专利名称：一种线体制作工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及PDP(等离子显示板)屏制造技术领域，特别涉及一种线体制作工艺。
背景技术：
前介质线体的生产是PDP屏制作过程中的重要工序之一，在PDP屏中主要使用到 Cr-Cu-Cr电极，由于Cr-Cu-Cr电极工艺的特殊性，对前介质的工艺设计要求也很高。这种适合Cr-Cu-Cr电极前介质的制作工艺，直接影响到PDP屏的质量与良品率。因此，PDP屏的生产厂家加强了对Cr-Cu-Cr电极前介质线体的研究力度，以提高带Cr-Cu-Cr电极前介质工序的良品率。现有技术中，前介质线体的生产主要有两种方法一种是一次涂布，一次干烧结工艺；另一种是两次涂布，两次干烧结工艺。其中第一种制作方法适合生产汇流电极为银浆料印刷的前介质线体，操作简便；第二种方法适合生产汇流电极为Cr-Cu-Cr的前介质线体。 对于第二种前介质线体制作工艺其具体步骤为涂布前干式清洗一一次涂布一涂布湿膜检查一一次干燥烧结一膜面边缘在线检查一二次涂布前干式清洗一二次涂布一二次干燥烧
结一在线缺陷检查一......一端末刻蚀。上述Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺中存在
设计上的不足，此种生产工艺不能有效的控制前介质线体中烧结膜的厚度，从而导致烧结膜的厚度无法实现均一性，使用这种烧结膜制作出来的PDP屏，大大降低了其良品率，影响产品的质量。因此提供一种应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上线体的制作工艺，以实现可以随时准确的监控线体生产中各阶段膜的厚度，确保膜厚的均一性，进而提高PDP屏的良品率，成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种线体制作工艺，应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上，实现了随时准确的监控了线体生产中各阶段膜的厚度，确保了膜厚的均一性，进而提高了 PDP屏的良品率。本发明提供的Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺，其包括步骤1)完成玻璃基板的干式清洗后，通过喷嘴对玻璃基板进行第一次涂布形成一次湿膜，随后测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度，并对一次湿膜的缺陷进行检查；2)对一次湿膜进行第一次干燥烧结形成一次烧结膜，在线检查一次烧结膜的边缘，同时在线检测一次烧结膜的厚度；3)对含有一次烧结膜玻璃基板进行干式清洗，并在一次烧结膜上通过喷嘴进行第二次涂布形成二次湿膜，测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，并对二次湿膜的缺陷进行检查；4)对二次湿膜进行二次干燥烧结形成二次烧结膜，在线检测二次烧结膜的厚度， 并在线检查二次烧结膜的缺陷情况；5)对上述检查后的二次烧结膜进行端末刻蚀工艺，最终形成成品Cr-Cu-Cr电极前介质线体。优选的，在上述Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺中，在步骤1)中，对玻璃基板进行干式清洗前还包括湿法清洗，以增强对玻璃基板的清洗效果，干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作，清除玻璃基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。优选的，在上述线体制作工艺中，在步骤1)中，使用变位传感器测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度，并将数据导入监视器中，制成一次湿膜膜厚曲线。优选的，在上述线体制作工艺中，在步骤2)中，通过在线烧结膜厚度检测装置检测一次烧结膜的厚度，确保一次烧结膜的厚度满足工艺需求。优选的，在上述线体制作工艺中，在步骤幻中，完成对玻璃基板的干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作，清除基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。优选的，在上述线体制作工艺中，在步骤幻中，使用变位传感器测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，并将数据导入监视器中，制成二次湿模膜厚曲线。优选的，在上述线体制作工艺中，在步骤3)中，通过在线烧结膜厚度检测装置检测二次烧结膜的厚度，确保二次烧结膜的厚度满足工艺需求。优选的，在上述线体制作工艺中，在步骤4)中，完成在线检测二次烧结膜的厚度及检查二次烧结膜的缺陷情况，在进行烧结后倾斜检查，及完成对二次烧结膜切割后，再次进行切割后人工检查。本发明提供的应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上的线体制作工艺，相对于现有技术在第一次涂布及第二次涂布工序后均增加了湿膜的厚度测定装置，并在第一次干燥烧结及第二次干燥烧结工艺后均增加了烧结膜厚度检测装置，通过增加这两个装置可以及时的检测到不同工序中各种膜的厚度，在膜厚不均勻时，可以根据膜的厚度调节设备反过来准确的控制膜的厚度，使膜厚在每个工序中都能达到均一性，并能满足工艺需求，避免了由于膜厚及膜厚均一性不合格对PDP屏造成的影响，有效的提高了 PDP屏的良品率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的线体制作工艺的流程图。
具体实施例方式本发明提供的线体制作工艺，应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上，实现了随时准确的监控线体生产中各阶段膜的厚度，确保了膜厚的均一性，进而提高了 PDP屏的良品率。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。请参考图1，图1为本发明实施例提供的线体制作工艺的流程图。
在本发明提供的适合线体制作工艺，其具体操作步骤如下步骤SOl 第一次涂布及对一次湿膜进行检测；在正式进行涂布操作前，先对玻璃基板进行第一次干式清洗，干式清洗完成后，利用喷嘴在玻璃基板上进行第一次涂布操作，形成一次湿膜，随后利用测定装置测定一次湿膜在喷嘴方向厚度，确保一次湿膜在喷嘴方向厚度满足均一性，且厚度达到工艺要求，再对一次湿膜进行缺陷检查，在发现有缺陷后，做相应的报废处理，避免流入后工序，合格品输入下一道工序。步骤S02 第一次干燥烧结及对一次烧结膜进行检测；对一次湿膜进行第一次干燥烧结，形成一次烧结膜，随后在线对一次烧结膜的边缘进行检查，查看其是否有缺陷，如果发现一次烧结膜有缺陷后，做报废处理，对符合要求的一次烧结膜，利用检测装置在线检测烧结膜的厚度，可以第一时间发现一次烧结膜的异常，进而可避免批次性膜厚异常导致的产品不良，将符合要求的一次烧结膜输送到下个工序。步骤S03 第二次涂布及对湿膜进行检测；对含有一次烧结膜的玻璃基板进行第二次干式清洗，完成第二次清洗后，通过喷嘴在一次烧结膜上完成第二次涂布操作，形成二次湿膜，然后利用测定装置测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，以确保二次湿膜在喷嘴方向厚度满足均一性，且厚度达到工艺要求，随后对二次膜进行缺陷检查，如果发现二次湿膜有缺陷，对二次湿膜做报废处理，将符合要求的二次湿膜膜送到下个工序中。步骤S04 第二次干燥烧结及对烧结膜进行检测；对二次膜进行第二次干燥烧结，形成二次烧结膜，对二次烧结膜通过检测装置在线进行膜厚检测，及时了解二次烧结膜的厚度，确保烧结膜厚度满足均一性，能达到工艺要求，并在线对二次烧结膜进行缺陷检查，查看其是否有缺陷，如果发现有缺陷后，对二次烧结膜做报废处理，将符合要求的二次烧结膜输送到下个工序。步骤S05 刻蚀处理；将上述检查后的二次烧结膜，进行端末刻蚀处理，最终完成带Cr-Cu-Cr电极的前介质制作。本发明提供的线体制作工艺，应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上，相对于现有技术在第一次涂布及第二次涂布工序后均增加了湿膜的厚度测定装置，并在第一次干燥烧结及第二次干燥烧结工艺后均增加了烧结膜厚度检测装置，通过增加这两个装置可以及时的检测到不同工序中各种膜的厚度，在膜厚不均勻时，可以根据膜的厚度调节设备反过来准确的控制膜的厚度，使膜厚在每个工序中都能达到均一性，并能满足工艺需求，避免了由于膜厚及膜厚均一性不合格对PDP屏造成的影响，有效的提高了 PDP屏的良品率。为了进一步提高PDP屏的良品率，在步骤1)中，本实施例在对设备进行干式清洗前增加了对玻璃基板进行湿法清洗，干式清洗后增加了对玻璃基板的除静电操作；增加湿法清洗后，提高了玻璃基板正反面的清洁度，减少了由于异物导致在涂布时产生表面不平或凹陷等缺陷；在完成干式清洗后还需对玻璃基板进行除静电操作，除静电设备就是将这些静电处理掉，避免了由于静电对湿膜造成的缺陷；滚轮表面的清洁度，对湿膜的表面影响较大，因此需经常性的对滚轮进行清洁，以保证其表面的清洁度。
为了进一步完善上述技术方案，本实施例中采用变位传感器对一次湿膜和二次湿膜进行厚度测定，并将最后测得的结果导入监视器中，并将得到的数据分别制成一次湿膜厚度曲线和二次湿膜厚度曲线；变位传感器与监视器配合使用能即时准确的掌握一次湿膜的厚度，一次湿膜厚度曲线及二次湿膜厚度曲线能将一次湿膜与二次的厚度直观的反映出来，便于操作人员掌握一次湿膜和二次湿膜的厚度信息，从而根据这些信息判断一次湿膜与二次湿膜的厚度和厚度均一性是否符合工艺要求，如果其中包含不符合工艺要求的情况，及时调整一次湿膜或二次湿膜湿膜的厚度，使其达到工艺生产的需求。为了进一步完善上述技术方案，在本实施例中采用在线烧结膜检测装置检测一次烧结膜的厚度与二次烧结膜的厚度，在线烧结膜检测装置能利用设备直接检测出一次烧结膜与二次烧结膜的厚度情况，方便省时，通过检测结果能在第一时间发现一次烧结膜或二次烧结膜厚度的异常情况，及时作出补救处理，避免次品烧结膜进入后续工序中，造成批次性烧结膜厚度异常，最终降低产品的良品率。由于在线体的生产工艺需要进行两次涂布操作，因此为了进一步优化上述技术方案，本实施例中在对玻璃基板完成第二次干式清洗后，同样增加了对玻璃基板的除静电，进一步降低了外界对前介质线体生产过程的影响，提高了 Cr-Cu-Cr电极前介质线体的良品率。为了进一步完善上述技术方案，在线完成检查二次烧结膜的缺陷情况后，本实施例增加了二次烧结膜的烧结后倾斜检查，及在对二次烧结膜切割后，再次进行切割后人工检查操作；增加二次烧结后倾斜检查，可以进一步检查二次烧结膜表面的有无凹陷、异物、 划伤等异常情况，及时发现发现这些缺陷，并对存在缺陷的二次烧结膜及时作出处理，避免其流入后续工序；切割后人工检查是对前面工序中的产品做最终确认，检查前面工序中没有被找出的具有缺陷的产品，做报废处理。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种线体制作工艺，应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上，其特征在于，包括步骤1)完成玻璃基板的干式清洗后，通过喷嘴对玻璃基板进行第一次涂布形成一次湿膜， 随后测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度，并对一次湿膜的缺陷进行检查；2)对一次湿膜进行第一次干燥烧结形成一次烧结膜，在线检查一次烧结膜的边缘，同时在线检测一次烧结膜的厚度；3)对含有一次烧结膜玻璃基板进行干式清洗，并在一次烧结膜上通过喷嘴进行第二次涂布形成二次湿膜，测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，并对二次湿膜的缺陷进行检查；4)对二次湿膜进行二次干燥烧结形成二次烧结膜，在线检测二次烧结膜的厚度，并在线检查二次烧结膜的缺陷情况；5)对上述检查后的二次烧结膜进行端末刻蚀工艺，最终形成成品线体。
2.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤1)中，对玻璃基板干式清洗前还包括对玻璃基板进行湿法清洗，干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作，清除玻璃基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。
3.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤1)中，使用变位传感器测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度，并将数据导入监视器中，制成一次湿膜膜厚曲线。
4.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤2)中，通过在线烧结膜厚度检测装置检测一次烧结膜的厚度，确保一次烧结膜的厚度满足工艺需求。
5.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤3)中，完成对玻璃基板的干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作，清除基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。
6.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤3)中，使用变位传感器测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，并将数据导入监视器中，制成二次湿膜膜厚曲线。
7.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤3)中，通过在线烧结膜厚度检测装置检测二次烧结膜的厚度，确保二次烧结膜的厚度满足工艺需求。
8.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤4)中，完成在线检测二次烧结膜的厚度及检查二次烧结膜的缺陷情况后，在进行烧结后倾斜检查，及完成对二次烧结膜切割后，再次进行切割后人工检查。
全文摘要
本发明提供的应用于Cr-Cu-Cr电极前介质的线体制作工艺，相对于现有技术在第一次涂布及第二次涂布工序后均增加了湿膜厚度测定装置，并在第一次干燥烧结及第二次干燥烧结工艺后均增加了在线烧结膜厚度检测装置，通过增加这两个装置可以及时的检测到不同工序中各种膜的厚度，在膜厚不均匀时，可以根据膜的厚度调节设备，从而准确的控制膜的厚度，使膜厚在每个工序中都能达到均一性，并能满足工艺需求，避免了由于膜厚及膜厚均一性不合格对PDP(等离子显示板)屏品质造成的影响。另外，增加二次烧结后缺陷检查和切割后缺陷检查，可进一步减少不良品流向后工序有效的提高了PDP屏的良品率。
文档编号H01J11/38GK102543628SQ201210031619
公开日2012年7月4日 申请日期2012年2月13日 优先权日2012年2月13日
发明者卫平牛 申请人:安徽鑫昊等离子显示器件有限公司