专利名称：多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜沉积设备技术领域，具体地说，涉及一种多功能离子束溅射沉积 与刻蚀设备。
背景技术：
离子束溅射沉积(IBSD)是半导体工艺中薄膜制备的重要方式之一，根据溅射原 理，利用低能量聚焦离子束对靶材表面进行轰击，溅射的靶材淀积到衬底表面并牢固地附 着在衬底表面。离子枪中的灯丝在高压下产生热电子，热电子使氩气电离成Ar+，在电场下 加速从而形成离子束。在局部氧压或氧离子束轰击下可以进行反应离子束溅射沉积(RIBD)，以制备氧化 物薄膜。在薄膜淀积过程中，采用离子束轰击正在淀积的薄膜，可以将结合力不强的成分 去掉，改变薄膜的机械和电特性，从而形成质量更好的薄膜，这就是离子束辅助溅射沉积 (IASD)。离子束溅射主要用于制备金属、半导体、绝缘体的单质、合金和化合物薄膜，主要 优点包括高致密膜层结构、薄膜特性对环境稳定、较高而且稳定的膜层沉积速率、薄膜纯 度高且化学成分稳定、可沉积超薄薄膜、电离辐射和损伤较小(溅射所需的电压比电子束 蒸发小一个数量级)。离子束刻蚀(IBE)是半导体刻蚀工艺中的一种，主要是物理刻蚀，根据溅射原理， 利用低能量平行离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出， 从而达到刻蚀的目的，主要用于集成电路、元器件、传感器等领域的微细图形制备。通常的 离子束刻蚀采用的是惰性气体离子如Ar+，属于纯物理刻蚀，因而可以刻蚀任何材料，可将 三维掩模图形高保真地转移为衬底表面三维图形；而反应离子束刻蚀(RIBE)则是通入反 应气体形成反应离子进行刻蚀。离子束刻蚀属于原子级加工手段，特别是Ar+刻蚀不存在 侧向腐蚀，具有顶级刻蚀分辨率，理论上认为可以刻蚀几个原子尺寸的结构，而且可以实现 优秀的刻蚀均勻性。离子束还可以实现清洗功能，通过离子束轰击衬底、靶材表面可以去除表面层，离 子束清洗是材料表面净化的最彻底的方法，可以获得原子级清洁表面。对于清洗金属材料 不存在任何问题；对于清洗合金、化合物和多元材料，采用改变离子束入射角和添加其它气 体，可以在保持清洗材料表面元素化学标准配比不变条件下快速减薄和抛光表面，离子束 抛光可以获得极低的材料表面微粗糙度。由于离子束具有离子束溅射沉积、离子束辅助溅射、离子束刻蚀、离子束清洗、离 子束抛光、离子束减薄等多种功能，国际上多家真空设备生产商都在对离子束溅射沉积和 刻蚀设备进行开发生产，但所研制生产的设备大多功能单一，如不具备共溅射功能、加温功 能、不能同时溅射和刻蚀等。
发明内容
(一)要解决的技术问题针对上述现有技术存在的不足，本发明的主要目的在于提出一种多功能离子束溅 射沉积与刻蚀设备，同时具有离子束溅射/共溅射沉积、离子束共溅射、离子束辅助溅射、 通入反应气体的反应离子束溅射、溅射中的衬底加温和原位退火、离子束刻蚀、反应离子束 刻蚀、化学辅助离子束刻蚀、衬底反溅清洗、离子束抛光、离子束减薄等功能，可用于高质 量、多层、超薄的介质和金属薄膜材料的溅射沉积、刻蚀加工、抛光减薄和热处理。(二)技术方案为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，该设备包括一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，用于装载基片，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其 下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相 对，采用射频离子源或直流离子源，竖直向上发射离子束，并且离子束与该溅射沉积与刻蚀 工件台下表面垂直；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束 所在的方向，用于装载靶材；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子 束所在的方向，采用射频离子源或直流离子源发射离子束，发射的离子束与溅射靶台上装 载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，用于基片的清洗或溅射过程中的 辅助轰击，采用射频离子源或直流离子源，辅助清洗离子源斜向上发射离子束，并且发射的 离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。上述方案中，所述溅射沉积与刻蚀工件台为多子台行星结构，每个子台都能够公 转和自转。上述方案中，所述溅射沉积与刻蚀工件台安装有电阻加热器用于实现加热功能， 并安装有水冷装置用于实现水冷功能。上述方案中，所述电阻加热器在单一离子束溅射、离子束共溅射、离子束辅助溅射 过程中开启能够实现溅射中的衬底加温，在溅射完成后开启能够实现溅射生长的薄膜材料 的原位退火。上述方案中，所述二溅射靶台包括第一可旋转四靶台和第二可旋转四靶台，二者 均可同时装载4片靶材。上述方案中，所述二溅射离子源包括第一溅射离子源和第二溅射离子源，采用射 频离子源来溅射介质薄膜，或者采用直流离子源来溅射金属薄膜；第一溅射离子源斜向下 发射离子束，离子束与第一可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角；第二溅射离子源斜向 下发射离子束，离子束与第二可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角。上述方案中，单独开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源其中之一能够实现 单一离子束溅射，同时开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束共溅射，同时开启所述辅助清洗离子源、第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束辅 助溅射。上述方案中，所述单一离子束溅射或离子束共溅射在通入02、N2反应性气体中的 一种或几种时能够实现反应离子束溅射，反应性气体通过以下三种方式中的任意一种通 入 通过所述真空腔室腔壁中的气路法兰通入至真空腔室中；或者通过所述第一溅射离子源或第二溅射离子源通入；或者通过所述辅助清洗离子源通入。上述方案中，从所述刻蚀离子源中通入惰性气体氩气能够实现普通的氩离子束刻 蚀；从所述刻蚀离子源中通入反应性气体02、CHF3、SF6中的一种或几种时能够实现反应离 子束刻蚀；在氩离子束刻蚀过程中从所述真空腔室腔壁中的气路法兰接口通入反应性气体 02、chf3、SF6中的一种或几种至真空腔室中能够实现化学辅助离子束刻蚀。上述方案中，单独开启所述辅助清洗离子源或者所述刻蚀离子源能够实现基片的 反溅清洗、抛光或减薄。(三)有益效果从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果1、利用本发明制造的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，同时具有离子束溅射/ 共溅射沉积、离子束共溅射、离子束辅助溅射、通入反应气体的反应离子束溅射、溅射中的 衬底加温和原位退火、离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、化学辅助离子束刻蚀、衬底反溅清洗、 离子束抛光、离子束减薄等功能，可用于高质量、多层、超薄的介质和金属薄膜材料的溅射 沉积、刻蚀加工、抛光减薄和热处理。2、利用本发明制造的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，具有结构简单、易于制 造、成本低的优点，非常适合于大规模生产，非常有利于本发明的广泛推广和应用。
图1是本发明提供的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备的布局图(前视图)；图2是六子台式行星式结构样品工件台的结构示意图(顶视图)；图3是采用预真空室和六子台式行星式结构样品工件台并采用两套抽真空装置 的的离子束溅射沉积与刻蚀设备的结构示意图(顶视图)。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照 附图，对本发明进一步详细说明。图1是本发明提供的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备的布局图(前视图)，该多 功能离子束溅射沉积与刻蚀设备包括一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，用于装载基片，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其 下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对，采用射频离子源或直流离子源，竖直向上发射离子束，并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面垂直；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束 所在的方向，用于装载靶材；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子 束所在的方向，采用射频离子源或直流离子源发射离子束，发射的离子束与溅射靶台上装 载的一个靶材表面成45°角；—辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，用于基片的清洗或溅射过程中的 辅助轰击，采用射频离子源或直流离子源，辅助清洗离子源斜向上发射离子束，并且离子束 与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。图2是一种六子台式行星式结构样品工件台的结构示意图的顶视图。溅射沉积与 刻蚀工件台为多子台行星结构，每个子台都能够公转和自转。溅射沉积与刻蚀工件台安装 有电阻加热器用于实现加热功能，并安装有水冷装置用于实现水冷功能。电阻加热器在单 一离子束溅射、离子束共溅射、离子束辅助溅射过程中开启能够实现溅射中的衬底加温，在 溅射完成后开启能够实现溅射生长的薄膜材料的原位退火。图2中最下面的一个子台用于 溅射，溅射时其它子台被遮住以防污染。图2中最上面的一个子台用于刻蚀，刻蚀时其它子 台被遮住以防污染。二溅射靶台包括第一可旋转四靶台和第二可旋转四靶台，二者均可同时装载4片 靶材。二溅射离子源包括第一溅射离子源和第二溅射离子源，采用射频离子源来溅射介 质薄膜，或者采用直流离子源来溅射金属薄膜；第一溅射离子源斜向下发射离子束，离子束 与第一可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角；第二溅射离子源斜向下发射离子束，离子 束与第二可旋转四靶台的一个靶材表面成45°角。单独开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源其中之一能够实现单一离子束 溅射，同时开启所述第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束共溅射，同时开启 所述辅助清洗离子源、第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束辅助溅射。单一离子束溅射或离子束共溅射在通入02、N2反应性气体中的一种或几种时能够 实现反应离子束溅射，反应性气体通过以下三种方式中的任意一种通入1)、通过所述真空腔室腔壁中的气路法兰通入至真空腔室中；或者2)、通过所述第一溅射离子源或第二溅射离子源通入；或者3)、通过所述辅助清洗离子源通入。从所述刻蚀离子源中通入惰性气体氩气能够实现普通的氩离子束刻蚀；从所述刻 蚀离子源中通入反应性气体02、CHF3、SF6中的一种或几种时能够实现反应离子束刻蚀；在 氩离子束刻蚀过程中从所述真空腔室腔壁中的气路法兰接口通入反应性气体02、CHF3, SF6 中的一种或几种至真空腔室中能够实现化学辅助离子束刻蚀。单独开启所述辅助清洗离子源或者所述刻蚀离子源能够实现基片的反溅清洗、抛 光或减薄。图3是采用预真空室、六子台式行星式结构样品工件台和两套抽真空装置的的离 子束溅射沉积与刻蚀设备的结构示意图(顶视图)。图中数字所对应的部件名称为1溅射/刻蚀室，2样品交换室，3溅射/刻蚀室与交换室之间的样品传输部件，4溅射/刻蚀室 与交换室之间的闸板阀，5闸板阀，6分子泵，7机械泵，8闸板阀，9分子泵，10机械泵，11六 子台式行星式结构样品工件台，12溅射沉积样品子台，13刻蚀样品子台，14-17其它被遮住 的子台，18-19溅射/共溅射用离子枪及电源，20清洗或辅助轰击用离子枪及电源，21刻蚀 用离子枪及电源，22交换室样品台，23观察窗，24观察窗，25引入Ar的法兰接口，26引入 O2的法兰接口，27引入其它反应性气体的法兰接口，28用于引入电阻加热器的引线法兰，29 用于引入照明的引线法兰，30-31放气截止阀。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡 在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保 护范围之内。
权利要求
一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，该设备包括一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，用于装载基片，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对，采用射频离子源或直流离子源，竖直向上发射离子束，并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面垂直；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，用于装载靶材；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，采用射频离子源或直流离子源发射离子束，发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，用于基片的清洗或溅射过程中的辅助轰击，采用射频离子源或直流离子源，辅助清洗离子源斜向上发射离子束，并且发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。
2.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，所述溅射 沉积与刻蚀工件台为多子台行星结构，每个子台都能够公转和自转。
3.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，所述溅射 沉积与刻蚀工件台安装有电阻加热器用于实现加热功能，并安装有水冷装置用于实现水冷 功能。
4.根据权利要求3所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，所述电阻 加热器在单一离子束溅射、离子束共溅射、离子束辅助溅射过程中开启能够实现溅射中的 衬底加温，在溅射完成后开启能够实现溅射生长的薄膜材料的原位退火。
5.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，所述二溅 射靶台包括第一可旋转四靶台和第二可旋转四靶台，二者均可同时装载4片靶材。
6.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，所述二溅 射离子源包括第一溅射离子源和第二溅射离子源，采用射频离子源来溅射介质薄膜，或者 采用直流离子源来溅射金属薄膜；第一溅射离子源斜向下发射离子束，离子束与第一可旋 转四靶台的一个靶材表面成45°角；第二溅射离子源斜向下发射离子束，离子束与第二可 旋转四靶台的一个靶材表面成45°角。
7.根据权利要求6所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，单独开启 所述第一溅射离子源和第二溅射离子源其中之一能够实现单一离子束溅射，同时开启所述 第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束共溅射，同时开启所述辅助清洗离子 源、第一溅射离子源和第二溅射离子源能够实现离子束辅助溅射。
8.根据权利要求7所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，所述单一 离子束溅射或离子束共溅射在通入02、N2反应性气体中的一种或几种时能够实现反应离子 束溅射，反应性气体通过以下三种方式中的任意一种通入通过所述真空腔室腔壁中的气路法兰通入至真空腔室中；或者通过所述第一溅射离子源或第二溅射离子源通入；或者通过所述辅助清洗离子源通入。
9.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，从所述刻 蚀离子源中通入惰性气体氩气能够实现普通的氩离子束刻蚀；从所述刻蚀离子源中通入反 应性气体02、CHF3、SF6中的一种或几种时能够实现反应离子束刻蚀；在氩离子束刻蚀过程 中从所述真空腔室腔壁中的气路法兰接口通入反应性气体02、chf3、SF6中的一种或几种至 真空腔室中能够实现化学辅助离子束刻蚀。
10.根据权利要求1所述的多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，单独开启 所述辅助清洗离子源或者所述刻蚀离子源能够实现基片的反溅清洗、抛光或减薄。
全文摘要
本发明公开了一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，包括一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。该设备兼备各种功能，可用于介质和金属材料的溅射沉积刻蚀抛光减薄和热处理。
文档编号C23F4/04GK101880863SQ200910083508
公开日2010年11月10日 申请日期2009年5月6日 优先权日2009年5月6日
发明者刘明, 徐连生, 谢常青, 贾锐, 陈宝钦, 龙世兵 申请人:中国科学院微电子研究所