技术总结
本发明公开了一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统，包括机架、真空腔体和真空获得系统，真空腔体包括预真空室和工艺腔室，预真空室位于工艺腔室的上方且与工艺腔室连通，工艺腔室内分别设有溅射靶组件、加热组件、扫描小车、射频清洗台以及可从工艺腔室上升至预真空室的基片架，基片架上设有可隔断预真空室和工艺腔室的底板，扫描小车用于承接基片架上的基片盘并带动基片盘在溅射靶组件、加热组件、射频清洗台之间移动，真空获得系统用于对预真空室和工艺腔室抽真空。本发明具有成本低、可实现基片自动装载和连续在线溅射沉膜的优点。
技术研发人员：佘鹏程;彭立波;陈特超;毛朝斌;陈立宁
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十八研究所
文档号码：201610360059
技术研发日：2016.05.27
技术公布日：2017.02.15