专利名称：一种超薄荫罩式等离子体显示屏的封接方法
技术领域：
本发明涉及一种显示屏的封接方法，尤其是针对超薄荫罩式等离子体显示屏的封 接方法。
背景技术：
目前一般的荫罩式等离子体显示屏制造流程包括前板制造工艺、后板制造工艺和 金属荫罩制造工艺，当上述三个组成部分完成后，利用低熔点玻璃进行封接，进行烘烤除气 后，充入工作气体，完成显示屏的制作。但是用于超薄荫罩式离子显示屏玻璃基板厚度很小(小于1mm)，荫罩保存过程中 不免会产生氧化和杂质污染，形成微小毛刺，在封接过程中最高温度能达到450°C，超薄玻 璃基板会软化，与金属荫罩的热应力相差较大，前后玻璃基板需要承受因此而产生的局部 应力，由于超薄玻璃基板形变承受力远小于普通等离子显示屏玻璃基板，从而使超薄显示 屏在封接过程中容易产生裂痕和凹陷点，导致超薄显示屏封接失败。
发明内容
技术问题本发明的目的是针对现有的超薄等离子显示屏的封接方法中，没有对 荫罩进行专门的处理，从而导致超薄等离子显示屏封接成功率低下问题，提出一种能够提 高封接成功率的超薄荫罩式等离子体显示屏封接方法。技术方案一种超薄荫罩式等离子显示屏的封接方法，包括以下步骤步骤1将荫罩、第一厚玻璃和第二厚玻璃用超声波清洗烘干；步骤2将烘干后的荫罩置于第一厚玻璃和第二厚玻璃之间得到预烧组合体，并用 第一封接夹和第二封接夹将预烧组合体两边固定；步骤3将固定好的预烧组合体置于抽真空的封接炉中开始预烧，预烧组合体从室 温L加热至预烧最高温度Tpeak且升温速率为10°C /min-20°C /min,到达预烧最高温度Tpeak 开始进入保温BC阶段，保温时间tBe控制在30min-45min，最后，开始进入降温⑶阶段，降 温速度保持在3°C /min-6°C /min,降至室温I；结束，所述的预烧最高温度Tpeak小于封接温 度且大于封接温度减去50°C的差值；步骤4预烧完后，将荫罩从预烧组合体中取出，再用无尘纸擦拭，并用超声波清洗 烘干；步骤5在后玻璃基板涂覆封接框，将屏前玻璃基板、后玻璃基板及荫罩上下表明 对位贴合，形成待封接屏，将待封接屏置于第一厚玻璃和第二厚玻璃之间，形成封接组合 体，再用第一封接夹和第二封接夹将封接组合体固定；步骤6将封接组合体放入封接炉中，设定烧结温度和时间，对超薄荫罩式等离子 显示屏进行封接，并充入工作气体，所述的烧结温度为400°C -500°C，烧结时间为4-7个小 时。
有益效果本发明针对超薄等离子显示屏基板应力承受较差，对荫罩清洗后，利用 两块厚玻璃固定，保证荫罩的平整；然后控制封接炉中温度和时间，进行预烧，完成后再次 清洗烘干，进行封接。经过预烧处理后的荫罩，有效去处了杂质和毛刺，同时预烧排除了荫 罩上在高温条件下不稳定支撑点，提高了荫罩在高温下的稳定性，使得超荫罩式等离子显 示屏在封接时，前后基板受力均勻，避免了凹凸点和裂痕的产生，提高了封接成功率。
图1是荫罩预烧固定示意图，其中包括第一厚玻璃(1)、荫罩(2)、第二厚玻璃 (3)、第一封接夹(4)和第二封接夹(5)。图2是本发明中荫罩预烧曲线图，包括加热升温过程AB及升温时间tAB、保温过程 BC及保温时间tBe和降温过程⑶及降温时间tm。图3是超薄荫罩式等离子显示屏封接过程截面图，其中包括第一厚玻璃(1)、荫 罩(2)、第二厚玻璃板(3)、第一封接夹(4)、第二封接夹(5)、封接框(6)、后基板(7)和前基 板⑶。
具体实施例方式以下面结合附图1-3和实施实例对本发明做进一步说明。一种超薄荫罩式等离子显示屏的封接方法，包括以下步骤步骤1将荫罩2、第一厚玻璃1和第二厚玻璃3用超声波清洗烘干；步骤2将烘干后的荫罩2置于第一厚玻璃1和第二厚玻璃3之间得到预烧组合体， 并用第一封接夹4和第二封接夹5将预烧组合体两边固定；步骤3将固定好的预烧组合体置于抽真空的封接炉中开始预烧，预烧组合体从室 温L加热至预烧最高温度Tpeak且升温速率为10°C /min-20°C /min,到达预烧最高温度Tpeak 开始进入保温BC阶段，保温时间tBe控制在30min-45min，最后，开始进入降温⑶阶段，降温 速度保持在3°C /min-6°C /min,降至室温TO结束，所述的预烧最高温度TPMk小于封接温度 且大于封接温度减去50°C的差值，在本实施例中，升温速率为10°C /min,20°C /min、13°C / min 或 18°C /min，保温时间 tBC 为 30min、45min、36min 或 43min，降温速度为 3°C /min、6°C / min、4°C /min或5°C /min,预烧最高温度Tpeak为(封接温度-50°C )、封接温度、(封接温 度-42°C)或(封接温度_18°C)；步骤4预烧完后，将荫罩2从预烧组合体中取出，再用无尘纸擦拭，并用超声波清 洗烘干；步骤5在后玻璃基板7涂覆封接框6，将屏前玻璃基板8、后玻璃基板7及荫罩2 上下表明对位贴合，形成待封接屏，将待封接屏置于第一厚玻璃1和第二厚玻璃3之间，形 成封接组合体，再用第一封接夹4和第二封接夹5将封接组合体固定；步骤6将封接组合体放入入封接炉中，设定烧结温度和时间，对超薄荫罩式等离 子显示屏进行封接，并充入工作气体，所述的烧结温度为400°C-500°C，烧结时间为4-7个 小时，在本实施例中，烧结温度为400 V、500 V、420°C或470°C，烧结时间为4小时、5小时或 7小时。如果封接对象是有粉显示屏，则要对预烧、清理后的荫罩2涂覆荧光粉，并再次烘烤，去除荧光粉浆料中的有机溶剂，烘烤温度为450°C _475°C，时间为半个小时，在本例中 对涂有荧光粉的荫罩2烘烤温度为450°C、455°C或475°C。实施例1在本例中，我们利用上述方法完成50mmX50mm无荧光粉纯Ne单色超薄荫罩式 显示屏的封接，超薄玻璃厚度为50um,第一厚玻璃1和第二厚玻璃3采用平整度很高的 PD200玻璃，面积为100mmX 100mm，厚度为1. 1mm，具体步骤如下步骤1将第一厚玻璃1、第二厚玻璃3和荫罩利用超声波进行清洗，并烘干；步骤2将大小31. 5mmX31. 5mm荫罩2置于第一厚玻璃1和第二后玻璃3之间，形 成预烧组合体，并用第一封接夹4和第二封接夹5将预烧组合体固定；步骤3将固定好的预烧组合体放入真空度达8 X 10_5Pa的封接炉中，起始温度I；为 室温为25°C，按照预烧曲线，进入升温阶段AB，升温速率是12°C/min，温度升至400°C，进入 保温阶段BC，保温时间tBe为30分钟，然后开始进入降温阶段⑶，速率为3°C /min，温度到 达室温L ；步骤4取出预烧后的荫罩2、第一厚玻璃1和第二厚玻璃3，冷却后用无尘纸擦拭， 清除荫罩上的杂质和毛刺，再次进行超声波清洗并烘干；步骤5取50mmX 50mm超薄玻璃两块，对其中一块进行蒸镀氧化镁，制作成超薄屏 前基板8，将另一块超薄玻璃四周涂上低熔点玻璃封接框6，制作成超薄屏后基板7，封接框 6线宽为1. 8mm，封接框6内边围成的面积大小是33. 5mmX33. 5mm ；步骤6将超薄屏前基板8和涂有低熔点玻璃封接框6的后基板7贴合在预烧清理 后的荫罩上下方，并置于第一厚玻璃1和第二厚玻璃3之间，形成封接组合体，并用第一封 接夹4和第二封接夹5将封接组合体固定，放入封接炉内，当封接炉内温度升为380°C，充入 300torr纯Ne气体，设定烧结最高温度为450°C，封接时间为4. 5个小时，完成超薄等离子 显示屏的封接。实施例2在本例中，我们利用上述方法完成50mmX 50mm有荧光粉Ne+10% Xe绿粉超薄荫罩 式显示屏的封接，超薄玻璃厚度为50 ym，第一厚玻璃1和第二厚玻璃3采用平整度很高的 PD200玻璃，面积为100mmX 100mm，厚度为1. 1mm，具体步骤如下步骤1、2、3、4同实施例1中步骤1、2、3、4 ；步骤5将预处理完成的荫罩2涂敷绿色荧光粉，将涂有荧光粉的荫罩2进行烘烤， 温度为450°C，烘烤时间是半个小时；步骤6同实施实例1中的步骤5 ；步骤7将超薄屏前基板8和涂有低熔点玻璃封接框6的后基板7贴合在预烧清理 后的荫罩上下方，并置于第一厚玻璃1和第二厚玻璃3之间，形成封接组合体，并用第一封 接夹4和第二封接夹5将封接组合体固定，放入封接炉内，当封接炉内温度升为380°C，充 入300torr纯Ne+20% Xe混合气体，设定烧结最高温度为450°C，封接时间为4. 5个小时， 完成有荧光粉超薄等离子显示屏的封接。
权利要求
一种超薄荫罩式等离子显示屏的封接方法，其特征在于，包括以下步骤步骤1将荫罩(2)、第一厚玻璃(1)和第二厚玻璃(3)用超声波清洗烘干；步骤2将烘干后的荫罩(2)置于第一厚玻璃(1)和第二厚玻璃(3)之间得到预烧组合体，并用第一封接夹(4)和第二封接夹(5)将预烧组合体两边固定；步骤3将固定好的预烧组合体置于抽真空的封接炉中开始预烧，预烧组合体从室温T0加热至预烧最高温度Tpeak且升温速率为10℃/min-20℃/min，到达预烧最高温度Tpeak开始进入保温BC阶段，保温时间tBC控制在30min-45min，最后，开始进入降温CD阶段，降温速度保持在3℃/min-6℃/min，降至室温T0结束，所述的预烧最高温度Tpeak小于封接温度且大于封接温度减去50℃的差值；步骤4预烧完后，将荫罩(2)从预烧组合体中取出，再用无尘纸擦拭，并用超声波清洗烘干；步骤5在后玻璃基板(7)涂覆封接框(6)，将屏前玻璃基板(8)、后玻璃基板(7)及荫罩(2)上下表明对位贴合，形成待封接屏，将待封接屏置于第一厚玻璃(1)和第二厚玻璃(3)之间，形成封接组合体，再用第一封接夹(4)和第二封接夹(5)将封接组合体固定；步骤6将封接组合体放入入封接炉中，设定烧结温度和时间，对超薄荫罩式等离子显示屏进行封接，并充入工作气体，所述的烧结温度为400℃-500℃，烧结时间为4-7个小时。
2.根据权利要求1所述的超薄荫罩式等离子显示屏的封接方法，其特征是，对预烧、清 理后的荫罩(2)进行喷涂荧光粉，并再次烘烤。
全文摘要
本发明公开了一种超薄荫罩式等离子体显示屏的封接方法将荫罩、第一厚玻璃和第二厚玻璃清洗烘干；将荫罩置于第一厚玻璃和第二厚玻璃之间，并用第一封接夹和第二封接夹将两边固定；固定后置于抽真空的封接炉中开始预烧，预烧包括升温AB阶段、保温BC阶段和降温CD阶段；预烧完后，清理荫罩；将屏前玻璃基板、涂有封接框的后玻璃基板及荫罩上下表明对位贴合，置于第一厚玻璃和第二厚玻璃之间，形成封接组合体，再用第一封接夹和第二封接夹固定；将封接组合体放入封接炉中，设定烧结温度和时间，对超薄荫罩式等离子体显示屏进行封接，并充入工作气体。
文档编号H01J9/00GK101800141SQ20101015899
公开日2010年8月11日 申请日期2010年4月27日 优先权日2010年4月27日
发明者屠彦, 彭永林, 朱振华, 杨兰兰, 金烨 申请人:东南大学