专利名称：一种用于异质结薄膜沉积系统组态的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于异质结薄膜沉积系统组态，此类设备可广泛应用于任何需要于真空下进行加工的制程，例如太阳能硅片镀膜加工。
背景技术：
异质结的真空镀膜设备，由于制程需要经由化学气象沉积设备沉积非晶硅薄膜，之后再经由溅镀设备溅镀导电薄膜，由于两种薄膜的沉积属于不同种类的设备，因此皆采用分布式直线真空镀膜设备，然而硅片在一般环境容易遭受污染进而影响后续的效率；若设置大范围的无尘环境，虽然可克服此一问题，但整体设置成本过高，无法达到降低成本的要求，同时，设置面积因直线式得关系而加大设置面积，因此在量产上亟欲解决此一问题。
发明内容·本实用新型主要目的系提供一种用于异质结薄膜沉积系统组态，来改善现有直线式真空镀膜设备占地面积大、制造成本高的问题。为了达成上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是提供一种用于异质结薄膜沉积系统组态分别跨越两种不同洁净区域的第一区域、第二区域及第三区，其中第一区域的环境洁净度高于第二区域及第三区；该异质结薄膜沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第二承载室、第三承载室及多个镀膜反应室、沉积室和卸载区，其中的特点是所述之异质结薄膜沉积系统组态呈一半的H型设置，其中加载台、自动交换区及卸载台设置在洁净度要求较高的第一区域；所述之异质结薄膜沉积系统组态第一承载室、多个镀膜反应室设置在洁净度要求较低的第二区域，构成半H型的左翼部分；所述之异质结薄膜沉积系统组态第二承载室、多个镀膜反应室设置在洁净度要求较低的第二区域，构成半H型的右翼部分；所述之异质结薄膜沉积系统组态第三承载室、多个沉积室设置在洁净度要求较低的第三区域，构成半H型的下半翼部分；所述之异质结薄膜沉积系统组态的维修区域设置在半H型的左翼及右翼中；在上述异质结薄膜沉积系统组态整体设制成半H型，加载台、自动交换区及卸载台设置在洁净度要求较高的第一区域，无需再另行设置洁净度高的回传机构将沉积的异质结太阳能电池硅片回传，第二区域进行异质结太阳能电池硅片的非晶硅薄膜沉积，透过本身腔室的内部传动将异质结太阳能电池硅片回传至第一区域既可交换的动作。完成第二区域的非晶硅薄膜沉积后硅片可透过第一区域传至第三区域进行硅片导电薄膜的溅镀，有效降低生产成本，同时可以保证异质结太阳能电池硅片不受环境污染，同时整体承半H型设置有效降低所述异质结太阳能电池系统硅片占地面积，同时利用半H型左翼及右翼中的区域设置维修区域，能在进一步降低占地面积，无需另外再设置维修，做到更有效节省生产占地面积。
图I系为本实用新型示意图。主要组件符号说明。101...第一区域。102...第二区域。103...加载区。104...自动交换区。105...卸载区。106...第一承载室。107...第一反应室。108...第二反应室。109...第二承载室。110...第三反应室。111...第四反应室。112...维修区。113...隔离阀门。114...第三承载室。115...第一缓冲室。116...第一沉积室。117...第二沉积室。118...第二缓冲室。119...第三卸载室。120...第三区域。
具体实施方式
为使方简捷了解本发明之其他特征内容与优点及其所达成之功效能够为显现，兹将本实用新型配合附图，详细明如下请阅图1，本实用新型之主要目的系一种用于异质结薄膜沉积系统组态，该一种用于异质结薄膜沉积系统组态呈半H型设置，包括依序连接的加载区103、自动交换区104和卸载区105构成的第一区域为半H型设置的横向运动传送结构；其中所述之第一承载室106、第一反应室107、第二反应室108构成第二区域为半H型设置的左翼部分；其中所述之第二承载室109、第三反应室110、第四反应室111构成第二区域为半H型设置的右翼部分；其中所述之第三承载室114、第一缓冲室115、第一沉积室116、第二沉积室117、第二缓冲室118及第三卸载室119构成第三区域为H型设置的下半翼部分。同时，所述之一种用于异质结薄膜沉积系统组态分别跨越两种不同洁净区域的第一区域101及第二区域102及第三区域120，其中第一区域101的环境洁净度高于第二区域102第三区域120，因此加载区103、自动交换区104和卸载区105设置在洁净度要求高的第一区域101内，而半H型设置的左翼、右翼及下半翼部分设置在洁净区要求较低的第二区域102及第三区域120内，其中左翼部分透过隔离阀门113与第一区域101连接；右翼部分透过隔离阀门113与第一区域101连接；下半翼部分透过隔离阀门113与第一区域101连接；所述之第二区域102内设置维修区域112，该维修区域112设置于半H型左翼及右翼内。在异质结薄膜沉积系统组态沉积过程中，承载盘首先由加载区103传送到自动交换区104，再透过隔离阀门113进入第一承载室106进行预处理，包括对承载盘进行抽真空及加热的动作；再通过隔离阀门113进入第一反应室107进行真空反应；再通过隔离阀门113进入第二反应室108进行真空反应，所述之真空反应也就是在真空一定压腔下由高频电源解离由喷头进入的反应气体而产生等离子体进行薄膜沉积，完成后，承载盘再透过隔离阀门113进入第一反应室107及第一承载室106回传至自动交换区104 ;再由自动交换区104透过隔离阀门113传送到第二承载室109进行预处理，包括对承载盘进行抽真空及加热的动作；再通过隔离阀门113进入第三反应室110进行真空反应；再通过隔离阀门113进入第四反应室112进行真空反应，沉积完成后，承载盘再透过隔离阀门113进入第三反应 室110及第二承载室109回传至自动交换区104 ;之后传送至第三区域120，再透过隔离阀门113进入第三承载室114进行抽真空动作，再透过隔离阀门113进入第一缓冲室115进行预处理预处理，包括对承载盘进行抽真空及加热的动作，再透过隔离阀门113进入第一沉积室116及第二沉积室117进行导电膜溅镀，之后在进入第二缓冲室118进行冷却动作，再透过隔离阀门113进入第三卸载室119卸载及回传动作，回到第一区域101的自动交换区104后在传至卸载区105进行承载盘卸载。在上述异质结薄膜沉积系统组态沉积过程中，由于该系统整体设置呈半H型，因此加载区103及卸载区105设置在洁净度要求较高的第一区域101，透过内置的传动系统将承载盘在送回第一区域101，无需再另行设置回传构送回承载盘，有效降低设备设置成本，同时，半H型设置也有效的降低占地面积及过程中的污染；同时，对于未来产能的扩充极具弹性，只需沿自动交换104区域横向进行设置的增加即可。综上所述，本实用新型在突破先前之技术结构下，确实已达到所欲增进之功效，且也非熟悉该项技艺者所于思及，其所具之进步性、实用性，显已符合实用新型之申请要件，惟上详细明系针对本实用新型之一可实施之具体明，该实施并非用以限制本实用新型之专范围，而凡未脱本实用新型技艺所为之等效实施或变，均应包含于本案之专范围中。
权利要求1.一种用于异质结薄膜沉积系统组态分别跨越两种不同洁净区域的第一区域、第二区域极第三区域，其中第一区域的环境洁净度高于第二区域极第三区域；该异质结薄膜沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第二承载室、第三承载室及多个镀膜反应室、沉积室和卸载区。
2.根据权利要求I所述之一种用于异质结薄膜沉积系统组态，其中该加载区、自动交换区和卸载区设置于第一区域内。
3.根据权利要求第I项所叙述之一种用于异质结薄膜沉积系统组态，其中该第一承载室、第二承载室、第三承载室及多个镀膜反应室、沉积室设置于第二区域内。
专利摘要本实用新型目的一种用于异质结薄膜沉积系统组态，分别设置在不同的两个区域，第一区域、第二区域及第三区，其中第一区域的洁净度要求高于第二区域及第三区域；该异质结薄膜沉积系统组态依序包含加载区、自动交换区、第一承载室、第二承载室、第三承载室及多个镀膜反应室、沉积室和卸载区，由于整体呈半H型设置，有效降低占地面积，无需设置洁净度要求较高的回传机构，同时，也有效降低承载盘受环境的污染。
文档编号C23C28/00GK202730236SQ20122035558
公开日2013年2月13日 申请日期2012年7月23日 优先权日2012年7月23日
发明者周文彬, 刘幼海, 刘吉人 申请人:吉富新能源科技(上海)有限公司