一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺的为：贴片—配制体积含量5％清洗液—抛光机上轴压力：50kg，转速：40RPM—清洗10分钟—收取晶片—纯水冲洗—甩干—表面检测，利用抛光机将碱性清洗和刷洗相结合，从而达到与传统工艺清洗效果相同的品质要求，缩短了生产流程，增加了生产效率，在清洗剂和纯水的耗用上，有效的降低了耗用量，能够降低污水的排放量。
【专利说明】一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种清洗工艺，具体涉及一种蓝宝石晶片的清洗工艺。
【背景技术】
[0002] 在传统的蓝宝石清洗工艺中，首先需要经过碱性清洗剂清洗，其次通过刷洗去除 表面颗粒脏污从而达到要求洁净度。在这个过程中主要有以下几点不足的地方：
[0003] 1.设备的多样化：传统的清洗工艺需经过碱性清洗，刷洗；需要清洗机，刷洗机；
[0004] 2.流程的繁琐：生产流程的复杂化，生产效率较低；
[0005] 3.环境的污染和浪费：传统的清洗工艺，需要耗用大量的清洗剂和纯水，在排放 过程中，对环境的污染较严重。
【发明内容】
[0006] 本发明所要解决的技术问题是提供一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，利用抛光机 将碱性清洗和刷洗相结合，从而达到与传统工艺清洗效果相同的品质要求。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
[0008] -种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
[0009] (1)将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固定的 无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使蓝宝石晶片需清洗面裸露在外；
[0010] (2)将经步骤（1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板 内，使陶瓷盘贴有蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力轴压 合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为50?100kg;
[0011] (3)将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液 循环使用，每清洗1500?2000片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体 积体积浓度百分比为5% -10% ;
[0012] (4)启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转 动，对蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为30?40RPM，转动7?10分钟；
[0013] (5)清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取蓝宝石晶片；
[0014] (6)对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋3?5分钟，去除表面的清洗剂残留， 甩干去除表面残留水分，即可得清洗干净的蓝宝石晶片。
[0015] 上述一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其中，所述碱性晶片清洗剂的HP值为 10. 1-10. 6。
[0016] 上述一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其中，所述无蜡抛光垫每清洗8000? 10000片蓝宝石晶片更换一次。
[0017] 本发明将抛光机应用于蓝宝石晶片的清洗，缩短了生产流程，增加了生产效率，在 清洗剂和纯水的耗用上，有效的降低了耗用量，能够降低污水的排放量。
【专利附图】
【附图说明】
[0018] 图1为本发明实例一清洗后能够达到传统工艺清洗后的效果。
[0019] 图2为本发明清洗工装剖视图。
[0020] 图3为本发明无蜡抛光盘结构图。
[0021] 图4本发明清洗工装俯视图。
【具体实施方式】
[0022] 本发明蓝宝石晶片的清洗工艺是基于抛光机的清洗工装，所述清洗工装包括陶瓷 盘1、无蜡抛光垫2、上盘面3、下盘面4、陶瓷盘卡板5和压力轴6,所述无蜡抛光垫2的直径 与陶瓷盘相同，无蜡抛光垫2上表面周向设有若干晶片固定槽7,晶片固定槽7的深度小于 蓝宝石晶片12的厚度，晶片固定槽7内粘附一层绒布8,无蜡抛光垫2下表面通过背胶与陶 瓷盘1固定成一体；
[0023] 所述陶瓷盘卡板5为空心的圆环形结构，陶瓷盘1的数量为4个，均匀的设置在下 盘面4的上表面上，所述下盘面4的下表面上粘贴一层阻尼布9,所述陶瓷盘1固定在陶瓷 盘卡板5中，使贴有蓝宝石晶片12的一面与下盘面4相接触，所述压力轴6上设有压力盘 10,上盘面3固定在压力盘10上，并通过压力轴6压合在陶瓷盘1上；
[0024] 所述下盘面4上设有清洗液导流管11，清洗液从导流管11中流入下盘面4,在下 盘面4转动过程中，清洗液会分散到整个下盘面4。
[0025]实例一
[0026] -种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
[0027] (1)将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的2寸蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固 定的无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使2寸蓝宝石晶片需清洗面裸露在外，所述无蜡抛光垫 每清洗8000片蓝宝石晶片更换一次；
[0028] (2)将经步骤（1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板 内，使陶瓷盘贴有2寸蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力 轴压合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为50kg;
[0029] (3)将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液 循环使用，每清洗1600片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积 浓度百分比为5%，所述碱性晶片清洗剂的HP值为10. 5 ;
[0030] (4)启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转 动，对2寸蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为40RPM，转动10分钟；
[0031] (5)清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取2寸蓝宝石晶片；
[0032] (6)对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋5分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干 去除表面残留水分，即可得清洗干净的2寸蓝宝石晶片。
[0033]实例二
[0034] 一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为：
[0035] (1)将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的2寸蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固 定的无蜡抛光垫的晶片固定槽中，使2寸蓝宝石晶片需清洗面裸露在外，所述无蜡抛光垫 每清洗8000片蓝宝石晶片更换一次；
[0036] (2)将经步骤（1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板 内，使陶瓷盘贴有2寸蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力 轴压合陶瓷盘卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为80kg;
[0037] (3)将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液 循环使用，每清洗1400片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积 浓度百分比为10%，所述碱性晶片清洗剂的HP值为10. 5 ;
[0038] (4)启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转 动，对2寸蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为35RPM，转动8分钟；
[0039] (5)清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取2寸蓝宝石晶片；
[0040] (6)对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋4分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干 去除表面残留水分，即可得清洗干净的2寸蓝宝石晶片。
[0041] 在实例2的工艺流程中，一共清洗3000片蓝宝石晶片，相关数据分析如下：
[0042]
【权利要求】
1. 一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺为： (1) 将陶瓷盘全部浸泡入水中，将需清洗的蓝宝石晶片贴入与陶瓷盘相互固定的无蜡 抛光垫的晶片固定槽中，使蓝宝石晶片需清洗面裸露在外； (2) 将经步骤（1)浸泡后的陶瓷盘放入固定在抛光机的下盘面上的陶瓷盘卡板内，使陶 瓷盘贴有蓝宝石晶片的一面与下盘面相接触，再将抛光机的上盘面通过压力轴压合陶瓷盘 卡板上，使陶瓷盘卡入上盘面里，所述压力轴的压力为50 ~100kg ; (3) 将碱性晶片清洗剂与水混合为清洗液，将清洗液加入抛光机循环缸中，清洗液循环 使用，每清洗1500~2000片蓝宝石晶片更换一次清洗液，其中，碱性晶片清洗剂的体积体积 浓度百分比为5%-10% ; (4) 启动抛光机，向下盘面通入清洗液，使下盘面转动，下盘面带动上盘面进行转动，对 蓝宝石晶片进行清洗，下盘面转速为3(T40RPM，转动7 ~ 10分钟； (5) 清洗结束后，将陶瓷盘取下放入纯水中，收取蓝宝石晶片； (6) 对收取的蓝宝石晶片使用纯水进行喷淋3 ~ 5分钟，去除表面的清洗剂残留，甩干 去除表面残留水分，即可得清洗干净的蓝宝石晶片。
2. 如权利要求1所述的一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征为，所述碱性晶片清 洗剂的HP值为10. 1 -10. 6。
3. 如权利要求1所述的一种新型蓝宝石晶片的清洗工艺，其特征为，所述无蜡抛光垫 每清洗8000?10000片蓝宝石晶片更换一次。
【文档编号】B24B29/02GK104440496SQ201410625885
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月7日 优先权日:2014年11月7日
【发明者】陆晶程, 王禄宝 申请人:江苏吉星新材料有限公司