硅片打磨工艺及其设备的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅片打磨设备，包括磨床，所述磨床的操作台上设置有基准块，所述基准块与物料间的配合面与所述磨床的操作台的作业面相垂直，所述基准块的后部设置有可驱动所述基准块沿其与物料间的配合面的垂直方向移动的调节驱动装置，且所述调节驱动装置与所述磨床相固定。所述硅片打磨设备的硅片打磨效率较高，并有效降低了工作人员的劳动强度。本发明还公开了一种应用上述硅片打磨设备的硅片打磨工艺。
【专利说明】硅片打磨工艺及其设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及多晶硅加工【技术领域】，特别涉及一种硅片打磨设备。本发明还涉及一种应用该硅片打磨设备的硅片打磨工艺。
【背景技术】
[0002]在一般的多晶硅加工生产过程中，通常会对已降级的硅片进行打磨处理，以使其达到一定的产品规格，从而降低因残品淘汰而导致的成本损失，而随着生产需求的不断提高，人们对硅片打磨工艺也提出了更高的要求。
[0003]目前现有的硅片打磨工艺实施过程中，通常是由工作人员利用碳化硅等辅料对待处理的硅片进行手工打磨，虽然该种现有的硅片打磨处理方式能够满足基本的生产加工需要，但由于其加工效率较低，且工人劳动强度较大，给相关的生产工序的顺利实施造成了诸多不利影响。
[0004]因此，如何提高硅片打磨的加工效率，并降低工人劳动强度是本领域技术人员目前需要解决的重要技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是提供一种硅片打磨设备，该硅片打磨设备能够有效提高硅片打磨效率，并使工人劳动强度相应降低。本发明的另一目的是提供一种应用上述硅片打磨设备的硅片打磨工艺。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种硅片打磨设备，包括磨床，所述磨床的操作台上设置有基准块，所述基准块与物料间的配合面与所述磨床的操作台的作业面相垂直，所述基准块的后部设置有可驱动所述基准块沿其与物料间的配合面的垂直方向移动的调节驱动装置，且所述调节驱动装置与所述磨床相固定。
[0007]优选地，所述调节驱动装置为气缸。
[0008]本发明还提供一种硅片打磨工艺，包括步骤:
[0009]物料固定，利用集成于磨床上的调节驱动装置将待处理的硅片与集成于磨床操作台上的基准块间夹紧固定；
[0010]起磨定位，根据磨床的磨头部分的损耗程度，设定硅片打磨的起始坐标位置；
[0011]打磨调整，根据硅片损伤层的范围和厚度，相应地调整每次打磨时的磨头进刀距离并实施打磨，直至将硅片打磨至符合相应的产品规格。
[0012]相对上述【背景技术】，本发明所提供的硅片打磨设备，包括磨床，所述磨床的操作台上设置有基准块，所述基准块与物料间的配合面与所述磨床的操作台的作业面相垂直，所述基准块的后部设置有可驱动所述基准块沿其与物料间的配合面的垂直方向移动的调节驱动装置，且所述调节驱动装置与所述磨床相固定。工作过程中，通过在磨床操作台上集成的基准块和调节驱动装置，将待处理的硅片固定于所述磨床操作台的适当位置处，并根据其损伤程度的不同以及磨床磨头的损耗程度利用所述调节驱动装置调整待处理硅片与所述基准块间的夹紧固定位置，之后利用所述磨床对待处理的硅片进行精磨，直至其符合相应的产品规格。所述硅片打磨设备的硅片打磨效率较高，并有效降低了工作人员的劳动强度。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1为本发明一种【具体实施方式】所提供的硅片打磨设备的装配结构俯视图；
[0015]图2为本发明一种【具体实施方式】所提供的硅片打磨工艺的流程图。
【具体实施方式】
[0016]本发明的核心是提供一种硅片打磨设备，该硅片打磨设备能够有效提高硅片打磨效率，并使工人劳动强度相应降低；同时，提供一种应用上述硅片打磨设备的硅片打磨工艺。
[0017]为了使本【技术领域】的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步的详细说明。
[0018]请参考图1，图1为本发明一种【具体实施方式】所提供的硅片打磨设备的装配结构俯视图。
[0019]在【具体实施方式】中，本发明所提供的硅片打磨设备，包括磨床，所述磨床的操作台11上设置有基准块12，基准块12与物料间的配合面121与磨床的操作台11的作业面相垂直，基准块12的后部设置有可驱动基准块12沿其与物料间的配合面121的垂直方向移动的调节驱动装置13，且调节驱动装置13与所述磨床相固定。工作过程中，通过在磨床操作台11上集成的基准块12和调节驱动装置13，将待处理的硅片固定于磨床操作台11的适当位置处，并根据其损伤程度的不同以及磨床磨头的损耗程度利用调节驱动装置13调整待处理硅片与基准块12间的夹紧固定位置，之后利用所述磨床对待处理的硅片进行精磨，直至其符合相应的产品规格。所述硅片打磨设备的硅片打磨效率较高，并有效降低了工作人员的劳动强度。
[0020]进一步地，调节驱动装置13为气缸。应当指出，该调节驱动装置13为气缸仅为优选方案，其并不局限于图1中所示的气缸，只要是能够满足所述硅片打磨设备的实际使用需要均可。
[0021]请参考图2，图2为本发明一种【具体实施方式】所提供的硅片打磨工艺的流程图。
[0022]在【具体实施方式】中，本发明所提供的硅片打磨工艺，包括:
[0023]步骤101:物料固定；
[0024]利用集成于磨床上的调节驱动装置将待处理的硅片与集成于磨床操作台上的基准块间夹紧固定，并可根据实际工况的不同通过所述调节驱动装置调整所述基准块与待处理硅片间的夹紧固定位置。
[0025]步骤102:起磨定位；
[0026]根据磨床的磨头部分的损耗程度，设定硅片打磨的起始坐标位置，以使其打磨起刀位置达到最优，从而使得所述硅片打磨工艺的处理效果更好。
[0027]步骤103:打磨调整；
[0028]根据硅片损伤层的范围和厚度，相应地调整每次打磨时的磨头进刀距离并实施打磨，直至将硅片打磨至符合相应的产品规格。根据每次进刀打磨后的处理效果实时调整下一次的进刀参数，以使其打磨效率更高，打磨效果更好。
[0029]综上可知，本发明中提供的硅片打磨设备，包括磨床，所述磨床的操作台上设置有基准块，所述基准块与物料间的配合面与所述磨床的操作台的作业面相垂直，所述基准块的后部设置有可驱动所述基准块沿其与物料间的配合面的垂直方向移动的调节驱动装置，且所述调节驱动装置与所述磨床相固定。工作过程中，通过在磨床操作台上集成的基准块和调节驱动装置，将待处理的硅片固定于所述磨床操作台的适当位置处，并根据其损伤程度的不同以及磨床磨头的损耗程度利用所述调节驱动装置调整待处理硅片与所述基准块间的夹紧固定位置，之后利用所述磨床对待处理的硅片进行精磨，直至其符合相应的产品规格。所述硅片打磨设备的硅片打磨效率较高，并有效降低了工作人员的劳动强度。
[0030]此外，本发明提供的应用上述硅片打磨设备的硅片打磨工艺，该硅片打磨工艺的硅片打磨效率较高，且工人劳动强度较低。
[0031]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
[0032]以上对本发明所提供的硅片打磨设备以及应用该硅片打磨设备的硅片打磨工艺进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
【权利要求】
1.一种硅片打磨设备，包括磨床，其特征在于:所述磨床的操作台上设置有基准块，所述基准块与物料间的配合面与所述磨床的操作台的作业面相垂直，所述基准块的后部设置有可驱动所述基准块沿其与物料间的配合面的垂直方向移动的调节驱动装置，且所述调节驱动装置与所述磨床相固定。
2.如权利要求1所述的硅片打磨设备，其特征在于:所述调节驱动装置为气缸。
3.一种硅片打磨工艺，其特征在于，包括步骤: 物料固定，利用集成于磨床上的调节驱动装置将待处理的硅片与集成于磨床操作台上的基准块间夹紧固定； 起磨定位，根据磨床的磨头部分的损耗程度，设定硅片打磨的起始坐标位置； 打磨调整，根据硅片损伤层的范围和厚度，相应地调整每次打磨时的磨头进刀距离并实施打磨，直至将硅片打磨至符合相应的产品规格。
【文档编号】B24B7/22GK104227523SQ201310243868
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年6月19日 优先权日:2013年6月19日
【发明者】陈巧, 孙立平, 徐志群, 金浩, 陈康平 申请人:晶科能源有限公司