的电荷传输材料、非反应 性电荷传输材料和含反应性基团的非电荷传输材料可选自已知材料。 阳277] 作为电荷传输材料，优选由下式（I)表示的化合物。 悦 7引 F-((-R7-X)ni(RS)n3-Y)n2 (D 阳279] 在式讯中，F表示衍生自具有空穴传输性能的化合物的有机基团，R嘴RS分别表 示具有1至5个碳原子数的直链亚烷基或支链亚烷基，nl表示0或1，n2表示1至4的整数， 并且n3表示0或1。X表示氧、畑或硫原子，并且Y表示-〇山-〇邸3、-畑2、-甜或-〇)(^(已 经包括在反应性基团中）。
[0280] 作为有机基团（所述有机基团由式（I)中的F表示且衍生自具有传输性能的化合 物）中具有空穴传输性能的化合物，适当的是，包括芳基胺衍生物。作为芳基胺衍生物，适 当的是，包括Ξ苯胺衍生物和四苯基联苯胺衍生物。 阳2川作为由式讯表示的化合物的具体例子，包括如下所示的化合物（1-1)至（1-31)。 由式（I)表示的化合物不限于运些化合物。 阳282]
阳283]
阳284]
阳285] 另外，保护层可包含已知的添加剂。例如，保护层可包含含氣颗粒。对形成含氣颗 粒的材料没有特别限定，只要该材料是含有氣原子的树脂即可。例如，该材料可W由选自四 氣乙締树脂（PTFE)、Ξ氣氯乙締树脂、六氣丙締树脂、氣乙締树脂、偏二氣乙締树脂、二氣二 氯乙締树脂和运些物质的共聚物中的一种或两种或多种形成。在运些氣树脂中，优选四氣 乙締树脂或偏二氣乙締树脂，并且特别优选四氣乙締树脂。 阳286] 对保护层的形成没有特别的限制，可使用已知的形成方法。例如，可使用保护层形 成用涂布液来形成涂膜，其中该保护层形成用涂布液是通过将上述成分加入溶剂中而获得 的。将涂膜干燥，并根据需要进行诸如加热等固化处理。 阳287] 用于制备保护层形成用涂布液的溶剂的例子包括芳族溶剂，例如甲苯和二甲苯； 酬类溶剂，例如甲基乙基酬、甲基异下基酬和环己酬；醋类溶剂，例如乙酸乙醋和乙酸下醋； 酸类溶剂，例如四氨巧喃和二嗯烧；溶纤剂类溶剂，例如乙二醇单甲酸；醇类溶剂，例如异 丙醇和下醇；等等。运些溶剂可单独使用、或者两种或更多种组合使用。 阳28引保护层形成用涂布液可为不含溶剂的涂布液。 阳289] 保护层的膜厚度优选设定在（例如）1 μ m至20 μ m的范围内，更优选设定在2 μ m 至10 μ m的范围内。 阳290] 单层型感光层 阳291] 单层型感光层（电荷产生层/电荷传输层）（例如）为含有电荷产生材料和电荷 传输材料，并且根据需要还包含粘结剂树脂和其它已知添加剂的层。运些材料与针对电荷 产生层和电荷传输层所描述的那些材料类似。 阳292] 此外，单层型感光层中的电荷产生材料的含量相对于全部的固形物优选为10重 量％至85重量％，更优选为20重量％至50重量％。此外，单层型感光层中的电荷传输材 料的含量相对于全部的固形物优选为5重量％至50重量％。 阳293] 单层型感光层的形成方法与电荷产生层或电荷传输层的形成方法相同。 阳巧4] 单层型感光层的膜厚度（例如）可W优选为5 μηι至50 μηι，更优选为10 μηι至 40 μ m。 阳295] 示例性实施方案中的电子照相感光体的有机层的结构可W至少具有感光层。然 而，例如，电子照相感光体的有机层的结构和与充电部件接触的区域中的有机层的平均总 膜厚d优选具有如下关系。 阳296] 当电子照相感光体从导电性基体侧起包括底涂层和具有电荷产生层和电荷传输 层的感光层作为有机层时，从充电特性、磨损寿命、生产性或材料成本的角度出发，有机层 的平均总膜厚d优选在20 μ m至70 μ m的范围内。
[0297] 当电子照相感光体从导电性基体侧起包括底涂层、电荷产生层、电荷传输层和保 护层作为有机层时，从充电特性、磨损寿命、生产性或材料成本的角度出发，有机层的平均 总膜厚d优选在20 μ m至60 μ m的范围内。 阳29引当电子照相感光体包括单层型感光层作为有机层时，从充电特性、磨损寿命、生产 性或材料成本的角度出发，有机层的平均总膜厚d优选在15 μ m至40 μ m的范围内。 阳299] 作为根据示例性实施方案的成像装置，采用已知的成像装置：包括定影单元的装 置，该定影单元将已转印至记录介质表面的调色剂图像定影；直接转印型装置，其将形成于 电子照相感光体表面上的调色剂图像直接转印至记录介质上；中间转印型装置，其将形成 于电子照相感光体表面上的调色剂图像一次转印至中间转印部件的表面上，然后将已一次 转印至中间转印部件表面上的调色剂图像二次转印至记录介质的表面上；包括清洁单元的 装置，该清洁单元在充电之前在电子照相感光体的表面上进行清洁；包括除电单元的装置， 在调色剂图像转印之后、充电之前，该除电单元利用除电光照射电子照相感光体的表面W 进行除电；包括电子照相感光体的加热部件的装置，该加热部件用于提高电子照相感光体 的溫度从而降低相对溫度。
[0300] 在中间转印型装置的情况中，对于转印单元，例如应用包括W下部件的构造：中间 转印部件，调色剂图像被转印至该中间转印部件的表面上；一次转印单元，其将形成于图像 保持部件的表面上的调色剂图像一次转印至中间转印部件的表面上；和二次转印单元，其 将已转印至中间转印部件的表面上的调色剂图像二次转印。 阳301] 根据示例性实施方案的成像装置可为干式显影型成像装置和湿式显影型（使用 液体显影剂的显影类型）成像装置中的任意一种。
[0302] 在根据示例性实施方案的成像装置中，例如，包括电子照相感光体、充电部件和清 洁部件的部分可为能够从成像装置上拆卸下来的盒结构（处理盒）。除了电子照相感光体、 充电部件和清洁部件之外，该处理盒可包括选自由（例如）静电潜像形成单元、显影单元和 转印单元构成的组中的至少一者。 阳303] 图7是示出了根据示例性实施方案的成像装置的另一个例子的示意性构造图。 阳304] 图7中示出的成像装置120为其中安装有4个处理盒300的串联型多色成像装置。 在成像装置120中，在中间转印部件50上平行设置了 4个处理盒300,并且每个处理盒300 都具有使用了指定有一种颜色的一个电子照相感光体的构造。除了其为串联型W外，成像 装置120可具有与成像装置100类似的构造。 阳305] 例子 阳306] 下面将描述实施例和比较例。然而，本发明的示例性实施方案不限于W下实施例。 阳307] 涂布液的制备 阳30引底涂层形成用涂布液的制备 阳309] 将100重量份的氧化锋（平均粒径：70皿，由化yea Co巧oration制造，比表面积 值：15mVg)与500重量份的四氨巧喃揽拌混合。加入1. 25重量份的KBM603 (由化in-Etsu 化emical Co.，Ltd制造）作为硅烷偶联剂并揽拌2小时。然后，在减压下对四氨巧喃进行 蒸馈从而将其蒸馈除去。在12(TC下烘烤3小时，由此获得硅烷偶联剂表面处理的氧化锋颗 粒。
[0310] 将60重量份的经过表面处理的氧化锋颗粒、0. 6重量份的茜素、13. 5重量份的作 为固化剂的封端异氯酸醋（Sumidur 3173,由 Sumitomo Bayer urethane Co巧oration 制 造）和15重量份的下缩醒树脂（S-LEC BM-1，由Sekisui chemical Co. ,Ltd.制造）溶于 85重量份的甲基乙基酬中，由此获得溶液。将38重量份的该溶液和25重量份的甲基乙基 酬彼此混合，并将混合获得的混合物使用直径为1mm的玻璃珠在砂磨机中分散4小时。由 此获得了分散液。 阳311] 将0. 005重量份的作为催化剂的二月桂酸二辛基锡和4. 0重量份的有机娃树脂颗 粒（Tospearl 145,由 Momentive Performance Materials Inc.制造）加入到所获得的分 散液中，从而获得了底涂层形成用涂布液。
[0312] 电荷产生层形成用涂布液的制备
[0313] 将2.5重量份的氯嫁献菁（其在X射线衍射光谱中在7.4°、16.6°、25.5° 和28. 3°的布拉格角（2 Θ ±0. 2° )处具有强衍射峰）和2. 5重量份的聚乙締醇缩下醒 (S-LEC BM-S，由Sekisui chemical Co. , Ltd.制造）混合于95重量份的环己酬中，将混合 而获得的混合物与直径为1mm的玻璃珠一起在油漆揽拌器中分散1小时。由此获得了固形 物浓度约为5. ο重量％的电荷产生层形成用涂布液。
[0314] 电荷传输层形成用涂布液的制备
[0315] 电荷传输层形成用涂布液1 层感光体用
[0316] 将1重量份的四氣乙締树脂颗粒、0.02重量份的氣接枝的聚合物、5重量份的四氨 巧喃和2重量份的甲苯充分揽拌混合，由此获得了四氣乙締树脂颗粒悬浮液。 阳317] 之后，将4重量份的作为电荷传输材料的Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-双（3-甲基苯 基）-[1，Γ ]联苯基-4, 4'-二胺与6重量份的双酪Ζ型聚碳酸醋树脂（粘均分子量40, 000) 混合并溶于含有23重量份四氨巧喃和10重量份甲苯的溶剂中。之后，向其中加入四氣乙 締树脂颗粒悬浮液并揽拌混合，然后使用其中安装有具有微细流路的贯穿型室的高压均质 器（由化nomizer Inc.制造，产品名：LA-33巧将压力提高至400k奸/畑12化92X10 ipa)的 分散处理重复六次，由此获得了四氣乙締树脂颗粒分散液。混合0. 2重量份的2, 6-二叔下 基-4-甲基苯酪，由此获得电荷传输层形成用涂布液1。
[0318] 电荷传输层形成用涂布液2 :具有保护层的四层感光体用
[0319] 将42重量份的N，Ν' -双（3-甲基苯基）-N，Ν' -二苯基联苯胺和58重量份的双酪 Ζ型聚碳酸醋树脂灯S2050,粘均分子量50, 000,由Teijin Ltd.制造）溶解并混合于含有 280重量份的四氨巧喃和120重量份的甲苯的溶剂中。由此获得了电荷传输层形成用涂布 液2。
[0320] 保护层形成用涂布液的制备 阳321] 混合64重量份的PT阳颗粒（LUBR0N心2,平均粒径：0. 2 μL?，由Da化in In化stries, Ltd.制造）、3. 2重量份的分散助剂（含氣梳型接枝聚合物GF400,由Toagosei Co.，Ltd.制造）和333重量份的环戊酬。用超声波振荡30分钟，然后将振荡所得物在 Nanomizer中分散。由此制备了含有16重量％的含氣颗粒（PT阳颗粒）的分散液。 阳322] 然后，混合下列组分并由此制备得到保护层形成用涂布液。 阳323] 含氣颗粒分散液：17. 8重量份
[0324] 电荷传输材料：35重量份 阳325] 热固性树脂（苯并脈胺）：2. 1重量份 阳326] 氧化抑制剂灯ris-TPM:双（4-二乙氨基-2-甲基苯基）-(4-二乙氨基苯基）-甲 烧）：0. 2重量份 阳327]催化剂（NACURE5225,由 King Industries Inc.制造）：0.7 重量份 阳32引环戊酬：27. 7重量份 阳329] 环戊醇：18. 5重量份 阳330] 作为电荷传输材料，W 50/50的混合比（重量份）使用上述化合物（1-10)和 (1-25)〇 阳331] 单层型感光层形成用涂布液的制备 阳332] 将50重量份的作为粘结剂树脂的双酪Z型聚碳酸醋树脂（粘均分子量：50, 000) 和40重量份的作为空穴传输材料的N，Ν' -二苯基-N，Ν' -双（3-甲基苯基）-1，Γ -联苯 基-4, 4' -二胺溶于含有250重量份的四氨巧喃和250重量份的甲苯的溶剂中，由此获得感 光层形成用涂布液Ρ'。 阳333] 将1. 5重量份的作为电荷产生材料的V型径基嫁献菁颜料、50重量份的作为粘结 剂树脂的双酪z型聚碳酸醋树脂（粘均分子量：50, 000)、11. 5重量份的作为具有w下结构 的电子传输材料的3, 3' -二叔戊基-联糞酿、37重量份的作为空穴传输材料的N，Ν' -联苯 基-Ν，Ν' -双（3-甲基苯基）-1，Γ -联苯基-4, 4' -二胺、250重量份的作为溶剂的四氨巧喃 和250重量份的甲苯混合，由此获得混合物。该V型径基嫁献菁颜料在使用化Κ α特征X射 线的X射线衍射光谱中在至少7. 3°、16.0°、24.9°和28.0。的布拉格角（2Θ+0. 2° ) 的位置处具有衍射峰。将该混合物与分散处理前的感光层形成用涂布液Ρ'混合，并使用直 径为1化瓜卿的玻璃珠在DYNO磨中将所得的混合物分散4小时。由此获得了单层型感光层 形成用涂布液Ρ。
[0334] 电子照相感光体的制造
[0335] 通过使用如上所述制备的各涂布液来制备W下例子中描述的电子照相感光体。通 过使用前文所述的方法来测量各层的厚度和全部有机层的厚度（总膜厚）。 阳336] 实施例1 阳337] 底涂层形成工序 阳33引通过连续喷墨法将底涂层形成用涂布液涂布到直径为30mm、长度为340mm、厚度 为1mm的圆筒状侣基材（导电性基体）上。然后，在18(TC下进行干燥固化100分钟。W喷 墨头部的移动速度在轴向上的两个端部（涂布开始时和涂布结束时）减小的方式使涂布所 形成的膜图案化，由此形成了轴向上的中屯、部的厚度为22. 8 μπι的底涂层。成膜条件如下。 阳339] 头部的喷嘴数：7 阳34〇] 喷嘴直径：φ22.5 μηι 阳341] 喷嘴间的距离：0.5mm 阳34引一个喷嘴的流速：0. 3ml/min 阳34引 压电驱动：正弦波65. 0曲Z
[0344] 施加电压：3.0V
[0345] 间隙（喷嘴板面和圆筒状基材之间的距离）：10mm 阳346] 头部倾斜角：80.0°
[0347] 头部移动速度（当在恒定速度下成膜时）：156. 8mm/min
[0348] 基材旋转速度：224;rpm
[0349] 电荷产生层形成工序 阳350] 通过连续喷墨法将电荷产生层形成用涂布液涂布到底涂层上。然后，在120°C下加 热干燥8分钟，由此形成了厚度为0. 2 μπι的电荷产生层。成膜条件如下。 阳351] 头部的喷嘴数：4 阳352] 喷嘴直径：巧10 μ猫 阳35引 喷嘴间的距离：1mm 阳354] -个喷嘴的流速：0. 05ml/min 阳355] 压电驱动：正弦波65. 0曲Z 阳356] 施加电压：3.0V 阳357] 间隙：1mm 阳35引 头部倾斜角：80.0° 阳359] 头部移动速度：286. Imm/min
[0360] 基材旋转速度：411. 9巧m 阳361] 电荷传输层形成工序 阳362] 通过连续喷墨法将电荷传输层形成用涂布液1涂布到已经形成了电荷产生层的 基材上。然后，在135°C下干燥40分钟，由此形成了厚度为37μπι的电荷传输层。涂布条件 如下。 阳363] 头部的喷嘴数：4 [0364]喷嘴直径：(p26,5 jam 阳3化]喷嘴间的距离：1mm 阳366] -个喷嘴的流速：0. 65ml/min 阳367] 压电驱动：正弦波41. 3曲Z
[0368] 施加电压：3.0V 阳369] 液滴溫度：60°C 阳370] 间隙：10mm 阳371] 头部倾斜角：87°
[0372] 头部移动速度（在恒定速度下成膜时）：140mm/min 阳373] 基材旋转速度：280巧m
[0374] 通过所述工序制备了具有Ξ层结构有机层（轴向上的长度：329mm)的电子照相感 光体。 阳375] 实施例2 阳376] 按照与实施例1同样的方式制备具有Ξ层结构有机层的电子照相感光体，与实施 例1中的不同之处在于，沿着轴向全部W恒定速度形成底涂层，并且W喷墨头部的移动速 度在轴向上的两个端部（从涂布开始时至涂布结束时）降低的方式使电荷传输层图案化。 阳377] 实施例3
[0378] 按照与实施例1同样的方式通过依次形成底涂层、电荷产生层和电荷传输层来制 备具有=层结构有机层的电子照相感光体，与实施例1中的不同之处在于，沿着轴向全部 W恒定速度形成底涂层使得其平均膜厚为22. 8 μ m，使用电荷传输层形成用涂布液2作为 电荷传输层形成用涂布液，并且将头部移动速度变为264mm/min且将基材旋转速度变为 528rpm，由此使得电荷传输层的平均膜厚为18. 5 μπι。 阳3巧]保护层形成工序 阳380] 通过采用连续喷墨法将保护层形成用涂布液涂布到电荷传输层上。然后，在150°C 下干燥30分钟，从而形成厚度约为7 μπι的保护层。W喷墨头部的移动速度在轴向上的两 个端部（涂布开始时至涂布结束时）降低的方式使得涂布所形成的膜图案化。成膜条件如 下。 阳381] 头部的喷嘴数：7 阳382] 喷嘴直径：常U J μ现 阳383] 喷嘴间的距离：0. 5mm 阳384] -个喷嘴的流速：0. 07ml/min 阳385] 压电驱动：正弦波65. Ο曲z 阳386] 施加电压：3.0V 阳387] 间隙：1mm 阳38引 头部倾斜角：80. 0。 阳389] 头部移动速度：232. 4mm/min 阳390] 基材旋转速度：764. 4巧m 阳391] 实施例4 阳392] 按照与实施例1同样的方式通过依次形成底涂层、电荷产生层和电荷传输层来制 备具有=层结构有机层的电子照相感光体，与实施例1中的不同之处在于，在电荷传输层 的形成过程中，通过降低喷墨头部的移动速度使得在两个端部处进行图案成膜，并且将两 个端部处的厚度调节为40 μ m。 阳393] 实施例5 阳394] 按照与实施例3同样的方式进行图案成膜，不同之处在于，按照与实施例4同样的 方式形成底涂层和电荷产生层，并且W喷墨头部的移动速度在轴向上的两个端部（涂布开 始时至涂布结束时）降低的方式使电荷传输层图案化。按照与实施例3同样的方式将保护 层在电荷传输层上图案成膜，由此制得具有四层结构有机层的电子照相感光体。 阳3巧]实施例6
[0396] 使用单层型感光层形成用涂布液P在直径为30mm、长度为340mm、厚度为1mm的圆 筒状侣基材（导电性基体）上将单层型感光层图案成膜，由此制备了单层型电子照相感光 体。该单层型感光层的成膜条件与实施例1中电荷传输层的成膜条件类似，不同之处在于， 通过降低喷墨头部在两个端部的移动速度来进行图案成膜。
[0397] 比较例1 阳39引按照与实施例4同样的方式制备具有Ξ层结构有机层的电子照相感光体，与实施 例4中的不同之处在于，在底涂层和电荷传输层的图案成膜时，改变在两个端部处形成的 图案。
[0399] 比较例2
[0400] 电子照相感光体的制造
[0401] 通过浸涂法依次进行涂布并进行干燥，由此底涂层、电荷产生层和电荷传输层依 次形成在圆筒状的侣基体（导电性基体）上。
[0402] 底涂层形成工序
[0403] 通过浸涂法将底涂层形成用涂布液涂布在直径为30mm、长度为340mm、厚度为1mm 的圆筒状侣基材（导电性基体）上。之后，在160°C下进行干燥固化100分钟。
[0404] 将基体的升高速度设为160mm/分钟并使基体沿轴向升高，W此方式进行涂布。当 在基体的上端部（涂布开始时）形成涂膜时，调节升高速度并形成涂膜。
[0405] 在升高后，擦掉下端部的涂膜。干燥后，获得在轴向上的中屯、部的厚度为22.8 μπι 的底涂层。
[0406] 电荷产生层形成工序
[0407] 通过浸涂法将电荷产生层形成用涂布液涂布到已经形成了底涂层的基材上。然 后，在120°C下加热干燥8分钟，由此形成了厚度为0. 2 μπι的电荷产生层。将基体的升高速 度设为150mm/分钟，W此方式进行涂布。升高后，擦掉下端部的涂膜。 阳40引电荷传输层形成工序
[0409] 通过浸涂法将电荷传输层形成用涂布液1涂布到已经形成了电荷产生层的基材 上。然后，在115°C下干燥40分钟，由此形成了厚度为37 μm的电荷传输层。
[0410] 将基体的升高速度设为200mm/分钟并使基体沿轴向升高，W此方式进行涂布。当 在基体的上端部（涂布开始时）形成涂膜时，调节升高速度并形成涂膜。
[0411] 比较例3
[0412] W与比较例2同样的方式，通过浸涂法在侣基材上形成底涂层和电荷产生层。
[0413] 电荷传输层形成工序
[0414] 通过浸涂法将电荷传输层形成用涂布液2涂布到已经形成了电荷产生层的基材 上。然后，在115°C下干燥40分钟，由此形成了厚度为18. 5 μπι的电荷传输层。
[0415] 将基体的升高速度设为120mm/分钟并使基体沿轴向升高，W此方式进行涂布。当 在基体的上端部（涂布开始时）形成涂膜时，调节升高速度并形成涂膜。
[0416] 保护层形成工序
[0417] 通过浸涂法将保护层形成用涂布液涂布到电荷传输层上。然后，在150°C下干燥 30分钟，由此形成厚度约为7 μπι的保护层。将基体的升高速度设为150mm/分钟并使基体 沿轴向升高，W此方式进行涂布。当在基体的上端部（涂布开始时）形成涂膜时，调节升高 速度并形成涂膜。
[0418] 比较例4
[0419] 采用浸涂法将单层型感光层形成用涂布液P成形为具有图案，W此方式在直径为 30mm、长度为340mm、厚度为1mm的圆筒状侣基材（导电性基体）上将单层型感光层图案成 膜，由此制备了单层型电子照相感光体。将基体的升高速度设为150mm/分钟并使基体沿轴 向升高，W此方式进行涂布。当在基体的上端部（涂布开始时）形成涂膜时，调节升高速度 并形成涂膜。
[0420] 关于各例子中制得的电子照相感光体，在下表1中示出了除电荷产生层之外的有 机层的成膜条件。 阳421] 表1
[0422]
阳42引评价
[0424] 将上述各例子中制得的电子照相感光体安装在单色显影系统的台式机中，并进行 300X1，000循环的复印。W此方式观察因感光体轴向端部处的泄漏而导致的图像缺陷（印 刷样品上的带状线）的出现。 阳42引在全部的例子中，充电漉和清洁刮刀均具有W下构造。 阳伯6] 充电漉
[0427] 与感光体的接触区域的材料：其中分散有导电剂的聚酷胺树脂
[042引轴向上的表面层长度（与感光体的接触区域的长度）：312mm
[0429] 清洁刮刀
[0430] 与感光体的接触区域的材料：聚氨醋橡胶
[0431] 刮刀的宽度（与感光体的接触区域的长度）：316mm
[0432] 电子照相感光体中的有机层的总膜厚、区域A在轴向上的长度a、区域B在轴向上 的长度b W及评价结果在下表2中示出。区域A是从电子照相感光体和充电部件的接触区 域的端部至电子照相感光体和清洁部件的接触区域的端部的区域。区域B是从电子照相感 光体与清洁部件的接触区域的端部至有机层的最大总膜厚部的区域。
[0433]
[0434] 提供对本发明示例性实施方案的上述描述是为了举例和说明。并非旨在穷举或将 本发明限制为所公开的精确形式。明显地，对于本领域技术人员而言，许多变型和修改将是 显而易见的。选择并描述运些实施方案为的是更好地说明本发明的原理及其实际应用，从 而使得本领域技术人员理解本发明的多种实施方案，并且其多种变型适用于所预期的特定 用途。本发明的范围旨在通过所附权利要求及其等同形式来限定。
【主权项】
1. 一种成像装置，包括： 电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层的有 机层； 充电部件，其接触所述电子照相感光体的表面并且对所述电子照相感光体的表面进行 充电； 静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像； 显影单元，其利用包含调色剂的显影剂将形成于所述电子照相感光体的表面上的静电 潜像显影，以形成调色剂图像； 转印单元，其将所述调色剂图像转印到记录介质的表面上；以及 清洁部件，其接触所述电子照相感光体的表面从而在所述电子照相感光体的表面上进 行清洁， 其中在所述电子照相感光体的轴向上，所述电子照相感光体和所述清洁部件的接触区 域比所述电子照相感光体和所述充电部件的接触区域宽， 在所述电子照相感光体的轴向上的两个端部处的最大总膜厚部分别被包括在不与所 述清洁部件接触的区域中，其中在所述最大总膜厚部，所述有机层的总膜厚变为最大，并且 在将位于与所述充电部件接触的区域中的所述有机层的平均总膜厚设为d，将位于不 与所述充电部件接触的区域中且从所述电子照相感光体的轴向上的与所述充电部件接触 的区域的端部至与所述清洁部件接触的区域的端部的区域A中的所述有机层的总膜厚设 为d'，将位于不与所述清洁部件接触的区域中且从所述电子照相感光体轴向上的与所述清 洁部件接触的区域的端部至所述最大总膜厚部的区域B中的所述有机层的总膜厚设为d"， 并且将所述有机层的所述最大总膜厚部的总膜厚设为d"max时，在所述电子照相感光体的 轴向上的两个端部均满足以下所有的关系式（1)至（3): 0· 97 彡 d，/d 彡 1. 03 (1) 0· 97 彡 d'，/d 彡 1. 1 (2) 1. 03 < d" max/d < 1. 1 (3) 〇2. 根据权利要求1所述的成像装置，其中所述关系式（1)满足以下关系： 0· 98 彡 d' /d 彡 1. 02。3. 根据权利要求1所述的成像装置，其中所述关系式（2)满足以下关系： 0· 98 彡 d"/d 彡 1. 05〇4. 根据权利要求1所述的成像装置，其中所述关系式（3)满足以下关系： 1. 03 < d"max/d < 1. 05。5. 根据权利要求1所述的成像装置，其中当将所述区域A在所述电子照相感光体的轴 向上的长度设为a时，满足以下关系： 1mm a 5mm〇6. 根据权利要求1所述的成像装置，其中当将所述区域A在所述电子照相感光体的轴 向上的长度设为a时，满足以下关系： 1mm < a < 3mm〇7. 根据权利要求1或2所述的成像装置，其中当将所述区域B在所述电子照相感光体 的轴向上的长度设为b时，满足以下关系： 0. 1mm b 10mm 〇8. 根据权利要求1或2所述的成像装置，其中当将所述区域B在所述电子照相感光体 的轴向上的长度设为b时，满足以下关系： 0. 1mm b 5mm〇9. 根据权利要求1至3中任一项所述的成像装置，其中所述电子照相感光体从所述导 电性基体侧起包括底涂层和感光层作为有机层，其中所述感光层包括电荷产生层和电荷传 输层，并且 所述有机层的平均总膜厚d在20 μ m至70 μ m的范围内。10. 根据权利要求1至3中任一项所述的成像装置，其中所述电子照相感光体从所述导 电性基体侧起包括底涂层、电荷产生层、电荷传输层和保护层作为有机层，并且 所述有机层的平均总膜厚d在20 μπι至60 μπι的范围内。11. 根据权利要求1至3中任一项所述的成像装置，其中所述电子照相感光体包括单层 型感光层作为有机层，并且 所述有机层的平均总膜厚d在15 μπι至40 μπι的范围内。12. -种处理盒，其能从成像装置上拆卸下来，该处理盒包括： 电子照相感光体，其包括导电性基体和设置在该导电性基体上的至少包含感光层的有 机层； 充电部件，其接触所述电子照相感光体的表面并且对所述电子照相感光体的表面进行 充电；以及 清洁部件，其接触所述电子照相感光体的表面从而在所述电子照相感光体的表面上进 行清洁， 其中在所述电子照相感光体的轴向上，所述电子照相感光体和所述清洁部件的接触区 域比所述电子照相感光体和所述充电部件的接触区域宽， 在所述电子照相感光体的轴向上的两个端部处的最大总膜厚部分别被包括在不与所 述清洁部件接触的区域中，其中在所述最大总膜厚部，所述有机层的总膜厚变为最大， 在将位于与所述充电部件接触的区域中的所述有机层的平均总膜厚设为d，将位于不 与所述充电部件接触的区域中且从所述电子照相感光体的轴向上的与所述充电部件接触 的区域的端部至与所述清洁部件接触的区域的端部的区域A中的所述有机层的总膜厚设 为d'，将位于不与所述清洁部件接触的区域中且从所述电子照相感光体的轴向上的与所述 清洁部件接触的区域的端部至所述最大总膜厚部的区域B中的所述有机层的总膜厚设为 d"，并且将所述有机层的所述最大总膜厚部的总膜厚设为d"max时，在所述电子照相感光 体的轴向上的两个端部均满足以下所有的关系式（1)至（3): 0· 97 彡 d，/d 彡 1. 03 (1) 0· 97 彡 d'，/d 彡 1. 1 (2) 1. 03 < d" max/d < 1. 1 (3) 〇
【文档编号】G03G5/05GK105988323SQ201510649642
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年10月9日
【发明人】多田幸, 多田一幸, 牧浦伸哉
【申请人】富士施乐株式会社