相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月10日提交的美国申请no.15/065,914以及于2017年3月1日提交的美国申请no.15/446,059的优先权，上述两个申请的全部内容通过参引并入本文。多个不同的实施方案一般性地涉及用于提供可平坦化的工件支承件的方法、工件平坦化装置(arrangement)和卡盘。
背景技术：
：：通常，可以在基底(也称为晶片或载体)之上或之中以半导体技术来加工半导体材料，例如以制造集成电路(也称为芯片)。在加工半导体材料期间，可以应用某些处理步骤，如减薄晶片、掺杂半导体材料或在晶片之上形成一个或更多个层。通常，将晶片减薄以从集成电路的背面移除多余的材料，直到集成电路具有影响其电子效率的预定厚度为止。为了将所有集成电路精确地减薄至相同的厚度，集成电路可能需要平行于减薄平面对准。为了对准集成电路，可以将晶片结合到平坦化封装件中，该平坦化封装件被平坦化以提供两个几乎面平行的表面，这实现了晶片的所有集成电路的精确减薄。为了使两个几乎面平行的表面的偏差尽可能小，其上设置有平坦化封装件的卡盘可以在平坦化期间被调整至平坦化封装件被平坦化的平面。在该过程期间，卡盘可以通过自平坦化工艺面平行于平坦化平面对准。通常，由于工艺本身固有的技术上的偏差，自平坦化工艺在其精度方面受到限制。因此，平坦化封装件的几乎面平行的表面可以彼此偏离高达自平坦化工艺的最大精度。因而对于使集成电路的所得厚度的偏差(也称为总厚度偏差)尽可能小而言可能受限，例如，在300mm晶片直径的情况下大于约2μm。总厚度偏差可能无法被随后校正，并且可以被转移到进一步的处理步骤中。以示例的方式，易于制造的芯片的总厚度偏差的稳定性可以被限制为约±3μm，这例如是跨越多个经加工的晶片或晶片中的多个经加工的芯片而测量的。技术实现要素：根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括：卡盘，该卡盘包括构造成支承一个或更多个工件的至少一个部分；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成对卡盘的至少一个部分进行平坦化以及对卡盘的至少一个部分上的一个或更多个工件进行平坦化，其中所述卡盘的至少一个部分包括颗粒、孔和/或聚合物中的至少一者。附图说明在附图中，贯穿不同视图相同的附图标记一般指代相同的部件。附图不一定按比例绘制，而是通常重点放在说明本发明的原理上。在以下描述中，参照以下附图对本发明的多个不同的实施方案进行描述，在附图中：图1示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置的示意性俯视图；图2至图4以示意性截面图或侧视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置；图5以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘；图6a和图6b以示意图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘或工件-支承件；图7a和图7b以示意图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘或工件-支承件；图8a以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件-支承件；图8b和图9以示意性截面图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘；图10a以示意性截面图的方式示出了可替换工件-支承件，图10b以相应的俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的可替换工件-支承件；图11和图12以示意性流程图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的方法；图13a和图13b以示意性截面图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置；图14至图16以示意性流程图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的方法；图17a和图17b以示意性透视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的卡盘或工件-支承件；图18以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘；图19至图20以示意性截面图或侧视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的方法；图21a和图21b以示意性透视图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件-支承件；以及图22a和图22b以多个不同的示意图的方式分别示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置。图23a至图23c以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于使工件-支承件平坦化的方法中的工件-支承件。具体实施方式以下具体实施方式参照附图进行描述，所述附图通过说明的方式示出了可实现本发明的实施方案和具体细节。将词语“示例性”在本文用于表示“用作示例、实例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施方案或设计不一定要被解释为比其他实施方案或设计更优选或有利。关于形成在侧或表面“之上”的沉积的材料而使用的词语“之上”在本文可以用于表示沉积的材料可以“直接”形成在所指侧或表面“上”，例如，直接接触所指侧或表面。关于形成在侧或表面“之上”的沉积的材料而使用的词语“之上”在本文可以用于表示所沉积的材料可以“间接”形成在所指侧或表面“上”，其中一个或更多个另外的层被布置在所指侧或表面与沉积的材料之间。关于结构的(或基底、晶片或支承载体的)“侧向”延伸或“侧向”相邻而使用的术语“侧向”在本文可以用于表示沿着基底、晶片或支承载体的表面的延伸或位置关系。这表示可以使用基底的表面(例如，支承载体的表面或晶片的表面)作为参照，通常称为基底的主加工表面(或支承载体或晶片的主加工表面)。此外，关于结构的(或结构元件的)“宽度”而使用的术语“宽度”在本文可以用于表示结构的侧向延伸度。此外，关于结构的(或结构元件的)的高度而使用的术语“高度”在本文可以用于表示结构沿垂直于基底的表面(例如，垂直于基底的主加工表面)的方向的延伸度。关于层的“厚度”而使用的术语“厚度”在本文可以用于表示该层垂直于支承件(材料)的沉积有该层的表面的空间延伸度。如果支承件的表面平行于基底的表面(例如，平行于主加工表面)，则设置在支承件上的层的“厚度”可以与该层的高度相同。此外，“纵向”结构可以指代在垂直于侧向方向(例如，垂直于基底的主加工表面)的方向上延伸的结构并且“纵向”延伸可以指代沿垂直于侧向方向的方向的延伸(例如，垂直于基底的主加工表面的延伸)。根据多个不同的实施方案，基底(也称为晶片)和半导体区域中的至少一者可以包括各种类型的半导体材料或者由各种类型的半导体材料形成，所述各种类型的半导体材料例如包括：iv族半导体(例如硅或锗)；化合物半导体，例如iii-v族化合物半导体(例如砷化镓或氮化镓)；或者包括iii族半导体、v族半导体、iv-iv族半导体(例如碳化硅)或聚合物的其他类型。在一个实施方案中，基底和半导体区域中的至少一者由硅(掺杂的或未掺杂的)制成，在替代性实施方案中，基底和半导体区域中的至少一者是绝缘体上硅(soi)晶片。作为替代方案，任何其他合适的半导体材料可以用于基底和半导体区域中的至少一者，例如，如磷化镓(gap)、磷化铟(inp)的半导体化合物材料，以及任何合适的三元半导体化合物材料或四元半导体化合物材料，如砷化铟镓(ingaas)。根据多个不同的实施方案，晶片和半导体区域中的至少一者可以被加工以在半导体区域或相应晶片之中或之上中的至少之一处形成一个或更多个半导体芯片。半导体芯片可以包括有源芯片区。有源芯片区可以设置在晶片的半导体区域中，并且可以包括一个或更多个半导体电路元件例如晶体管、电阻器、电容器、二极管等。一个或更多个半导体电路元件可以配置成执行计算或存储操作。替代性地或附加地，一个或更多个半导体电路元件可以配置成例如在功率电子装置中(例如，使用一个或更多个功率半导体电路元件)执行开关或整流操作。各种半导体电路元件，如晶体管和二极管中的至少一者，可以配置成用于高电压应用(分别还称为高电压二极管或高电压晶体管)。替代性地或附加地，各种半导体电路元件，如晶体管和二极管中的至少一者，可以配置成发射极控制的(也称为emcon)。各种半导体电路元件可以是功率半导体电路元件。根据多个不同的实施方案，晶体管可以是多种不同类型的晶体管中的一种，如双极晶体管(bjt)、异质结bjt、肖特基bjt、绝缘栅极bjt(也称为igbt)、场效应晶体管(fet)、结型场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(mosfet)、双栅极mosfet、快速反向或快速恢复外延二极管fet、异质结构绝缘栅极fet、调制掺杂fet和隧道fet等。根据多个不同的实施方案，半导体芯片可以通过从晶片的切口区域移除材料而从晶片单切(singulated)出(也称为切割或切分晶片)。例如，从切口区域移除材料可以通过划线和断裂、劈裂、刀片切割、等离子体切割、激光锯切或机械锯切(例如使用切割锯)来处理。在单切半导体芯片之后，半导体芯片可以电接触并且例如通过模制材料被封装到芯片载体(也称为芯片壳体)中，其然后可以适于在电子设备中使用。例如，半导体芯片可以通过导线接合至芯片载体，并且芯片载体可以被焊接到印刷电路板和/或引线框(例如，igbt或功率mosfet)上。根据多个不同的实施方案，提供了用于使一个或更多个工件平坦化的方法、工件平坦化装置、卡盘和可替换工件-支承件(例如用于卡盘的)。一个或更多个工件(换言之，工件或各个工件)可以是包括晶片和牺牲材料(例如以牺牲薄片的形式)的平坦化封装件。可以理解在本文中也可以处理其他工件。根据多个不同的实施方案，认识到卡盘的自平坦化工艺由于卡盘所常规选择的材料而在其精度方面受到限制。常规的卡盘由钢制成并且涂覆有镍磷合金。对于自平坦化工艺，镍磷涂层的一部分被去除(例如，每次自平坦化约3μm至10μm)。镍磷涂层基本上比平坦化封装件更硬，这使得对于常规自平坦化工艺有必要修改整个装置的构造(例如，改变加工刀头(bit)、加工得更慢、回转地更慢)，导致热条件和机械条件中的至少一者不同于对一个或更多个工件进行平坦化(例如，平坦化封装件)的条件。该差异显著影响平坦化平面的两种构造，使得它们彼此不同。此外，常规的自平坦化需要长的工具停工时间(例如大于4小时至5小时)。在常规自平坦化期间可能会发生频繁的真空错误。此外，当镍磷涂层被耗尽时，卡盘不得不被替换，这导致成本很高。由于装置的修改和镍磷涂层的有限厚度，自平坦化工艺的总数和/或根据时间的自平坦化工艺的数目是有限的。因此，面平行对准容易受到卡盘的颗粒污染，特别是在颗粒不能通过无破坏清洁而移除的情况下尤为如此。多个不同的实施方案提供了用于带平坦化的新的卡盘设计。多个不同的实施方案提供用于卡盘(例如，晶片卡盘)的嵌体(inlay)(例如，由合成材料例如pet制成)。嵌体可以是廉价的部分，其可以在若干次自切割之后被改变。多个不同的实施方案提供了一种包括凹槽的嵌入盘。根据多个不同的实施方案，卡盘构造成使得其可以与一个或更多个工件具有相同的物理构造和与一个或更多个工件使用相同的加工刀头(例如，具有几乎相同的加工刀头构造)的至少一种情况下被自平坦化。因此，在用于对一个或更多个工件和卡盘两者进行平坦化的平坦化平面中不会发生差别，使得它们包括相同的平坦化平面。示例性地，卡盘可以包括与工件或各个工件(例如牺牲材料)相似的材料，使得卡盘能够在与工件或各个工件具有相同的物理构造以及与工件或各个工件使用相同的加工刀头中的至少一种情况下加工。通过示例的方式，卡盘可以包括具有弹性模块的聚合物(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯)或者由具有弹性模块的聚合物形成，卡盘构造成使得卡盘和一个或更多个工件可以在相同条件下被平坦化。与常规卡盘(例如具有镍磷涂层的卡盘)相比，可以提供以下：用于对一个或更多个工件以及卡盘进行平坦化(也称为自切割)的工艺参数可以是类似的，例如，可以是相同的。在对一个或更多个工件以及卡盘进行平坦化期间的热影响(例如应力)可以是类似的，例如，可以是相等的；总厚度偏差可以减小至小于约2μm，例如小于约1μm，例如小于约0.5μm，例如小于约0.2μm；替代性地或附加地，总厚度偏差可以在加工多于一个晶片，例如多于10个晶片，例如多于100个晶片，期间保持稳定(例如，可重现)工件平坦化装置可以使用相同物理构造和相同加工刀头(例如，具有相同的构造，也称为加工刀头构造)中的至少一种情况。换言之，不需要在对一个或更多个工件进行平坦化与对卡盘进行平坦化之间变换时修改工件平坦化装置；减少(例如避免)金刚石刀头的磨损并减少(例如避免)对金刚石刀头的损坏(在自平坦化期间)；减少(例如，避免)维护干预(示例性地，可以在标准构造中执行自平坦化)；减少工具停机时间(例如减少至少于几分钟)；降低由嵌体替换造成的成本；卡盘可以更频繁地自平坦化(也称为自切割)，例如超过每月一次，例如超过每周一次，例如超过每日一次，例如超过每小时一次，例如根据预定频率；增加集成电路制造和集成电路制造系统中至少一者的稳定性；减少维护和检修的工作量；减少加工刀头的磨损；如果识别到被颗粒污染，则可以执行自平坦化(例如，可以提供自动控制)；可以减少对卡盘和集成电路中的至少一者的污染的风险；以及可以增强在加工一个或更多个工件(例如，包括晶片)期间的真空的稳定性。根据多个不同的实施方案，可以改善晶片和/或集成电路的总厚度偏差。示例性地，提供了一种工件平坦化装置，该工件平坦化装置使得例如在300mm晶片直径的情况下能够将厚度偏差减小至小于1μm。这可以提高减薄工艺的重现性，减少有缺陷的集成电路的数目，并且提高集成电路的质量。图1以示意性俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置100。工件平坦化装置100可以包括卡盘102和可选地设置在卡盘102上的一个或更多个工件106。此外，工件平坦化装置100可以包括平坦化工具104。平坦化工具104可以包括能够绕回转轴101a回转101r的刀头载体104c。此外，平坦化工具104可以包括安装在刀头载体104c上的加工刀头104b。加工刀头104b可以包括刀片(tip)或者由刀片形成。替代性地或附加地，加工刀头104b可以包括切削部(blade)或者由切削部形成。可回转101r的刀头载体104c和卡盘102可以构造成相对于彼此至少两轴位移。两轴位移的第一轴101可以平行于回转轴101a。两轴位移的第二轴103可以垂直于回转轴101a。可回转刀头载体104c和卡盘102可以构造成用于沿着第一轴101的第一位移101d(还参见图2)和沿着第二轴103的第二位移103d中的至少一者。可选地，可回转刀头载体104c和卡盘102可以构造成用于沿着与第一轴101和第二轴103二者垂直的第三轴105的位移。使刀头载体104c回转和/或使加工刀头104b旋转的速度可以在从约500转每分钟至约5000转每分钟的范围内，例如在约1000转每分钟至约3000转每分钟的范围内，例如约2000转每分钟。第二位移103d的速度可以在从每秒约0.1mm至每秒约20mm(mm/s)的范围内，例如在从每秒约0.1mm至每秒约5mm的范围内，例如在从每秒约0.5mm至每秒约2mm的范围内，例如每秒约1mm。工件平坦化装置100可以包括飞刀(例如，discodfs8960)或者由飞刀形成。工件平坦化装置100可以包括具有金刚石刀片104b的回转主轴(rotatingspindle)104c。回转金刚石刀片104b可以构造成从一个或更多个工件106(例如，从设置在晶片上的牺牲薄片)移除材料。工件106或各个工件106可以被平坦化以提供具有彼此面平行的两个表面的一个或更多个工件106(也称为一个或多个平坦化工件)。根据多个不同的实施方案，可以减小平坦化期间的偏差。图2以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置200(例如沿方向105观察)，例如前面所描述的工件平坦化装置。刀头载体104c可以包括用于接收加工刀头104b的刀头座(socket)104h(示例性地，柄)。加工刀头104b可以经由刀头座104h以可替换的方式安装。根据多个不同的实施方案，以可替换的方式安装可以被理解为构造成用于例如，在不破坏或损坏彼此的情况下以可替换的方式安装的两个部件的非破坏性组装和拆卸。可回转刀头载体104c和卡盘102可以构造成用于例如通过将加工刀头104b与卡盘102和工件106或各个工件106中的至少一者之间的距离减小第一位移101d(例如，沿着第一轴101的第一位移101d)而使加工刀头104b与卡盘102和工件106(或各个工件106)中的至少一者物理接触。对于第一位移101d，卡盘102和平坦化工具104中的至少一者可以构造成平行于方向101(例如平行于轴101a)移动。对于第二位移103d，卡盘102和平坦化工具104中的至少一者可以构造成平行于方向103(例如垂直于轴101a)移动。图3以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置300(例如沿方向105观察)。平坦化工具104可以构造成使卡盘102上的工件106或各个工件106平坦化。当加工刀头104b物理接触卡盘102和工件106或各个工件106中的至少一者时，加工刀头104b可以绕回转轴101a回转。在物理接触期间，工件106或各个工件106可以通过减材制造(包括切割和机加工中的至少一者)来平坦化。工件106或各个工件106可以包括一个或更多个层或者由一个或更多个层形成，所述一个或更多个层例如为多个层(也称为层堆叠体)。工件106或各个工件106可以包括下述层中的至少一者或者由下述层中的至少一者形成：第一层106f、第二层106s、第三层106a和第四层106w。第一层106f(也称为牺牲层106f或待平坦化的部分)可以包括聚合物或者由聚合物形成，该聚合物例如为一个或更多个聚合物薄片(也称为聚合物膜)和/或一个或更多个聚合物带。带也可以称为自粘薄片。可选的第三层106a(也称为粘附层106a)可以包括粘附聚合物(例如酰亚胺)或者由粘附聚合物形成。第四层106w(也称为半导体层106w或晶片106w)可以包括半导体材料或者由半导体材料形成。可选的第二层106s(也称为稳定层106s)可以包括下述材料或者由下述材料形成：该材料与第一层106f和第四层106f中的至少一者相比更稳定(例如，更硬和更厚中的至少一者)。例如，第四层106w可以包括陶瓷、金属或/或玻璃中的至少一者或者由陶瓷、金属或/或玻璃中的至少一者形成。可选的第二层106s可以设置在第一层106f与第四层106w之间。第一层106f可以粘附于第二层106s(如果存在的话)。根据多个不同的实施方案，工件106或各个工件106的至少第一层106f可以由加工刀头104b减材制造。通过减材制造，可以形成工件106或各个工件106的平坦化表面106p。工件106或各个工件106的平坦化表面106p可以面平行于晶片106w的与卡盘102相接触的表面106b(与第一层106f相反)。晶片106可以包括一个或更多个集成电路106c，例如每个集成电路106c包括例如呈功率集成电路106c的形式的芯片、晶体管、二极管或者由例如呈功率集成电路106c的形式的芯片、晶体管、二极管形成。一个或更多个集成电路106c可以各自包括多个掺杂半导体区域。一个或更多个集成电路106c可以被第一层106f，可选地第二层106s以及可选地第三层106a覆盖。第一层106f可以通过使具有加工刀头104b的刀头载体104c回转101r来平坦化(平滑和对准)。根据多个不同的实施方案，加工刀头104b的机械硬度可以大于工件106或各个工件106的机械硬度(例如第一层106f、第二层106s、第三层106a和第四层106w中的至少一者的机械硬度)(例如，工件106或各个工件106的机械硬度的约200％或约500％)。根据多个不同的实施方案，加工刀头104b可以包括碳或者由碳形成，该碳例如呈金刚石构型和类金刚石碳构型中的至少之一。替代性地或附加地，加工刀头104b可以包括碳化物和氮化物中的至少一者(例如金属碳化物如碳化钨和/或金属氮化物)或者由碳化物和氮化物中的至少一者形成。例如，加工刀头104b可以包括陶瓷或者由陶瓷形成。陶瓷可以被认为是无机非金属固体材料，该无机非金属固体材料例如包括主要保持在离子和共价键中的金属原子、非金属原子和/或准金属原子。例如，陶瓷可以包括碳化物(例如，金属碳化物)、氮化物(例如金属氮化物)和氧化物(例如，金属氧化物如氧化铝，例如刚玉)或者由碳化物(例如，金属碳化物)、氮化物(例如金属氮化物)和氧化物(例如，金属氧化物如氧化铝，例如刚玉)形成。加工刀头104的机械硬度可以是大于约4的莫氏硬度(对应于大于约189的维氏硬度、大于约92的洛氏b硬度以及大于约13的洛氏c硬度)，例如大于或等于约5的莫氏硬度、例如大于或等于约6的莫氏硬度、例如大于或等于约7的莫氏硬度、例如大于或等于约8的莫氏硬度、例如大于或等于约9的莫氏硬度、例如大于或等于约9.5的莫氏硬度。示例性地，在平坦化之后，前表面106p和后表面106b是面平行的。在多个不同的实施方案中，第一层106f可以包括聚合物薄片或者由聚合物薄片形成。在多个不同的实施方案中，第二层106s可以包括玻璃板或者由玻璃板形成。在多个不同的实施方案中，第三层106a可以包括聚合物粘合剂或者由聚合物粘合剂形成。在多个不同的实施方案中，第四层106w可以包括半导体基底或者由半导体基底形成。在可选的实施方案中，第一层106f可以附接至第四层106w(例如，以直接物理接触或其间具有粘合剂的方式)。例如，聚合物薄片可以直接接触半导体基底(例如，在使用自粘薄片的情况下)。图4以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件平坦化装置400(例如沿方向105观察)。工件平坦化装置400可以包括卡盘102。卡盘102可以包括支承载体102c和工件-支承件102s或者由支承载体102c和工件-支承件102s形成。工件-支承件102s可以构造成接纳一个或更多个工件106。例如，工件106或各个工件106可以设置在工件-支承件102s中和在工件-支承件102s上中的至少一者。通过示例的方式，工件106或各个工件106可以例如通过粘附、紧固(例如通过销，螺钉等)和形状配合中的至少一者来附接而以可替换的方式安装至工件-支承件102s(也称为嵌体(inlay))。替代性地或附加地，可以使用静电粘附和气动粘附中的至少一者来安装工件-支承件102s。气动粘附可以通过在工件106或各个工件106与工件-支承件102s之间形成真空和保持真空中的至少一者来提供。工件-支承件102s的厚度(平行于回转轴101a的延伸度)可以大于约10微米(μm)，例如大于约100μm、例如大于约250μm、例如大于约500μm、例如大于约1毫米(mm)、例如大于约10mm。根据多个不同的实施方案，支承载体102c可以包括金属材料例如不锈钢或者由金属材料例如不锈钢形成。根据多个不同的实施方案，金属材料可以包括以下化学元素(也称为金属)的组中的至少一种化学元素或者由以下化学元素(也称为金属)的组中的至少一种化学元素形成：钨(w)、铝(al)、铜(cu)、镍(ni)、镁(mg)、铬(cr)、铁(fe)、锌(zn)、锡(sn)、金(au)、银(ag)、铱(ir)、铂(pt)、铟(in)、镉(cd)、铋(bi)、钒(v)、钛(ti)、钯(pd)、锆(zr)或者包括该化学元素的组中的至少一种化学元素的金属合金。通过示例的方式，金属合金可以包括以下或者由以下形成：至少两种金属(例如在金属间化合物的情况下为例如两个或多于两种金属)，或者至少一种金属(例如，一种或多于一种金属)和至少一种其他化学元素(例如，非金属或半金属)。通过示例的方式，金属合金可以包括以下或者由以下形成：至少一种金属和至少一种非金属(例如在钢(例如不锈钢)的情况下为例如碳(c)或氮(n))。通过示例的方式，金属合金可以包括以下或者可以由以下形成：多于一种金属(例如，两个或更多种金属)，例如，金和铝的各种组合物、铜和铝的各种组合物、铜和锌的各种组合物(例如，“黄铜”)或者铜和锡的各种组合物(例如，“青铜”)，例如，包括各种金属间化合物。根据多个不同的实施方案，金属材料可以是导电的。工件-支承件102s可以例如通过粘附、紧固(例如通过销、螺钉等)和形状配合中的至少一者以可替换的方式安装在支承载体102c上。替代性地或附加地，可以使用静电粘附和气动粘附中的至少一者。气动粘附可以通过在工件-支承件102s与支承载体102c之间形成真空和保持真空中的至少一者来提供。根据多个不同的实施方案，以可替换的方式安装可以被理解为构造成用于例如在不破坏或损坏工件-支承件102s和支承载体102c的情况下的非破坏性组装和拆卸。此外，工件平坦化装置400可以包括平坦化工具104。平坦化工具104可以构造成对工件-支承件102s进行平坦化(示例性地，用于通过自平坦化来调节卡盘)并且构造成当一个或更多个工件设置在卡盘102上时对一个或更多个工件进行平坦化。平坦化工具104和卡盘102可以构造成用于例如通过将加工刀头104b与工件-支承件102s之间的距离(沿着第一轴101的位移)减小第一位移101d来使平坦化工具104(例如，平坦化工具104的加工刀头104b)物理接触工件-支承件102s。对于第一位移101d，卡盘102和平坦化工具104中的至少一者可以构造成沿方向101(例如平行于轴101a)移动。平坦化工具104可以构造成对工件-支承件102s进行平坦化(也称为自平坦化)。当加工刀头104b物理接触工件-支承件102s时，加工刀头104b可以绕回转轴101a旋转。由于物理接触，工件-支承件102s的至少一个部分102p可以由平坦化工具104减材制造(包括切割和机加工中的至少一者)，从而形成工件-支承件102s的平坦化表面122p。工件-支承件102s的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分102p也可以称为牺牲支承区域102p。工件-支承件102s的平坦化表面122p可以面平行于由平坦化工具104限定的平坦化平面。牺牲支承区域102p(也称为工件-支承件102s的牺牲部分102p)的机械硬度可以小于支承载体102c和加工刀头104b中的至少一者的机械硬度(例如，为支承载体102c和加工刀头104b中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。替代性地或附加地，支承载体102c的机械硬度可以小于加工刀头104b的机械硬度(例如，为加工刀头104b的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。换言之，加工刀头104b的机械硬度可以大于(高于)支承载体102c和牺牲支承区域102p中的至少一者的机械硬度。在对一个或更多个工件106进行平坦化期间，工件106的至少一个部分106f可以由平坦化工具104减材制造。工件106或各个工件106的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分106f也可以称为牺牲工件区域106f。根据多个不同的实施方案，牺牲支承区域102p的机械硬度可以在牺牲工件区域106f(例如，第一层106f)的机械硬度的约20％至约500％的范围内，例如在牺牲工件区域106f的机械硬度的约50％至约200％的范围内。替代性地或附加地，牺牲支承区域102p的机械硬度可以小于镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(例如，为镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。镍基合金的机械硬度(例如大于约50的洛氏c硬度，对应于大于约469的布氏硬度)可以大于铁基合金的机械硬度(例如大于约25的洛氏c硬度，对应于大于约250的布氏硬度)。金属基合金可以指包括大于约50原子％的金属的合金，例如大于约70原子％的金属、例如大于约80原子％的金属、例如大于约90原子％的金属。牺牲支承区域102p、一个或更多个工件106、卡盘102、支承载体102c和工件-支承件102s中的至少一者的机械硬度可以小于加工刀头104的机械硬度(例如，为加工刀头104的机械硬度的约75％、约50、约25％、约10％、约5％或约2％)。根据多个不同的实施方案，工件-支承件102s可以完全由牺牲支承区域102p制成。替代性地，牺牲支承区域102p可以远离支承载体102c。通过示例的方式，牺牲支承区域102p可以包括至少一个层(例如参见图8)或者由至少一个层(例如参见图8)形成，所述至少一个层例如为薄片和板中的至少一者。根据多个不同的实施方案，机械硬度(也简称为硬度)可以理解为当施加压缩力时固体材料或物体对于各种类型的永久形变的耐性的量度。物体或材料的机械硬度可以取决于物体或材料的延展性、物体或材料的弹性刚度、物体或材料的塑性、物体或材料的应变、物体或材料的强度、物体或材料的韧性、物体或材料的粘弹性以及物体或材料的粘性中的至少一者。硬的物体或材料可以包括陶瓷、某些金属和金属化合物或者由陶瓷、某些金属和金属化合物形成。软的物体或材料可以包括聚合物如塑料或者由聚合物如塑料形成。硬的物体或材料可以具有比软的物体或材料更大的机械硬度。根据多个不同的实施方案，机械硬度的关系可以被理解为是指例如针对压痕硬度测量和刮擦硬度测量中的至少一者的相同的测量方法。压痕硬度测量可以揭示材料或物体因来自标准化物体例如尖锐物体的恒定压载荷而引起的变形的硬度。刮擦硬度测量可以揭示材料或物体因来自标准化物体例如尖锐物体的摩擦而产生的断裂或永久塑性变形的耐性。机械硬度可以指例如根据以下测量方法中的至少一种测量方法的压痕硬度：洛氏硬度(dineniso6508-1)、马腾斯硬度(dineniso14577)、布氏硬度(eniso6506-1至eniso6506-4)、维氏硬度(dineniso6507-1)和肖氏硬度(dineniso868和diniso7619-1)。替代性地或附加地，机械硬度可以指例如根据莫氏标度的刮擦硬度(莫氏硬度)或者例如根据罗西瓦标度的研磨硬度(罗西瓦硬度)。洛氏硬度在洛氏b硬度与洛氏c硬度之间可能不同。牺牲支承区域102p的机械硬度可以是小于或等于200的维氏硬度，例如小于或等于约150、例如小于或等于约100、例如小于或等于约75、例如小于或等于约50、例如小于或等于约25、例如小于或等于约20、例如小于或等于约10、例如小于或等于约5、例如小于或等于约2.5。牺牲支承区域102p的机械硬度可以是小于或等于约4的莫氏硬度(对应于小于或等于约189的维氏硬度、小于或等于约92的洛氏b硬度以及小于或等于约13的洛氏c硬度)，例如小于或等于约3的莫氏硬度(对应于小于或等于约109的维氏硬度和小于或等于约61的洛氏b硬度)、例如小于或等于约2.5的莫氏硬度、例如小于或等于约2的莫氏硬度(对应于小于或等于约36的维氏硬度)、例如小于或等于约1.5的莫氏硬度、例如小于或等于约1的莫氏硬度(对应于小于或等于约2.4的维氏硬度)。根据多个不同的实施方案，材料的机械硬度可以指由该材料制成的物体(例如，由该材料制成的块或无孔体)的标准化机械硬度。材料的机械硬度可以被理解为与物体的形状无关。根据多个不同的实施方案，机械硬度可以是空间平均机械硬度，例如在区域、物体和材料中的至少一者上的空间平均。根据多个不同的实施方案，根据第一测量方法的机械硬度可以转换为根据第二测量方法(例如，使用硬度转换表)的相应的机械硬度，例如，表示相同的物理性质。通过示例的方式，根据布氏硬度的机械硬度值可以基本上对应于根据维氏硬度的值(具有彼此小于10％的偏差)。在从第一测量方法至第二测量方法的转换期间可以保持本文中所描述的关系(更大或更小)。例如，关系“第一机械硬度大于第二机械硬度”可以保持，而与根据第一测量方法还是第二测量方法进行表示无关。具有第一机械硬度的物体或材料可以在施加物理接触它们的载荷(接触压力)时对具有第二机械硬度的物体或材料进行刮擦或变形中的至少一者。至少一个部分102p的厚度(平行于回转轴101a的延伸部)可以大于约10微米(μm)，例如大于约100μm、例如大于约250μm、例如大于约500μm、例如大于约1毫米(mm)、例如大于约10mm。图5以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘500(例如沿方向105观察)。根据多个不同的实施方案，支承载体102c可以包括用于连接至真空产生系统404的至少一个真空管线402(例如，多个真空管线402)。真空产生系统404可以包括至少一个泵例如真空泵或者由至少一个泵例如真空泵形成。真空产生系统404可以例如通过真空管连接至支承载体102c的至少一个真空管线402。真空产生系统404可以构造成经由连接而在支承载体102c的至少一个真空管线402中产生真空。真空管线402还可以被称为真空通道或真空管。根据多个不同的实施方案，工件-支承件102s可以包括至少一个通孔414(例如，多个通孔414)，所述至少一个通孔414(例如，多个通孔414)连接至支承载体102c的至少一个真空管线402(例如，使得工件-支承件102s上的一个或更多个工件可以在经由支承载体102c的至少一个真空管线402产生真空时通过抽吸来粘附)。换言之，至少一个通孔414可以设置成使得当工件-支承件102s设置在支承载体102c中和支承载体102c上中的至少一者时至少一个通孔414耦接至少一个真空管线402。根据多个不同的实施方案，工件-支承件102s可以包括连接至至少一个通孔414的凹部414r。凹部414r可以限定工件-支承件102s的粘附区域，一个或更多个工件106可以在经由支承载体102c的至少一个真空管线402产生真空时通过抽吸来粘附在该粘附区域之上。例如，在使一个或更多个工件106平坦化期间，可以经由至少一个通孔414在凹部414r中产生真空。凹部414r的深度(平行于回转轴101a的延伸度)可以小于工件-支承件102s和牺牲支承区域102p中的至少一者的厚度，例如，在工件-支承件102s和牺牲支承区域102p中的至少一者的厚度的约50％至约95％的范围内，例如大于约100μm、例如大于约250μm、例如大于约500μm、例如大于约1毫米(mm)、例如大于约10mm。卡盘500(例如，卡盘500的支承载体102c)可以包括用于工件粘附供给的供给端502。供给端502可以包括一个或更多个供给连接器或者由一个或更多个供给连接器形成。一个或更多个供给连接器可以构造成用于例如经由供给连接器连接至供给装置(例如，真空产生系统404或电压源404)。例如，如果卡盘500构造成用于通过抽吸来粘附工件106(也称为气动粘附)，则供给端502可以包括一个或更多个真空连接器或者由一个或更多个真空连接器形成。供给端502可以配置成耦合至或能够耦合至真空产生系统404。供给端502可以将所有真空管线402彼此耦合。气动粘附可以通过在真空管线402中和经由真空管线402中的至少一者形成和保持真空中的至少一者来提供。例如，如果卡盘500构造成用于通过静电力来粘附工件106(也称为静电粘附)，则供给端502可以包括一个或更多个电连接器或者由一个或更多个电连接器形成。供给端502可以配置成耦合至或能够耦合至对应的电压源404(例如，电源)。静电粘附可以通过向卡盘500(例如，卡盘500的工件-支承件102s)提供静电电位(也称为电压)来实现。可选地，供给端502可以配置成用于根据需要例如通过静电粘附和气动粘附中的至少一者来粘附工件-支承件102c。在相关实施方案中，支承载体102c可以包括多个真空管线402。工件-支承件102s可以包括多个通孔414。多个通孔414中的每个通孔可以连接至多个真空管线402中的至少一个真空管线。根据多个不同的实施方案，支承载体102c可以包括用于接纳工件-支承件102s的凹部416r。支承载体102c的凹部416r可以构造成使得当被接纳在支承载体102c的凹部416r中时工件-支承件体102s从支承载体102c突出。凹部416r可以有助于相对于支承载体102c定位工件-支承件102，以使每个通孔连接至至少一个真空管线。工件-支承件102s可以从支承载体102c突出大于约10微米(μm)，例如大于约100μm、例如大于约250μm、例如大于约500μm、例如大于约1毫米(mm)、例如大于约10mm。图6a以示意性截面图或俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的牺牲支承区域600(例如卡盘102或其工件-支承件102s)(例如沿方向101观察)，图6b以示意性截面图651的方式示出了牺牲支承区域600(例如沿方向105观察)。牺牲支承区域600可以被平坦化或待平坦化。牺牲支承区域600可以被理解为用于加工多个工件106(例如，在被替换之前)。在一个或更多个实施方案中，牺牲支承区域600可以在对卡盘102进行平坦化期间被消耗。在牺牲支承区域600被消耗之后，可以替换牺牲支承区域600(例如，通过替换完整卡盘102或至少工件-支承件102s)。换言之，牺牲支承区域600可以是磨损支承区域600。根据多个不同的实施方案，牺牲支承区域600可以包括彼此分开的两个或多于两个(多个)粘附区域602a、602b，例如彼此气体分离。通过示例的方式，粘附区域602a，602b可以通过一个或更多个突出的分隔壁604而彼此分开。多个粘附区域602a、602b中的每个粘附区域可以包括多个通孔414中的至少一个通孔。例如，第一粘附区域602a可以包括一个或更多个通孔414，第二粘附区域602b可以包括一个或更多个通孔414。第一粘附区域602a的一个或更多个通孔可以例如通过分隔壁604隔开而远离第二粘附区域602b的一个或更多个通孔。通过示例的方式，第一粘附区域602a可以至少部分地环绕第二粘附区域602b。可选地，一个或更多个另外的粘附区域可以至少部分地环绕第一粘附区域602a和第二粘附区域602b。根据多个不同的实施方案，多个粘附区域602a、602b中的至少一个粘附区域可以包括连接至多个粘附区域602a、602b中的粘附区域的至少一个通孔414的凹部414r。通过示例的方式，第一粘附区域602a可以包括连接至第一粘附区域602a的至少一个通孔414的凹部414r。替代性地或附加地，第二粘附区域602b可以包括连接至第二粘附区域602b的至少一个通孔414的凹部414r。根据多个不同的实施方案，多个粘附区域602a、602b中的每个粘附区域的分隔壁604可以是牺牲支承区域102p的一部分，例如，单片式地(monolithically)。多个粘附区域602a、602b中的每个粘附区域的分隔壁604可以是相应的粘附区域的凹部414r的侧壁。多个粘附区域602a、602b的凹部414r可以形成在牺牲支承区域600中。通过示例的方式，多个粘附区域602a、602b中的每个粘附区域的分隔壁604可以单片式地彼此连接，例如单片式地作为牺牲支承区域600的部分。图7a以示意性截面图或俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的牺牲支承区域700(例如卡盘102的牺牲支承区域或卡盘102的工件-支承件102s的牺牲支承区域)(例如沿方向101观察)，图7b以示意性截面图751的方式示出了牺牲支承区域700(例如沿方向105观察)。牺牲支承区域700可以被平坦化或待平坦化。根据多个不同的实施方案，多个粘附区域602a、602b中的至少一个粘附区域可以包括设置在多个粘附区域602a、602b中的粘附区域的凹部414r中的一个或更多个支承突出部704。通过示例的方式，第一粘附区域602a可以包括设置在第一粘附区域602a的凹部414r中的一个或更多个支承突出部704。替代性地或附加地，第二粘附区域602b可以包括设置在第二粘附区域602b的凹部414r中的一个或更多个支承突出部704。根据多个不同的实施方案，支承突出部704可以是工件-支承件700的至少一个部分的一部分。替代性地或附加地，支承突出部704可以单片式连接至彼此和连接至分隔壁604中的至少一者，例如，单片式地作为牺牲支承区域700的部分。图8a以示意性截面图或俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘的工件-支承件800(例如沿方向101观察)。根据多个不同的实施方案，工件-支承件800可以包括至少一个另外的部分802(例如，接近支承载体102c和第一侧800a中的至少一者)。示例性地，工件-支承件800的至少一个另外的部分802可以提供牺牲支承区域102p的稳定性。至少一个另外的部分802也可以称为支承稳定区域802。根据多个不同的实施方案，工件-支承件800和支承载体102c可以相对于彼此构造成使得工件-支承件800的至少一个部分102p从支承载体102c突出。牺牲支承区域102p可以包括待平坦化的表面和平坦化表面102p(也称为支承表面)中的至少一者，该平坦化表面102p提供与工件-支承件800上的一个或更多个工件106的物理接触。牺牲支承区域102p可以设置在工件-支承件800的第二侧800b(也称为支承侧)上。支承稳定区域802可以设置在工件-支承件800的第一侧800a(也称为安装侧)上。第一侧800a可以与第二侧800b相反。可选地，在牺牲支承区域102p与支承稳定区域802之间可以设置有工件-支承件800的一个或更多个附加部分。当工件-支承件800设置在支承载体102c中时，支承稳定区域802可以设置在支承载体102c与牺牲支承区域102p之间。根据多个不同的实施方案，工件-支承件800可以形成为板状。例如，工件-支承件800可以包括板(例如盘)或者由板(例如盘)形成。图8b以示意性截面图或俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的具有不可替换工件-支承件102s的卡盘850(例如沿方向101观察)。示例性地，卡盘850可以不必包括可替换工件-支承件102s。工件-支承件102s可以附接至卡盘850的支承载体102c。根据多个不同的实施方案，卡盘850可以包括牺牲支承区域102p和支承载体102c(示例性地，类似于支承稳定区域102c)。牺牲支承区域102p可以包括待平坦化表面和平坦化表面122p(也称为支承表面)中的至少一者，其提供与卡盘850上的一个或更多个工件106的物理接触。牺牲支承区域102p可以设置在卡盘850的第二侧800b(也称为支承侧)上。支承载体102c可以设置在卡盘850的第一侧800a(也称为安装侧)上。第一侧800a可以与第二侧800b相反。可选地，在牺牲支承区域102p和支承载体102c之间可以设置有卡盘850的一个或更多个附加部分。根据多个不同的实施方案，卡盘850可以形成为板状。例如，卡盘850可以包括板(例如盘)或者由板(例如盘)形成。卡盘850的牺牲支承区域102p可以构造成类似于可替换工件-支承件800的牺牲支承区域102p。对于作为卡盘850或可替换工件-支承件850的一部分的牺牲支承区域102(参见图8a和图8b)，牺牲支承区域102p的机械硬度可以小于支承稳定区域802和支承载体102c中的至少一者的机械硬度(例如为支承稳定区域802和支承载体102c中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。替代性地或附加地，牺牲支承区域102p的机械硬度可以小于镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金以及铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(例如为镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金以及铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。可选地，支承稳定区域802的机械硬度可以小于支承载体102c和加工刀头104b中的至少一者的机械硬度(例如为支承载体102c和加工刀头104b中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。根据多个不同的实施方案，牺牲支承区域102p可以包括涂层或者由涂层形成。涂层可以包括一个或更多个薄片(例如一个或更多个聚合物薄片)，或一个或更多个层(例如，形成涂层)(例如为一个或更多个聚合物层)，以及任选的用于将牺牲支承区域102p粘附至支承稳定区域802的粘附层；或者由上述部分形成。例如，牺牲支承区域102p(例如，一个或更多个薄片)可以例如通过粘附层而粘附至支承稳定区域802。附加地或替代性地，牺牲支承区域102p(例如，一个或更多个层)可以设置——例如喷涂或粉末沉积——在支承稳定区域802上。设置可以包括暴露于气溶胶(也称为气溶胶沉积，例如气溶胶涂覆)，其中气溶胶包括颗粒(例如固体和/或粘性的(例如液体)颗粒)。附加地或替代性地，牺牲支承区域102p(例如，一个或更多个层)可以被层压、压制和/或模制。例如，一个或更多个薄片可以层压在支承稳定区域802上以形成一个或更多个层。附加地或替代性地，材料可以被压制在支承稳定区域802上以形成一个或更多个层。压制可以包括使用压力使材料变形。层压例如可以包括在加热薄片的同时将薄片压制在支承稳定区域802上。例如，设置在支承稳定区域802上的材料(也称为牺牲材料)可以被模制和/或烧结以形成一个或更多个层。例如，可模制材料可以包括颗粒(例如来自气雾剂)或者由该颗粒(例如来自气雾剂)形成，和/或可以包括糊料(例如包括粘性材料和/或颗粒)或者由该糊料(例如包括粘性材料和/或颗粒)形成。例如，粘性材料可以通过加热固化(例如干燥)和/或形成其中嵌入有颗粒(例如金属颗粒)的基质(例如聚合物基质)。基质和颗粒可以因其材料(例如化学成分)而不同。附加地或替代性地，颗粒的硬度可以大于基质的硬度。根据多个不同的实施方案，牺牲支承区域102p(例如，颗粒、牺牲材料和/或薄片)可以包括聚合物(例如，有机的或无机的)或者由聚合物(例如，有机的或无机的)形成，该聚合物例如为合成橡胶、酚醛树脂(或酚醛塑料(bakelite))、氯丁橡胶、尼龙、聚氯乙烯(pvc或乙烯基)、聚苯乙烯、聚乙烯类(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯，也称为pet)、聚丙烯、聚丙烯腈、pvb、硅酮等中的至少一者。替代性地或附加地，牺牲支承区域102p(例如，颗粒、牺牲材料和/或薄片)可以包括下述金属材料或者由下述金属材料形成：该金属材料例如具有小于约4的莫氏硬度，例如小于约3的莫氏硬度、例如小于约2.5的莫氏硬度、例如小于约2的莫氏硬度、例如小于约1.5的莫氏硬度、例如小于约1的莫氏硬度。例如，牺牲支承区域102p的金属材料可以包括以下金属中的至少一者：铅、铟、银、铝、铜和金。例如，颗粒和/或至少一个层可以包括牺牲材料或者由牺牲材料形成，该牺牲材料例如为聚合物和/或金属。层压，模制和/或压制可以适于包括聚合物(例如聚合物颗粒和/或聚合物薄片)或由聚合物(例如聚合物颗粒和/或聚合物薄片)形成的牺牲支承区域102p(例如其一个或更多个层)。烧结、压制和/或模制可以适于包括金属(例如金属颗粒)或由金属(例如金属颗粒)形成的牺牲支承区域102p(例如其一个或更多个层)。可选地，模制、烧结、气溶胶沉积和/或粉末沉积可以产生牺牲支承区域102p(例如其一个或更多个层)，该牺牲支承区域102p(例如其一个或更多个层)包括多个孔(例如在相邻颗粒之间)和/或包括多个颗粒(例如，多个颗粒彼此接触，例如像晶粒和/或变形的颗粒)。例如，(在材料被致密化期间)已经熔化或烧结的颗粒仍然可以作为它们的残余物(例如变形的和/或互连的颗粒)而可见。这种(例如变形和/或互连的颗粒)颗粒也可以称为颗粒残余物。例如牺牲支承区域102p(例如其至少一个牺牲层)的孔隙率(也称为空隙分数或孔分数)可以指区域中的空隙空间并且可以被理解为在该区域(例如层或材料)的总体积或总面积上的空隙(也称为孔，例如气体的夹杂物)体积的部分。多孔层(例如，至少一个牺牲层)、区域(例如牺牲支承区域102p)或材料(换言之包括孔)例如可以具有在从约0.01至约0.9(例如，约0.1至约0.9)范围内的孔隙率，或者换言之，如在约1％至约90％(例如约10％至约90％)的范围内的百分数或小于约1％(例如，大于约0.01％，例如大于约0.1％)，例如在约0.01％至约1％的范围内。孔隙率可以指空间平均值，例如在区间上取平均。根据多个不同的实施方案，孔密度和空间孔尺寸可以限定孔隙率。替代性地或附加地，孔密度和孔隙率可以限定空间孔尺寸。替代性地或附加地，孔隙率和空间孔尺寸可以限定孔密度。存在的孔(例如包括在区域例如层中)越多，孔密度和/或孔隙率就越高。例如，多孔层、区域或材料的密度可以小于相应的体积密度(由于空隙)。根据多个不同的实施方案，支承稳定区域802可以包括例如不同于支承载体102的金属材料或者由例如不同于支承载体102的金属材料形成。作为卡盘850或工件-支承件850的一部分的牺牲支承区域102p可以如前所述地构造(参见例如图6a和图6b或图7a和图7b)。牺牲支承区域102p的厚度(平行于回转轴101a的延伸度)可以大于约10微米(μm)，例如大于约100μm、例如大于约250μm、例如大于约500μm、例如大于约1毫米(mm)、例如大于约10mm、例如大于约20mm。图9以示意性截面图或俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘900(例如沿方向101观察)。根据多个不同的实施方案，卡盘900可以包括支承载体102c和工件-支承件102s，该工件-支承件102s以可替换的方式安装在支承载体102c上。牺牲支承区域102p的机械硬度可以小于支承载体102c的机械硬度，例如，如前所述。可选地，工件-支承件102s可以至少一个部分延伸到支承载体102c中，如图9中图示的。替代性地，工件-支承件102s可以设置在支承载体102c上方(例如，参见图4)。在这两种情况下，至少牺牲支承区域102p可以从支承载体102c突出。这可以有助于通过平坦化工具104的平坦化来调节工件-支承件102s。图10a以示意性截面图的方式示出了根据多个不同的实施方案的可替换工件-支承件1000(例如，用于卡盘)(例如沿方向101，例如沿着截面1051观察)，图10b以示意性俯视图的方式示出了可替换工件-支承件1000。可替换工件-支承件1000可以包括第一侧800a，该第一侧800a构造成以可替换的方式安装至卡盘102的支承载体102c，例如构造成类似于之前所描述的支承载体102c。可替换工件-支承件1000还可以包括与第一侧800a相反的第二侧800b。第二侧800b可以构造成支承一个或更多个工件106和/或包括一个或更多个突出部。可替换工件-支承件1000还可以包括从第一侧800a延伸至第二侧800b的至少一个通孔414(例如多个通孔414)。这可以使得接纳在第二侧800b上方的一个或更多个工件106可以在至少一个通孔414中产生真空时通过抽吸来粘附。工件-支承件1000的靠近(例如，至少部分覆盖)第二侧800b的至少一个部分102p(牺牲支承区域102p)的机械硬度可以小于镍基合金例如镍磷合金以及铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(例如为镍基合金例如镍磷合金以及铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。替代性地或附加地，牺牲支承区域102p可以包括聚合物或者由聚合物形成。这可以使得能够通过经由平坦化工具106的平坦化来调节工件-支承件1000。图11以示意性流程图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于对一个或更多个工件进行平坦化的方法1100。根据多个不同的实施方案，该方法可以包括：在1102中，(例如从支承载体)替换(例如，安装和拆卸中的至少一者)卡盘的工件-支承件。该方法还可以包括：在1104中，使用平坦化工具对工件-支承件进行平坦化。例如，该方法可以包括：在1104中，使用平坦化工具对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化。该方法还可以包括：在1106中，在对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在工件-支承件上方。该方法还可以包括：在1108中，使用平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化。例如，该方法可以包括：在1108中，使用平坦化工具对工件或各个工件的至少一个部分进行平坦化。工件-支承件可以如本文中所述的进行构造。工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以小于接纳工件-支承件的卡盘的支承载体。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以在工件或各个工件的至少一个部分(例如，牺牲工件区域)的机械硬度的约20％至约500％的范围内，例如在工件或各个工件的至少一个部分的机械硬度的约50％至约200％的范围内。替代性地或附加地，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以小于镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金以及铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(例如为镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金以及铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。可以使用平坦化工具来对工件或各个工件的至少一个部分进行平坦化。可选地，该方法可以包括使用平坦化工具对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化。通过示例的方式，(工件或各个工件以及工件-支承件中的至少一者的)至少一个部分可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，多于一个工件106可以包括多个工件106，例如多于约10个工件、例如多于约100个工件、例如多于约1000个工件。根据多个不同的实施方案，可以使用工件平坦化装置顺序地(换言之，一个接一个地)对多个工件106进行平坦化。根据多个不同的实施方案，一个或多个工件106的平坦化可以在工件-支承件的第一平坦化与工件-支承件的第二平坦化之间进行。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的平坦化可以在第一工件(或多个第一工件)106的平坦化与第二工件(或多个第二工件)106的平坦化之间进行。图12以示意性流程图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于调节工件平坦化装置的方法1200。工件平坦化装置可以包括例如本文所述的那样构造的卡盘和平坦化工具。卡盘可以包括支承载体和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件或者由支承载体和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件形成。工件-支承件的机械硬度可以小于支承载体的机械硬度(例如为支承载体的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。根据多个不同的实施方案，该方法可以包括在1202中：替换(例如，安装和拆卸中的至少一者)卡盘的工件-支承件(例如，安装在支承载体上或相应地从支承载体拆卸)。该方法还可以包括：在1202中，通过平坦化工具对工件-支承件进行平坦化。例如，该方法可以包括使用平坦化工具对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化。该方法可以可选地包括：在对工件-支承件进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在工件-支承件上方。该方法可以可选地包括：使用平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化。例如，该方法可以包括使用平坦化工具对工件或各个工件(例如多于一个工件中的每个工件)的至少一个部分进行平坦化。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以在工件或各个工件的至少一个部分的机械硬度的约20％至约500％的范围内(例如，工件或各个工件的牺牲层)，例如在工件或各个工件的至少一个部分的机械硬度的约50％至约200％的范围内。替代性地或附加地，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以小于镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(例如为镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。可以使用平坦化工具来对一个或更多个工件(例如，工件或各个工件)(的例如至少一个部分)进行平坦化。可选地，该方法可以包括使用平坦化工具来对工件-支承件(的例如至少一个部分)进行平坦化。通过示例的方式，(工件或各个工件和工件-支承件中的至少一者的)至少一个部分可以包括聚合物或者由聚合物形成。图13a以示意性截面图或俯视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的具有一个或更多个工件106的工件平坦化装置1300(例如沿方向101观察)，图13b以相同的视图的方式示出了不具有工件106的工件平坦化装置1300。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置1300可以包括卡盘102和平坦化工具104。平坦化工具104可以构造成对卡盘102(不具有一个或更多个工件106)进行平坦化以及对卡盘102上的一个或更多个工件106进行平坦化。示例性地，对卡盘102进行平坦化(也称为自平坦化)可以调节卡盘102用于对一个或更多个工件106进行平坦化。根据多个不同的实施方案，卡盘102的(平坦化或待平坦化的)部分102p的硬度可以构造成使得对卡盘102的(平坦化或待平坦化的)部分102p进行平坦化以及对一个或更多个工件106(换言之，工件或各个工件106)的待平坦化的部分106f进行平坦化使用具有相同物理构造和相同加工刀头构造(换言之，在用于对一个或更多个工件进行平坦化的第一加工刀头构造以及用于对卡盘的至少一个部分进行平坦化的第二加工刀头构造中，其中，第一加工刀头构造和第二加工刀头构造是相同的)中的至少一者的平坦化工具104。具有相同的物理构造可以理解为平坦化工具104的物理构造在对一个或更多个工件106进行平坦化与对卡盘102进行平坦化之间不一定改变。例如，平坦化工具104可以安装成相对于卡盘102具有相同位置和相同取向中的至少一者。具有相同的加工刀头构造可以理解为使用具有例如相同物理构造的相同的加工刀头104b。例如，(例如，一个和同一个)加工刀头104b可以安装成相对于卡盘102具有相同位置和相同取向中的至少一者。替代性地或附加地，加工刀头104b可以安装成与刀头座104h中的相同位置和相同取向中的至少一者中。例如，使卡盘102(例如，卡盘102的工件-支承件102s)平坦化可以使用相同(例如机械条件和热条件中的至少一者的)条件作为使一个或更多个工件106(换言之，工件或各个工件106)平坦化。例如，使卡盘102(例如，卡盘102的工件-支承件102s)平坦化和使一个或更多个工件106平坦化可以使用与以下参数中的至少一者相同的参数：平坦化工具104(例如其加工刀头104b)的回转101r速度、第二位移103d速度、加工刀头104b旋转的速度、以及卡盘102与平坦化工具104(例如其加工刀头104b)之间的接触压力。替代性地，上述参数中的至少一者可以在使一个或更多个工件10平坦化6与使卡盘102平坦化之间不同。例如，使卡盘102平坦化(例如其工件-支承件102s)和使一个或更多个工件106平坦化可以在以下参数中的至少一者上不同(例如，小于约90％、例如小于约75％、例如小于约50％、例如小于约25％)：平坦化工具104(例如其加工刀头104b)的回转101r速度、第二位移103d速度(也称为位移速度)、加工刀头104b的旋转速度、以及卡盘102与平坦化工具104(例如其加工刀头104b)之间的接触压力。根据多个不同的实施方案，用于使卡盘102(例如其工件-支承件102s)平坦化和使一个或更多个工件106平坦化的第二位移103d的速度可以大于约0.1mm/s、例如大于约0.2mm/s、例如大于约0.3mm/s、例如大于约0.4mm/s、例如大于约0.5mm/s、例如大于约0.75mm/s、例如大于或等于约1mm/s(例如，在从约1mm/s至约2mm/s的范围内)、例如大于或等于约2mm/s、例如大于或等于约5mm/s。根据多个不同的实施方案，平坦化工具104的回转101r和用于使卡盘102(例如，其工件-支承件102s)平坦化并使一个或更多个工件106平坦化的加工刀头104b的旋转中的至少一者的速度可以大于约500转每分钟(也称为每分钟旋转数或每分钟回转数)，例如大于约1000转每分钟、例如大于约1500转每分钟或等于1500转每分钟、例如大于约2000转每分钟、例如大于约2200转每分钟或等于2200转每分钟。根据多个不同的实施方案，卡盘102的(平坦化或待平坦化的)部分102p的机械硬度可以小于下述机械硬度中的至少一者的五倍(500％)(例如为下述机械硬度中的至少一者的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)：一个或更多个工件106的(平坦化或待平坦化的)部分106f(例如牺牲层106f)的机械硬度、镍基合金例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度。通过示例的方式，卡盘102可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置1300可以包括传感器，该传感器构造成用于感测平坦化工件106的总厚度偏差。如果总厚度偏差满足预定标准(例如，超过预定值)，则可以例如自动开始自平坦化。因此，工件平坦化装置1300可以包括控制器，该控制器构造成用于将总厚度偏差与预定标准进行比较并且构造成在总厚度偏差满足预定标准的情况下开始自平坦化。替代性地或附加地，工件平坦化装置1300可以包括开关，该开关构造成在开关被按下的情况下开始自平坦化。在自平坦化期间，工件平坦化装置1300可以具有如下工件平坦化构造，其中，平坦化工具104构造成使卡盘102上的一个或更多个工件106平坦化。换言之，卡盘102的至少一个部分102p可以由具有工件平坦化构造的平坦化工具平坦化。在替代性实施方案中，作为可回转加工刀头104b的替代或补充，卡盘102可以绕回转轴回转。在一个或更多个实施方案中，卡盘102可以由聚合物制成。图14以示意性流程图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于使一个或更多个工件平坦化的方法1400。工件平坦化装置可以包括例如如本文中所描述的那样构造的卡盘和平坦化工具。根据多个不同的实施方案，该方法可以包括：在1402中，使用平坦化工具使工件-支承件(工件-支承件的至少一个部分)平坦化。该方法还可以包括：在1404中，在使工件-支承件平坦化之后将一个或更多个工件设置在工件-支承件上方。该方法还可以包括：在1406中，使用平坦化工具使一个或更多个工件(例如，一个或更多个工件的至少一个部分)平坦化。根据多个不同的实施方案，工件-支承件(例如工件-支承件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)的硬度可以构造成使得对工件-支承件(工件-支承件的至少一个部分)进行的平坦化和对一个或更多个工件(例如一个或更多个工件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)进行的平坦化使用具有相同物理构造(例如，无需修改或重新构造)和具有相同加工刀头(例如，具有相同构造，换言之，无需修改或重新构造)中的至少一者的平坦化工具。这可以使得两个平坦化能够相对于彼此进行调节。替代性地或附加地，工件-支承件(例如工件-支承件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)的硬度可以构造成使得对工件-支承件(例如工件-支承件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)进行的平坦化和对一个或更多个工件(例如一个或更多个工件的至少一个部分)进行的平坦化使用在工件-支承件与平坦化工具之间具有相同物理构造(例如用于将平坦化支承表面和平坦化工件表面相对于彼此进行调节)和相同加工刀头中的至少一者而进行。图15以示意性流程图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于使一个或更多个工件平坦化的方法1500。工件平坦化装置可以包括例如如本文中所描述的那样构造的卡盘和平坦化工具。该方法可以包括：在1502中，使用平坦化工具对工件-支承件进行平坦化。该方法还可以包括：在1504中，在对工件-支承件进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在工件-支承件上方。该方法还可以包括：在1506中，使用用于形成一个或更多个工件的平坦化工件表面的平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，工件-支承件(例如工件-支承件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)的硬度可以构造成使得对工件-支承件(例如工件-支承件的至少一个部分)进行的平坦化和对一个或更多个工件(例如一个或更多个工件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)进行的平坦化使用相同物理构造的平坦化工具和加工刀头(例如，同一加工刀头)中的至少一者。替代性地或附加地，工件-支承件(例如工件-支承件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)的硬度可以构造成使得对工件-支承件(例如工件-支承件的至少一个部分)进行平坦化和对一个或更多个工件(例如一个或更多个工件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)进行平坦化使用在工件-支承件与平坦化工具之间的至少一者具有相同的物理构造以及加工刀头(例如，用于将平坦化支承表面和平坦化工件表面相对于彼此进行调节)。图16以示意性流程图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于调节工件平坦化装置的方法1600。工件平坦化装置可以包括如本文中所描述的那样构造的卡盘和平坦化工具。卡盘可以包括支承载体和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件或者由支承载体和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件形成。工件-支承件(例如工件-支承件的例如平坦化或待平坦化的至少一个部分)的机械硬度小于支承载体的机械硬度(例如为支承载体的机械硬度的约75％、约50％、约25％、约10％、约5％或约2％)。该方法可以包括：在1602中，提供平坦化工具(例如，平坦化工具的加工刀头)的如下工件平坦化构造，其中，平坦化工具构造成使工件-支承件上的一个或更多个工件平坦化。该方法还可以包括：在1604中，通过具有工件平坦化构造的平坦化工具使工件-支承件(例如工件-支承件的至少一个部分)平坦化。图17a以透视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的卡盘的可替换工件-支承件1700(例如，用于卡盘)或不可替换工件-支承件1700，图17b以详细视图的方式示出了工件-支承件1700。工件-支承件1700可以包括设置在多个粘附区域602a、602b中的每个粘附区域的凹部中的多个支承突出部704。根据多个不同的实施方案，与常规卡盘相比，可以提供聚合物工件-支承件1700。工件-支承件1700可以被构造在第二侧800b上，使得提供至少两个粘附区域602a、602b(也称为真空区域)。通过示例的方式，较小的粘附区域602b可以具有约8英寸的直径，较大的粘附区域602a可以具有约12英寸的直径。可替换工件-支承件1700和不可替换工件-支承件1700可以使得在不改变平坦化工具104的构造(热构造和机械构造中的至少一者)的情况下能够使卡盘平坦化。可替换的工件-支承件1700可以是例如构造成以低成本生产和替换(例如，在耗尽或不可逆污染的情况下)的磨损部件。根据多个不同的实施方案，可以监测(例如，由传感器感测)总厚度偏差。如果总厚度偏差满足预定标准(例如，超过预定值)，则可以开始自平坦化。图18以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的具有不可替换工件-支承件102s的卡盘1800。不可替换工件-支承件102s可以构造成类似于本文中所描述的可替换工件-支承件。根据多个不同的实施方案，卡盘1800(例如卡盘1800的至少一个部分102p)可以包括牺牲材料或者由牺牲材料形成。牺牲材料可以构造成提供卡盘1800的至少一个部分102p的机械硬度，如下面所构造的那样。卡盘1800(例如，整个卡盘1800)的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分102p的机械硬度可以在一个或更多个工件的(平坦化或待平坦化)的至少一个部分的机械硬度的约20％至约500％的范围内，例如，在一个或更多个工件的至少一个部分的机械硬度的约50％至约200％的范围内。替代性地或附加地，卡盘1800(例如，整个卡盘1800)的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分102p的机械硬度可以小于镍基合金例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(换言之，镍基合金和/或铁基合金的机械硬度)(例如为镍基合金例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的大约75％、大约50％、大约25％、大约10％、大约5％或大约2％)。图19以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于减薄晶片的方法1900。根据多个不同的实施方案，该方法可以包括：在1902中，提供包括多个集成电路106c的晶片106w。晶片106w可以包括半导体材料或者由半导体材料形成，例如包括硅或者由硅形成。多个集成电路106c中的每个集成电路可以通过至少两个(例如，两个或三个)接触焊盘电接触。该方法还可以包括：在1904中，将晶片106w和稳定层106s例如玻璃载体耦合。耦合晶片106w可以包括使用粘附层106a将晶片106w粘附至稳定层106s。该方法还可以包括：在1906中，在稳定层106s上方设置牺牲层106f(例如，自粘带)。牺牲层106f可以包括牺牲材料(例如聚合物)或者由牺牲材料(例如聚合物)形成。牺牲材料可以构造成使得牺牲层106f具有第一机械硬度。第一机械硬度可以小于镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度(例如为镍基合金(例如通过化学镀镍制造)例如镍磷合金和铁基合金例如钢中的至少一者的机械硬度的大约75％、大约50％、大约25％、大约10％、大约5％或大约2％)。该方法还可以包括：在1908中，例如通过减材制造(例如包括切割和机加工中的至少一者)使牺牲层106f平坦化。通过使牺牲层106f平坦化，可以形成平坦化表面106p。平坦化表面106p可以面平行于晶片的与牺牲层106f相反的后表面106b。根据多个不同的实施方案，平坦化封装件106f、106s、106a、106w(包括牺牲层106f、稳定层106s、粘附层106a和晶片106w中的至少一者)可以是一个或更多个工件106。该方法还可以包括：在1910中，减薄晶片106w。减薄晶片106w可以包括例如通过减材制造(例如包括研磨)去除晶片106w的材料(从后表面106b)。例如，减薄晶片106w可以包括晶片中形成凹部或者通过在晶片中形成凹部而形成。可选地，减薄晶片106w可以包括形成凹部116r和突出边缘(protrudingrim)106r(有时也称为太鼓环(taikoring))中的至少一者。在减薄晶片106w之后，多个集成电路106c中的两个集成电路(例如，彼此以最大间隔设置，例如直径)之间的晶片106w的厚度偏差可以小于约1μm，例如小于约0.5μm、小于约0.2μm。在多个不同的实施方案中，减薄晶片106w可以包括减薄晶片106w的至少一个部分(换言之，部分或完全地减薄晶片106w)。图20以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于使卡盘(例如，卡盘的工件-支承件102s)平坦化的方法2000。根据多个不同的实施方案，该方法可以包括：在2002中，提供待平坦化的卡盘102(例如，卡盘102的工件-支承件102s)的至少一个部分102p。待平坦化的至少一个部分102p可以偏离预定平面2001例如至少约0.1μm、例如至少约0.2μm、例如至少约0.5μm、例如至少约1μm、例如至少约2μm、例如至少约3μm、例如至少约4μm、至少约5μm、例如至少约6μm、例如至少约7μm、例如至少约8μm、例如至少约9μm、例如至少约10μm。例如，至少一个部分102p可能被颗粒2003污染。替代性地或附加地，至少一个部分102p可以包括不平坦表面(例如由支承突出部704提供)或者由不平坦表面(例如由支承突出部704提供)形成。平面2001可以由平坦化工具104预定。在一个或更多个实施方案中，预定平面2001可以偏离数学上的平坦平面(例如，由于物理容差)。预定平面2001可以面平行于(或至少大致面平行于)由平坦化工具104限定的平坦化平面或者可以是由平坦化工具104限定的平坦化平面。例如，预定平面2001可以垂直于回转轴101a(参见图2)。替代性地或附加地，预定平面2001可以平行于(或至少大致平行于)第二位移103d中的至少一者(参见图2)。在多个不同的实施方案中，预定平面2001可以平行于(或至少大致平行于)方向103和方向105(参见图2)。该方法还可以包括：在2004中，例如通过平坦化工具104使至少一个部分102p平坦化。使至少一个部分102p平坦化可以包括至少一个部分102p例如使用加工刀头104b的减材制造。加工刀头104b可以例如通过刀头载体104c的回转101r而在至少一个部分102p上方移动。该方法还可以包括：在2006中，通过使至少一个部分102p平坦化而形成至少一个平坦化部分102p’。至少一个平坦化部分102p’可以大致面平行于预定平面2001，例如，至少一个平坦化部分102p’可以偏离预定平面2001小于至少一个部分102p(在2004中平坦化之前)，例如小于或等于约2μm、例如小于约1μm、例如小于约0.5μm、小于约0.2μm。偏差可以理解为在预定平面2001的一定侧向延伸上，例如大于或等于约100mm、例如大于或等于约200mm、例如大于或等于约300mm，测量的。通过示例的方式，至少一个平坦化部分102p’与预定平面2001的偏差可以小于约2μm(例如，大于或等于约300mm)。在减薄晶片106w之后，可以移除牺牲层106f，并且可选地可以移除稳定层106s和粘附层106a中的至少一者(如果存在的话)。集成电路106c可以被进一步加工(例如，顶部上的第三层106a)，例如被单切。图21a以立体图的方式示出了根据多个不同的实施方案的工件-支承件2100，图21b以详细视图的方式示出了工件-支承件2100。工件-支承件2100可以包括合成聚合物或者由合成聚合物形成，该合成聚合物例如为热塑性塑料和弹性体中的至少一者。工件-支承件2100可以包括多于两个粘附区域602a、602b、602c或者由多于两个粘附区域602a、602b、602c形成。多于两个粘附区域602a、602b、602c中的每个粘附区域可以包括环形凹部414r(例如呈凹槽的形式)。图22a以俯视图以及对应的截面图2101和侧视图2203的方式示出了根据多个不同的实施方案的平坦化装置2200(例如，在第二侧800b上)，图22b以俯视图的方式示出了不具有卡盘102的卡盘座2202的俯视图。平坦化装置2200可以包括卡盘座2202。卡盘座2202可以包括开口2202o。卡盘102(例如，卡盘102的支承载体102c)可以包括一个或更多个真空口412(例如，在供给端中)。一个或更多个真空口412可以耦接至卡盘102的至少一个真空管线402。卡盘102(例如，卡盘102的支承载体102c)可以包括第一安装结构102f，该第一安装结构102f构造成将卡盘102安装在卡盘座2202处，例如在卡盘座2202的对应的第二安装结构2202f处。例如，卡盘102可以通过螺钉安装在卡盘座2202处。卡盘座2202的开口2202o可以露出卡盘102(例如，卡盘102的支承载体102c)的第一侧800a的至少一个部分，例如至少供给端502。例如，卡盘座2202的开口2202o可以露出卡盘102的真空口412。卡盘座2202的开口2202o可以延伸穿过卡盘座2202，例如从卡盘座2202的第一侧800a延伸至卡盘座2202的与第一侧800a相反的第二侧800b。图23a至图23c以示意性截面图或侧视图的方式示出了根据多个不同的实施方案的用于使工件-支承件102s平坦化的方法中的工件-支承件102s。在没有支承载体102c(例如，不存在支承载体102c)、例如工件-支承件102s被从支承载体102c拆卸(例如，分离)的情况下(例如，在工件-支承件102s构造成用于以可替换的方式安装至支承载体102c的情况下)，方法2300a至2300b可以应用于工件-支承件102s(例如，其支承稳定区域802)。替代性地，方法2300a至2300b可以应用于整个卡盘102(例如，在工件-支承件102s没有构造成用于以可替换的方式安装至支承载体102c的情况下，或者在工件-支承件102保持安装至支承载体102c的情况下)。根据多个不同的实施方案，该方法可以包括：在2300b中，提供工件-支承件102s的待平坦化的至少一个部分102p。例如，从支承载体102c拆卸或者安装至支承载体102c的工件-支承件102s例如可以设置为卡盘102的待平坦化的部分。待平坦化的至少一个部分102p例如可以从预定平面2001偏离例如至少约0.1μm、例如至少约0.2μm、至少约0.5μm、例如至少约1μm、例如至少约2μm、例如至少约3μm、例如至少约4μm、例如至少约5μm、例如至少约6μm、例如至少约7μm、例如至少约8μm、例如至少约9μm、至少约10μm。例如，至少一个部分102p可能例如被颗粒2003污染。替代性地或附加地，至少一个部分102p可以包括不平坦表面(例如，由支承突出部704提供)或者由不平坦表面形成。如前文所述，平面2001可以由平坦化工具104预定。在一个或更多个实施方案中，预定平面2001可能偏离数学上的平坦平面(例如，由于物理容差)。预定平面2001可以面平行于(或至少大致面平行于)由平坦化工具104限定的平坦化平面或者可以是由平坦化工具104限定的平坦化平面。例如，预定平面2001可以垂直于回转轴101a(参见图2)。替代性地或附加地，预定平面2001可以平行于(或至少大致平行于)第二位移103d中的至少一者(参见图2)。在多个不同的实施方案中，预定平面2001可以平行于(或至少大致平行于)方向103和方向105(参见图2)。该方法还可以包括：在2300c中，例如通过平坦化工具104使至少一个部分102p平坦化。使至少一个部分102p平坦化可以包括至少一个部分102p例如使用加工刀头104b的减材制造。加工刀头104b可以例如通过刀头载体104c的回转101r而在至少一个部分102p上方移动。该方法还可以包括：在2300c中，通过使至少一个部分102p平坦化而形成至少一个平坦化部分102p’。至少一个平坦化部分102p’可以大致面平行于预定平面2001，例如，至少一个平坦化部分102p’可以偏离预定平面2001小于至少一个部分102p(在2004中平坦化之前)，例如小于或等于约2μm、例如小于约1μm、例如小于约0.5μm、小于约0.2μm。偏差可以理解为是在预定平面2001的一定侧向延伸、例如大于或等于约100mm、例如大于或等于约200mm、例如大于或等于约300mm上测量的。通过示例的方式，至少一个平坦化部分102p’与预定平面2001的偏差可以小于约2μm(例如，大于或等于约300mm)。该方法可以可选地包括：在2300a中，例如在2300b之前，将工件-支承件102s(例如，其支承稳定区域802)例如设置为卡盘102的一部分或者从支承载体102c拆卸。工件-支承件102s例如其支承稳定区域802可以可选地包括一个或更多个支承突出部704和/或一个或多个凹部414r。根据多个不同的实施方案，使至少一个部分102p平坦化可以不穿透至少一个部分102p，例如可以不暴露支承稳定区域802和/或一个或更多个支承突出部704。该方法可以可选地包括：在2300b中，例如通过将材料(也被称为牺牲材料)添加至牺牲支承区域102p和/或工件-支承件102s例如其支承稳定区域802来形成和/或加强牺牲支承区域102p。例如，可以在使至少一个部分102p平坦化至少一次之后，或者在牺牲支承区域102p的厚度(平行于回转轴101a的延伸度，例如在一个或更多个支承突出部704处所测量的)可以小于约100μm、例如小于约10μm、例如小于约1μm的情况下，可以对牺牲支承区域102p实施加强。通常，牺牲材料可以被干沉积(例如，作为没有另一粘性材料的固体牺牲材料)或湿沉积(例如，作为粘性牺牲材料或者与粘性材料例如液体材料一起)。使牺牲材料沉积例如可以包括物理(例如，蒸气、液体或固体)沉积、浸涂、溶胶-凝胶涂覆、旋涂、蒸发和/或免于镀覆。例如，牺牲材料可以以颗粒的形式沉积(例如，涂覆)在支承稳定区域802上和/或形成至少一个牺牲层102l，例如一个或更多个牺牲层102l。除颗粒沉积以外或者替代颗粒沉积，牺牲材料可以在沉积之后以固化的粘性材料的形式沉积和/或可以以固体薄片的形式沉积。例如，牺牲支承区域102p可以通过将工件支承102s例如其支承稳定区域802暴露于气溶胶(也被称为气溶胶沉积或气溶胶沉淀)而被加强或形成。例如，气溶胶可以朝向工件-支承件102s例如其支承稳定区域802喷出(例如喷射，例如喷涂)或者喷出在工件-支承件102s例如其支承稳定区域802上。气溶胶可以包括由空气或另一气体中的(例如，固体的和/或粘性的例如液体的)颗粒的胶体(例如具有小于一微米的直径)或者由该胶体形成。例如，颗粒包括粘性的(例如液体的)液滴或固体粉末或者由粘性的(例如液体的)液滴或固体粉末形成。例如，将工件-支承件102s例如其支承稳定区域802暴露于气溶胶可以包括气溶胶喷射、粉化(例如通过喷嘴)、雾化、电喷射和/或振动-气溶胶生成。通常，颗粒可以被干沉积(例如作为固体颗粒，例如作为粉末，没有另一种粘性材料)或湿沉积(例如作为粘性颗粒或与粘性例如液体材料一起)。例如，颗粒可以气溶胶沉积(例如涂覆)在支承稳定区域802上和/或形成牺牲支承区域102p和/或支承稳定区域802上的至少一个牺牲层102l(例如一个或更多个牺牲层102l)。附加地或替代性地，颗粒可以以其他方式沉积，例如从悬浮体(例如凝胶或糊剂)和/或使用浸渍、散布或回转等。可选地，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以例如通过粘合材料(例如粘性，例如液体，粘合材料)粘附至支承稳定区域802，例如，从气溶胶沉积(例如在湿式气溶胶沉积的情况下)或作为在暴露于气溶胶之前形成的相应的粘附层(例如包括预沉积的粘附材料)的一部分沉积(例如在干气溶胶沉积的情况下)。粘附材料可以以固体(例如以颗粒的形式)或粘性(例如液体)的形式沉积。可选地，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以例如在暴露于气溶胶期间或之后被加热。加热颗粒(例如沉积和/或干沉积的粉末)和/或至少一个牺牲层102l可以例如包括例如在包括在低温下熔融的聚合物或金属例如类铅和铟的情况下至少部分地熔化颗粒和/或至少一个牺牲层102l。附加地或替代性地，粘性材料(例如粘附材料和/或粘性颗粒)可以通过加热或在加热之后固化。例如，粘附材料可以形成(通过加热)嵌入颗粒的基质(例如聚合物基质)和/或可以形成包括颗粒的多孔层。除了熔化之外或替代熔化，可以例如在包括在高温下熔融的金属例如像银，铝，铜和金的情况下烧结(通过加热)颗粒(例如沉积和/或干沉积的粉末)和/或至少一个牺牲层102l。在烧结和/或熔化之后(在颗粒也被称为致密化的情况下)，孔可以保留在至少一个牺牲层102l中，指示制造过程(例如加热和/或致密化)。例如，至少一个牺牲层102l的孔隙率可以大于支承稳定区域802的孔隙率(如果存在的话)。除了气溶胶沉积之外或替代气溶胶沉积，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以被至少部分地模制。除了气溶胶沉积之外或替代气溶胶沉积，例如通过将至少一个薄片层压至工件-支承件102s(例如其支承稳定区域802)，至少一个牺牲层102l可以由至少一个薄片形成。除了气溶胶沉积之外或替代气溶胶沉积，至少一个牺牲层102l可以通过将薄片(例如包括聚合物或由聚合物形成)和/或颗粒压在工件支承102s(例如其支承稳定区域802)上并可选地烧结或熔融颗粒而形成。工件-支承件102s(例如其支承稳定区域802)例如可以包括具有低热膨胀系数的材料或由具有低热膨胀系数的材料形成，所述低热膨胀系数的材料例如为殷钢、超级殷钢、陶瓷和/或玻璃(例如玻璃陶瓷，也称为ceran)。例如，工件-支承件102s(例如其支承稳定区域802)的热膨胀系数可以小于约20·10-6/k-1，例如小于约10·10-6/k-1、例如小于约5·10-6/k-1、例如小于约2·10-6/k-1。根据多个不同的实施方案，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以包括聚合物(例如，有机的或无机的)或由聚合物(例如，有机的或无机的)形成，所述聚合物例如为下述中的至少一者：合成橡胶、树脂(例如环氧树脂、酚醛树脂或酚醛塑料)、氯丁橡胶、尼龙、聚氯乙烯(pvc或乙烯基)、聚苯乙烯、聚乙烯类(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯，也称为pet)、聚丙烯、聚丙烯腈、pvb、硅树脂等。替代性地或附加地，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以包括金属材料或由金属材料形成，该金属材料例如具有小于约4的莫氏硬度，例如小于约3的莫氏硬度、例如小于约2.5的莫氏硬度、例如小于约2的莫氏硬度、例如小于约1.5的莫氏硬度、例如小于约1的莫氏硬度。例如，颗粒的金属材料和/或至少一个牺牲层102l可以包括以下金属中的至少一者：铅、铟、银、铝、铜和金。根据多个不同的实施方案，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以设置(例如涂覆)在(例如，所有)突出部704上和/或在工件-支承件102s的(例如，所有)凹部414r中，例如形成封闭涂层。例如，颗粒和/或至少一个牺牲层102l可以覆盖第二侧800b的大于约50％和/或支承稳定区域802的大于50％，例如，大于约75％、例如大于约90％。该方法可以可选地包括在2300a中，例如作为提供工件-支承件102s的一部分，例如在2300b之前移除至少一个平坦化部分102p’或清洁支承稳定区域802。例如，该方法可以可选地包括：在2300a中，移除至少一个牺牲层102l(例如在平坦化之后)。移除或清洁可以包括蚀刻(例如湿蚀刻)和/或加热工件-支承件102s。加热工件-支承件102s可以包括例如灰化或蒸发至少一个牺牲层102l(也称为牺牲涂层102l)。此外，下面将描述多个不同的实施方案。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括：卡盘，该卡盘包括：支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)；和以可替换的方式安装在支承载体上的工件-支承件；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成使工件-支承件的至少一个部分平坦化以及对工件-支承件的至少一个部分上(例如卡盘上)的一个或更多个工件进行平坦化(例如，用于通过自平坦化来调节卡盘)。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以小于支承载体的机械硬度。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括：卡盘，该卡盘包括：支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)；和以可替换的方式安装在支承载体上的工件-支承件，其中，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度小于支承载体的机械硬度；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成使工件-支承件的至少一个部分平坦化以及使工件-支承件的至少一个部分上(例如，在卡盘上)的一个或更多个工件平坦化(例如，用于通过自平坦化来调节卡盘)。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括卡盘和平坦化工具，该平坦化工具构造成使卡盘平坦化以及使卡盘上的一个或更多个工件平坦化(例如，用于通过自平坦化来调节卡盘)，其中，待平坦化的卡盘的至少一个部分的机械硬度小于下述机械硬度中的至少一者：镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度、一个或更多个工件的待平坦化的至少一个部分的机械硬度的五倍。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以构造成当一个或更多个工件设置在卡盘上(示例性地，放置在卡盘上)时使一个或更多个工件平坦化。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)和以可替换的方式安装在支承载体上的工件-支承件，其中，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度小于支承载体的机械硬度。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括：第一侧，该第一侧构造成安装至卡盘保持器(例如，安装至卡盘座)；靠近第一侧的支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)；与第一侧相反的第二侧，其中，第二侧构造成支承(例如面向)一个或更多个工件；以及工件-支承件，该工件-支承件靠近第二侧(例如远离支承载体)并且以可替换的方式安装在支承载体上。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以小于支承载体的机械硬度。根据多个不同的实施方案，可替换工件-支承件(例如用于卡盘)可以包括：第一侧，该第一侧构造成以可替换的方式安装至卡盘的支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)；与第一侧相反的第二侧，其中，第二侧构造成支承(例如面向)一个或更多个工件；以及至少一个通孔，所述至少一个通孔从第一侧延伸至第二侧，使得接纳在第二侧上的一个或更多个工件在至少一个通孔中产生真空时通过抽吸来粘附；并且其中，工件-支承件的靠近第二侧(例如远离支承载体)的至少一个部分的机械硬度小于镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度(示例性地，用于通过使牺牲支承区域平坦化来调节卡盘)。根据多个不同的实施方案，可替换工件-支承件(例如用于卡盘)可以包括：第一侧，该第一侧构造成以可替换的方式安装至卡盘的支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)；与第一侧相反的第二侧，其中，第二侧构造成支承(例如面向)一个或更多个工件；以及至少一个通孔，所述至少一个通孔从第一侧延伸至第二侧，使得接纳在第二侧上的一个或更多个工件在至少一个通孔中产生真空时通过抽吸来粘附，并且其中，工件-支承件的靠近第二侧(例如远离支承载体)的至少一个部分包括聚合物。根据多个不同的实施方案，机械硬度可以依照相同的测量方法。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以包括能够绕回转轴回转的刀头载体，其中，工件平坦化装置构造成使刀头载体和卡盘中的至少一者沿与回转轴垂直的方向移动。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以包括可回转刀头载体和安装在刀头载体上的加工刀头，其中，可回转刀头载体和卡盘构造成用于相对于彼此的两轴位移。根据多个不同的实施方案，加工刀头的机械硬度可以大于支承载体和工件-支承件中的至少一者的机械硬度。根据多个不同的实施方案，加工刀头可以包括碳或者由碳形成。根据多个不同的实施方案，加工刀头可以包括碳化物和氮化物中的至少一者或者由碳化物和氮化物中的至少一者形成。根据多个不同的实施方案，加工刀头的机械硬度大于(换言之，高于)卡盘和一个或更多个工件中的至少一者的机械硬度。示例性地，加工刀头可以包括足够硬以使一个或更多个工件以及卡盘平坦化的材料或者由该材料形成。根据多个不同的实施方案，加工刀头可以包括碳或者由碳形成，该碳具有碳化物(例如，金属碳化物如碳化钨)、金刚石构型和类金刚石碳构型中的至少一者。根据多个不同的实施方案，加工刀头可以包括陶瓷或者由陶瓷形成。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以构造成通过减材制造(包括切割和机加工中的至少一者)使工件-支承件和一个或更多个工件中的至少一者平坦化。根据多个不同的实施方案，支承载体可以包括用于连接至真空产生系统的至少一个真空管线，其中，工件-支承件可以包括至少一个通孔，所述至少一个通孔连接至至少一个真空管线(使得工件-支承件上的一个或更多个工件在经由至少一个真空管线产生真空时通过抽吸而粘附)。根据多个不同的实施方案，工件-支承件可以包括连接至至少一个通孔的凹部。根据多个不同的实施方案，支承载体可以包括多个真空管线，其中，工件-支承件可以包括彼此分开的多个粘附区域，其中，多个粘附区域中的每个粘附区域可以包括至少一个通孔，其中，多个粘附区域中的每个粘附区域的至少一个通孔连接至多个真空管线中的至少一个真空管线(使得粘附一个或更多个工件能够通过经由至少一个真空管线将真空选择性地提供至粘附区域而进行控制)。根据多个不同的实施方案，多个粘附区域中的至少一个粘附区域可以包括连接至多个粘附区域的该粘附区域的至少一个通孔的凹部。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以远离支承载体，其中，工件-支承件可以包括靠近支承载体(及相应的第二侧)的至少一个另外的部分(例如，包括稳定区域或者由稳定区域形成)，并且其中，至少一个另外的部分的机械硬度大于至少一个部分的机械硬度。根据多个不同的实施方案，至少一个部分的支承表面可以构造成将物理接触提供至卡盘上的一个或更多个工件。根据多个不同的实施方案，机械硬度可以包括空间平均机械硬度或者由空间平均机械硬度形成。根据多个不同的实施方案，工件-支承件可以包括用于稳定牺牲支承区域的支承稳定区域，其中，稳定区域设置在第二侧上。根据多个不同的实施方案，支承稳定区域可以设置在牺牲支承区域与支承载体之间。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括薄片(例如，带)和板中的至少一者或者由薄片(例如带)、层(例如涂层)和板中的至少一者形成。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括颗粒或者由颗粒和/或气溶胶形成。根据多个不同的实施方案，支承载体可以包括用于接纳工件-支承件的凹部。根据多个不同的实施方案，工件的至少一个部分的机械硬度可以小于镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分靠近工件-支承件的构造成对一个或更多个工件进行支承的第二侧和/或包括一个或更多个突出部。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度小于化学镀镍的机械硬度。根据多个不同的实施方案，化学镀镍可以指使用还原剂的镀覆工艺，该还原剂例如为与金属离子(镍)反应以沉积化学镀镍的水合次磷酸钠。化学镀镍可以包括在下述范围内的磷浓度：从约2原子百分比(低磷)至约14原子百分比的范围，例如从约5原子百分比至约11原子百分比的范围。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的机械硬度可以小于镍磷合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，工件-支承件可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，支承载体可以包括金属材料(具有支承载体的机械硬度)或者由该金属材料形成。根据多个不同的实施方案，工件-支承件可以是板(例如盘)。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分可以从支承载体突出。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分可以构造成被减材制造以使工件-支承件平坦化。根据多个不同的实施方案，用于使一个或更多个工件平坦化的方法可以包括下述方面中的至少一者：对卡盘的工件-支承件进行安装和拆卸(例如替换，换言之，拆卸第一工件-支承件和安装第二工件-支承件)中的至少一者；使用平坦化工具对工件-支承件进行平坦化；在使工件-支承件平坦化之后将一个或更多个工件设置在工件-支承件上；以及使用平坦化工具来对一个或更多个工件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，一种用于调节包括卡盘和平坦化工具的工件平坦化装置的方法，其中，卡盘包括支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件，该方法可以包括：对卡盘的工件-支承件进行安装和拆卸(例如替换)中的至少一者；以及通过平坦化工具对工件-支承件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的机械硬度小于支承载体的机械硬度。根据多个不同的实施方案，一种用于调节包括卡盘和平坦化工具的工件平坦化装置的方法，其中，卡盘包括支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件，该方法可以包括：对卡盘的工件-支承件进行安装和拆卸(例如替换)中的至少一者；以及通过平坦化工具对工件-支承件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的机械硬度小于支承载体的机械硬度。根据多个不同的实施方案，一种用于调节包括卡盘和平坦化工具的工件平坦化装置的方法，其中，卡盘包括支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)；以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件，其中，工件-支承件的机械硬度小于支承载体的机械硬度，该方法可以包括：对卡盘的工件-支承件进行安装和拆卸(例如替换)中的至少一者；以及通过平坦化工具对工件-支承件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，一种用于对一个或更多个工件进行平坦化的方法可以包括：使用平坦化工具对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化；在对工件-支承件进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在工件-支承件上方；以及使用平坦化工具对工件的至少一个部分进行平坦化；其中，工件-支承件的至少一个部分的硬度构造成使得对工件-支承件进行的平坦化和对一个或更多个工件的至少一个部分(换言之，工件或各个工件的至少一个部分)进行的平坦化使用具有相同物理构造(例如，无需修改或重新构造)和相同加工刀头构造(例如，无需修改或重新构造)中的至少一者中的平坦化工具。根据多个不同的实施方案，一种用于对一个或更多个工件进行平坦化的方法可以包括：使用平坦化工具对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化，以形成工件-支承件的平坦化支承表面；将一个或更多个工件设置在工件-支承件的平坦化表面上方；以及使用平坦化工具来对一个或更多个工件的至少一个部分进行平坦化，用于形成一个或更多个工件的平坦化工件表面；其中，工件-支承件的至少一个部分的硬度构造成使得对工件-支承件进行的平坦化和对一个或更多个工件进行的平坦化使用平坦化工具的相同物理构造和相同加工刀头(例如，无需修改或重新构造)中的至少一者。根据多个不同的实施方案，一种用于调节包括卡盘和平坦化工具的工件平坦化装置的方法，其中，卡盘包括支承载体(例如，包括用于工件粘附供给的供给端)和以可替换的方式安装至支承载体的工件-支承件(其中，工件-支承件的机械硬度可选地小于支承载体的机械硬度)可以包括：提供平坦化工具(例如，其加工刀头)的工件平坦化构造，其中，平坦化工具构造成对工件-支承件上的一个或更多个工件进行平坦化；以及在工件平坦化构造中通过平坦化工具来对工件-支承件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度可以在一个或更多个工件的至少一个部分的机械硬度的约20％至约500％的范围内，例如在一个或更多个工件的至少一个部分的机械硬度的约50％至约200％的范围内。根据多个不同的实施方案，工件-支承件的至少一个部分的机械硬度与一个或更多个工件的至少一个部分的机械硬度的相对偏差可以小于约100％(例如小于约75％、例如小于约50％、例如小于约25％、例如小于约10％、例如小于约5％、例如小于约2％)。两个数值的相对偏差可以通过它们彼此之间的(正的，换言之，自然的)差除以它们的算术平均值来定义。算术平均值(也称为均值或平均值)可以被定义为等于数值的总和除以二。根据多个不同的实施方案，卡盘的支承载体是可选的。在这种情况下，卡盘可以构造成类似于工件-支承件。根据多个不同的实施方案，卡盘的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分的机械硬度可以在一个或更多个工件的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分的机械硬度的约20％至约500％的范围内，例如，在一个或更多个工件的至少一个部分的机械硬度的约50％至约200％的范围内。根据多个不同的实施方案，卡盘的(平坦化或待平坦化的)至少一个部分的机械硬度可以在一个或更多个工件的(平坦化或待平坦化)的至少一个部分的机械硬度的约20％至约500％的范围内，例如在一个或更多个工件的至少一个部分的机械硬度的约50％至约200％的范围内。根据多个不同的实施方案，以可替换的方式安装可以被理解为构造成用于非破坏性拆卸的安装。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括：卡盘，该卡盘包括构造成支承一个或更多个工件的至少一个部分，和/或包括一个或更多个突出部；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成对卡盘的至少一个部分进行平坦化并对卡盘的至少一个部分上的一个或更多个工件进行平坦化；其中，卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同加工刀头构造(例如，具有相同物理构造的加工刀头)的平坦化工具(换言之，可以通过该平坦化工具执行)。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以构造成在一个或更多个工件设置在卡盘上(示例性地，放置在卡盘上)的情况下对一个或更多个工件进行平坦化。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以包括能够绕回转轴回转的刀头载体，其中，平坦化工具和卡盘被构造成用于平行于与回转轴垂直的方向彼此位移。根据多个不同的实施方案，加工刀头的机械硬度大于(换言之，高于)卡盘和一个或更多个工件中的至少一者的机械硬度。示例性地，加工刀头可以包括足够硬以对一个或更多个工件以及卡盘进行平坦化的材料或者由该材料形成。根据多个不同的实施方案，加工刀头可以包括碳或者由碳形成，该碳呈碳化物(例如，金属碳化物如碳化钨)、金刚石构型和类金刚石碳构型中的至少一者。根据多个不同的实施方案，加工刀头可以包括陶瓷或者由陶瓷形成。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括用于连接至真空产生系统的至少一个真空管线，其中，卡盘的至少一个部分可以包括连接至至少一个真空管线的至少一个通孔。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括多个真空管线，其中，卡盘的至少一个部分可以包括彼此分开的多个粘附区域，其中，多个粘附区域中的每个粘附区域可以包括至少一个通孔，其中，多个粘附区域中的每个粘附区域的至少一个通孔连接至多个真空管线中的至少一个真空管线。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以靠近卡盘的侧(例如，构造成支承一个或更多个工件，例如分别面向一个或更多个工件，和/或包括一个或更多个突出部)，其中，卡盘可以包括远离该侧的至少一个另外的部分，并且其中，卡盘的至少一个另外的部分的机械硬度可以大于卡盘的至少一个部分的机械硬度。根据多个不同的实施方案，至少一个另外的部分可以包括金属材料或者由金属材料形成。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以从至少一个另外的部分突出。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括薄片、层(例如涂层)和板中的至少一者或者由薄片、层(例如涂层)和板中的至少一者形成。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括颗粒或由颗粒和/或气溶胶形成。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分的机械硬度小于镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化在下述方面中的至少一者的速度方面不同(例如，大于约10％、20％或30％和/或小于约90％、75％或50％)：平坦化工具的回转、卡盘与平坦化工具之间的位移、平坦化工具的加工刀头的旋转。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括：第一侧，该第一侧构造成安装至卡盘保持器(例如，卡盘座)；与第一侧相反的第二侧，其中，第二侧构造成支承(例如面向)一个或更多个工件；至少一个真空管线，所述至少一个真空管线用于连接至真空产生系统；以及靠近第二侧(例如远离支承载体)的至少一个部分，其包括连接至至少一个真空管线的至少一个通孔，使得接纳在第二侧上方的一个或更多个工件在至少一个真空管线中产生真空时通过抽吸而粘附；其中，靠近第二侧(例如远离支承载体)的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对至少一个部分进行的平坦化使用具有相同物理构造的平坦化工具和加工刀头中的至少一者。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括用于连接至真空产生系统的至少一个真空管线，其中，卡盘的至少一个部分可以包括连接至至少一个真空管线的至少一个通孔。根据多个不同的实施方案，至少两个真空管线可以彼此分离(decoupled)。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以远离第一侧，其中，卡盘可以包括靠近第一侧的至少一个另外的部分，并且其中，至少一个另外的部分的机械硬度大于至少一个部分的机械硬度。根据多个不同的实施方案，至少一个另外的部分可以包括金属材料或者由金属材料形成。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括薄片、层(例如涂层)和板中的至少一者或者由薄片、层(例如涂层)和板中的至少一者形成。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括颗粒或由颗粒和/或气溶胶形成。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分的机械硬度可以小于镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以包括聚合物或者由聚合物形成。根据多个不同的实施方案，对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化可以在下述方面中的至少一者的速度方面不同：平坦化工具的回转、卡盘与平坦化工具之间的位移、平坦化工具的加工刀头的回转。根据多个不同的实施方案，一种用于使一个或更多个工件平坦化的方法可以包括：使用平坦化工具对卡盘的至少一个部分进行平坦化；在对卡盘的至少一个部分进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在卡盘的至少一个部分上；以及使用平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化；其中，卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同的加工刀头构造的平坦化工具，例如具有相同物理构造的加工刀头进行。根据多个不同的实施方案，一种用于对一个或更多个工件进行平坦化的方法，该方法包括：使用平坦化工具对卡盘的至少一个部分进行平坦化用于形成卡盘的平坦化支承表面；将一个或更多个工件设置在卡盘的平坦化表面上方；以及使用平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化，以形成一个或更多个工件的平坦化工件表面；其中，卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同的加工刀头构造的平坦化工具，例如具有相同物理构造的加工刀头进行。根据多个不同的实施方案，一种用于调节包括卡盘和平坦化工具的工件平坦化装置的方法，其中，卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同构造的平坦化工具，该方法可以包括：提供平坦化工具的加工刀头构造(例如，具有工件平坦化构造)，其中，平坦化工具构造成对工件-支承件上的一个或更多个工件进行平坦化；以及通过具有该加工刀头构造(例如，具有工件平坦化构造)的平坦化工具对卡盘的至少一个部分进行平坦化。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括用于安装卡盘的座(也称为卡盘座)。卡盘座可以可选地包括用于在卡盘中产生真空的真空产生系统(例如，包括至少一个泵，例如至少一个真空泵)。在多个不同的实施方案中，卡盘可以安装在卡盘座处或至少构造成安装在卡盘座处。例如，卡盘座可以包括其上安装卡盘的架(stand)或者由该架形成。在一个或更多个实施方案中，卡盘可以从卡盘座突出(例如，以侧向和垂直中的至少一者的方式)。在一个或更多个实施方案中，卡盘可以包括平面(例如，包括用于至少一个通孔的开口)。在一个或更多个实施方案中，卡盘和卡盘座可以气密地(换言之，例如通过密封件真空密封)彼此耦接。替代性地或附加地，工件-支承件和支承载体可以气密地(换言之，例如通过密封件真空密封)彼此耦接。在一个或更多个实施方案中，卡盘和卡盘座中的至少一者可以是金属的。在一个或更多个实施方案中，卡盘和工件-支承件中的至少一者可以是非金属的。在一个或更多个实施方案中，工件-支承件可以从支承载体突出(例如，侧向地突出)。在一个或更多个实施方案中，支承载体、卡盘和工件-支承件中的至少一者可以形成为板状。例如，支承载体、卡盘和工件-支承件中的至少一者可以包括板或者由板形成。卡盘座可以包括台(table)或者由台形成。工件-支承件可以包括嵌体或者由嵌体形成。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置还可以包括卡盘保持器，其中，支承载体可以构造成安装至卡盘保持器。根据多个不同的实施方案，卡盘保持器可以包括卡盘座或者由卡盘座形成。根据多个不同的实施方案，卡盘(例如卡盘的支承载体)可以包括用于工件粘附供给的供给端。供给端可以包括一个或更多个电连接器和一个或更多个真空连接器中的至少一者，或者由一个或更多个电连接器和一个或更多个真空连接器中的至少一者形成。供给端可以在替换工件-支承件期间保持连接至供给装置。这可以例如在工件-支承件被减薄至某一程度或厚度(换言之，消耗)的情况下实现工件-支承件的快速和经济的替换。在一个或更多个实施方案中，卡盘和工件可以以相同的加工刀头构造被平坦化。使用相同的加工刀头构造可以提供平坦化平面从卡盘至工件的可重现的转移。其他参数(例如，第二位移的速度、加工刀头的旋转速度和/或卡盘与平坦化工具之间的接触压力)可以在对卡盘进行平坦化与对工件进行平坦化之间不同。在一个或更多个其他实施方案中，第二位移的速度、加工刀头的旋转速度以及卡盘与平坦化工具之间的接触压力中的至少一者在用于对卡盘进行的平坦化和对工件进行的平坦化方面可以是相同的。加工刀头构造可以由所使用的加工刀头及其空间构造，例如位置和取向中的至少一者来限定。例如，加工刀头可以在对卡盘进行平坦化与对工件进行平坦化之间保持不变。替代性地或附加地，加工刀头的空间构造可以在对卡盘进行平坦化与对工件进行平坦化之间保持不变。换言之，相同的加工刀头构造可以被理解为使用具有相同的物理构造的加工刀头用于对卡盘进行平坦化和对工件进行平坦化两者。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以包括构造成绕回转轴旋转的加工刀头或者由该加工刀头形成，其中，平坦化工具和卡盘构造成能够在与回转轴垂直的方向上相对于彼此位移(换言之，能够沿着轴彼此平行地位移，其中，平行轴垂直于回转轴对准)。根据多个不同的实施方案，用于使一个或更多个工件平坦化的方法可以包括：使用平坦化工具对卡盘的至少一个部分进行平坦化；在对卡盘的至少一个部分进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在卡盘的至少一个部分上；以及使用平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化；以及使用气溶胶(例如通过暴露于气溶胶)涂覆或形成卡盘的至少一个部分。根据多个不同的实施方案，用于对工件-支承件进行平坦化的方法可以包括：使用平坦化工具对工件-支承件的至少一个部分进行平坦化；以及使用气溶胶(例如通过暴露于气溶胶)涂覆或形成工件-支承件的至少一个部分(例如，包括工件-支承件的一个或更多个突出部)。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括：卡盘，该卡盘包括构造成支承一个或更多个工件的至少一个部分；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成对卡盘的至少一个部分进行平坦化并且对卡盘的至少一个部分上的一个或更多个工件进行平坦化；其中，卡盘的至少一个部分包括颗粒(例如颗粒残余物)、孔和/或聚合物中的至少一者。根据多个不同的实施方案，平坦化工具可以包括：加工刀头，该加工刀头构造成绕回转轴回转；其中，平坦化工具和卡盘构造成能够平行于与回转轴垂直的方向而彼此位移(换言之，移位)(换言之，能够沿着轴彼此平行地位移，其中，平行轴垂直于回转轴)。根据多个不同的实施方案，加工刀头的机械硬度可以大于卡盘和一个或更多个工件中的至少一者的机械硬度。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括用于连接至真空产生系统的至少一个真空管线；其中，卡盘的至少一个部分包括连接至至少一个真空管线的至少一个通孔。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同加工刀头构造的平坦化工具。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括多个真空管线；其中，卡盘的至少一个部分可以包括彼此分开的多个粘附区域，其中，多个粘附区域中的每个粘附区域包括至少一个通孔；其中，多个粘附区域中的每个粘附区域的至少一个通孔连接至多个真空管线中的至少一个真空管线。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分靠近卡盘的构造成支承一个或更多个工件的侧，其中，卡盘可以包括远离该侧的至少一个另外的部分，并且其中，卡盘的至少一个另外的部分的机械硬度可以大于卡盘的至少一个部分的机械硬度。根据多个不同的实施方案，至少一个另外的部分可以包括金属材料和/或陶瓷材料(例如，具有比所述至少一个部分更大的硬度)或由金属材料和/或陶瓷材料(例如，具有比所述至少一个部分更大的硬度)形成。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以具有比卡盘的至少一个另外的部分更高的孔隙率。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以具有比卡盘的至少一个另外的部分更高的颗粒密度。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以具有比卡盘的至少一个另外的部分更小的熔化温度或玻璃化转变温度。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以具有比卡盘的至少一个另外的部分更多的突出部。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以具有比卡盘的至少一个另外的部分更大的热膨胀。根据多个不同的实施方案，卡盘的至少一个部分可以具有比卡盘的至少一个另外的部分更小的机械硬度。根据多个不同的实施方案，至少一个另外的部分的热膨胀系数可以小于约1·10-5/k、例如小于约5·10-6/k、例如小于约2·10-6/k、例如小于约1·10-6/k、例如小于约5·10-7/k、例如小于约2·10-7/k。根据多个不同的实施方案，颗粒可以嵌入聚合物中或形成其中嵌有孔(空隙空间)的基质。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括下述方面中的至少一者或者由下述方面中的至少一者形成：包括聚合物或者由聚合物形成的至少一个薄片、包括孔和/颗粒的至少一个(例如多孔)层、以及包含聚合物和嵌入聚合物中的颗粒的复合材料。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括一个或更多个突出部和至少一个层(例如薄片或多孔层)，其中，至少一个层包括聚合物、孔和颗粒中至少一者，其中，至少一个层(例如，至少部分地，换言之，部分地或完全地)覆盖一个或更多个突出部，例如一个或更多个突出部中的每个突出部的至少顶部部分。根据多个不同的实施方案，聚合物可以包括热塑性聚合物或热固性(duroplastic)聚合物(例如树脂)或由热塑性聚合物或热固性聚合物(例如树脂)形成。根据多个不同的实施方案，热塑性聚合物可以包括丙烯酸类聚合物、丙烯腈丁二烯苯乙烯(共聚物)、尼龙、聚乳酸、聚苯并咪唑、聚碳酸酯、聚醚砜、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯和/或特氟隆。根据多个不同的实施方案，工件平坦化装置可以包括下述部件或者由下述部件形成：卡盘，该卡盘包括构造成支承一个或更多个工件的至少一个部分；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成对卡盘的至少一个部分进行平坦化以及对卡盘的至少一个部分上的一个或更多个工件进行平坦化；其中，卡盘的至少一个部分包括颗粒(例如颗粒残余物)、孔和/或聚合物中的至少一者或由颗粒(例如颗粒残余物)、孔和/或聚合物中的至少一者形成，其中，卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同的加工刀头构造的平坦化工具进行。根据多个不同的实施方案，卡盘可以包括：第一侧，该第一侧构造成安装至卡盘保持器；与第一侧相反的第二侧，其中，第二侧构造成支承一个或更多个工件；至少一个真空管线，所述至少一个真空管线用于连接至真空产生系统；以及靠近第二侧的至少一个部分，所述至少一个部分包括至少一个通孔，所述至少一个通孔连接至至少一个真空管线，使得接纳在第二侧上方的一个或更多个工件在经由至少一个真空管线(例如，通过至少一个真空管线和/或在至少一个真空管线中)产生真空时通过抽吸来粘附，其中，靠近第二侧的至少一个部分包括颗粒(例如，颗粒残余物)、孔和/或聚合物中的至少一者。根据多个不同的实施方案，至少一个部分远离第一侧，其中，卡盘可以包括靠近第一侧的至少一个另外的部分，并且其中，至少一个另外的部分的机械硬度大于至少一个部分的机械硬度。根据多个不同的实施方案，至少一个另外的部分可以包括金属材料和/或陶瓷材料(例如，具有比至少一个部分更大的硬度)或由金属材料和/或陶瓷材料(例如，具有比至少一个部分更大的硬度)形成。根据多个不同的实施方案，至少一个另外的部分的热膨胀系数可以小于约1·10-5/k、例如小于约5·10-6/k、例如小于约2·10-6/k、例如小于约1·10-6/k、例如小于约5·10-7/k、例如小于约2·10-7/k。根据多个不同的实施方案，颗粒可以包括聚合物或金属(例如，具有比工件支承件的另外的部分更低的硬度)或由聚合物或金属(例如，具有比工件支承件的另外的部分更低的硬度)形成。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括下述方面中的至少一者或者由下述方面中的至少一者形成：包括聚合物或者由聚合物形成的至少一个薄片、包括孔和/颗粒的至少一个(例如多孔)层、以及包含聚合物和嵌入聚合物中的颗粒的复合材料。根据多个不同的实施方案，至少一个部分可以包括一个或更多个突出部和至少一个层(例如薄片或多孔层)，其中，至少一个层可以包括聚合物、孔和颗粒中的至少一者，其中，至少一个层(例如，至少部分地，换言之，部分地或完全地)覆盖一个或更多个突出部，例如一个或更多个突出部中的每个突出部的至少顶部部分。根据多个不同的实施方案，用于提供可平坦化工件支承件的方法可以包括：提供卡盘，该卡盘包括：第一侧，该第一侧构造成安装至卡盘保持器；与第一侧相反的第二侧；以及至少一个真空管线，所述至少一个真空管线用于连接至真空产生系统，其中，第二侧构造成支承一个或更多个工件；以及形成或加强靠近第二侧的至少一个部分，所述至少一个部分包括至少一个通孔，所述至少一个通孔连接至至少一个真空管线，使得接纳在第二侧上方的一个或更多个工件在经由至少一个真空管线(例如，通过至少一个真空管线和/或在至少一个真空管线中)产生真空时通过抽吸来粘附，其中形成或增强可以包括将第二侧暴露于气溶胶(例如，不含溶液)或者将材料模制、压制或层压(例如，无金属)在第二侧上(例如，通过干沉积和/或无溶液方式)。根据多个不同的实施方案，该方法还可以包括：使用平坦化工具来对卡盘的至少一个部分进行平坦化；在对卡盘的至少一个部分进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在卡盘的至少一个部分上；以及使用平坦化工具来对一个或更多个工件进行平坦化。多个不同的实施方案可以构造成类似于以下示例中的至少一者或者构造为以下示例中的至少一者。示例1：一种工件平坦化装置，包括：卡盘，该卡盘包括构造成支承一个或更多个工件的至少一个部分；以及平坦化工具，该平坦化工具构造成对卡盘的至少一个部分进行平坦化以及对卡盘的至少一个部分上的一个或更多个工件进行平坦化；其中卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同加工刀头构造的平坦化工具进行。示例2：示例1的工件平坦化装置，平坦化工具包括：加工刀头，该加工刀头构造成绕回转轴旋转；其中平坦化工具和卡盘构造成能够沿平行于与回转轴垂直的方向彼此位移(换言之，移位)。示例3：示例1的工件平坦化装置，其中加工刀头的机械硬度大于卡盘和一个或更多个工件中的至少一者的机械硬度。示例4：示例1的工件平坦化装置，其中卡盘包括用于连接至真空产生系统的至少一个真空管线；以及其中卡盘的至少一个部分包括连接至至少一个真空管线的至少一个通孔。示例5：示例1的工件平坦化装置，其中卡盘包括多个真空管线；其中卡盘的至少一个部分包括彼此分开的多个粘附区域，其中多个粘附区域中的每个粘附区域包括至少一个通孔；其中多个粘附区域中的每个粘附区域的至少一个通孔连接至多个真空管线中的至少一个真空管线。示例6：示例1的工件平坦化装置，其中卡盘的至少一个部分靠近卡盘的构造成支承一个或更多个工件的侧；其中卡盘包括远离该侧的至少一个另外的部分；以及其中卡盘的至少一个另外的部分的机械硬度大于卡盘的至少一个部分的机械硬度。示例7：示例6的工件平坦化装置，其中至少一个另外的部分包括金属材料。示例8：示例6的工件平坦化装置，其中卡盘的至少一个部分从至少一个另外的部分突出。示例9：示例6的工件平坦化装置，其中卡盘的至少一个部分以可替换的方式安装至至少一个另外的部分。示例10：示例1的工件平坦化装置，其中至少一个部分包括薄片、层和板中的至少一者。示例11：示例1的工件平坦化装置，其中卡盘的至少一个部分的机械硬度小于镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度。示例12：示例1的工件平坦化装置，其中卡盘的至少一个部分包括聚合物。示例13：示例1的工件平坦化装置，其中对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化在下述方面中的至少一者的速度方面不同：平坦化工具的回转、卡盘与平坦化工具之间的位移、平坦化工具的加工刀头的回转。示例14：一种卡盘，包括：第一侧，第一侧构造成安装至卡盘保持器；与第一侧相反的第二侧，其中第二侧构造成支承一个或更多个工件；至少一个真空管线，至少一个真空管线用于连接至真空产生系统；以及靠近第二侧的至少一个部分，所述至少一个部分包括至少一个通孔，所述至少一个通孔连接至至少一个真空管线，使得接纳在第二侧上方的一个或更多个工件在经由至少一个真空管线产生真空时通过抽吸来粘附；其中靠近第二侧的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同的加工刀头构造的平坦化工具。示例15：示例14的卡盘，其中至少一个部分远离第一侧；其中卡盘包括靠近第一侧的至少一个另外的部分；以及其中至少一个另外的部分的机械硬度大于至少一个部分的机械硬度。示例16：示例15的卡盘，其中至少一个另外的部分包括金属材料。示例17：示例14的卡盘，其中至少一个部分包括薄片、层和板中的至少一者。示例18：示例14的卡盘，其中卡盘的至少一个部分的机械硬度小于镍基合金和铁基合金中的至少一者的机械硬度。示例19：示例14的卡盘，其中卡盘的至少一个部分包括聚合物。示例20：一种用于对一个或更多个工件进行平坦化的方法，该方法包括：使用平坦化工具对卡盘的至少一个部分进行平坦化；在对卡盘的至少一个部分进行平坦化之后将一个或更多个工件设置在卡盘的至少一个部分上方；以及使用平坦化工具对一个或更多个工件进行平坦化；其中卡盘的至少一个部分的机械硬度构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同的加工刀头构造的平坦化工具。在一个或更多个实施方案中，(卡盘的)至少一个部分的机械硬度可以构造成使得对一个或更多个工件进行的平坦化和对卡盘的至少一个部分进行的平坦化使用具有相同加工刀头构造的平坦化工具进行。附加地或替代性地，至少一个部分可以包括至少一个层(也称为至少一个牺牲层)或者由至少一个层(也称为至少一个牺牲层)形成。至少一个牺牲层例如可以通过下述方式而形成：暴露于气溶胶、模制设置在卡盘(例如其支承稳定区域)上的材料(例如聚合物，例如热塑性聚合物)、将材料(例如薄片)层压和/或压制在卡盘(例如其支承稳定区域)上等。易于制造的至少一个牺牲层可以包括颗粒、聚合物和/或孔中的至少一者，例如比支承稳定区域和/或另外的至少一个部分更多的颗粒和/或孔中的至少一者。虽然已经参考具体实施方案具体示出和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的如由所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以做出对本发明的形式和细节上的各种改变。因此，本发明的范围由所附的权利要求书指示，并且因此旨在包括在权利要求的等同含义和范围内的所有变化。当前第1页12当前第1页12