技术特征：
技术总结
本发明涉及一种采用石英环光学镀膜材料改善高反膜微缺陷的方法，在真空镀膜过程中使用经预熔制得的石英镀膜材料进行镀膜；将石英素坯先在700～800℃下预熔120～150分钟，再于1000～1200℃下煅烧120～180分钟，得到所述石英镀膜材料。本发明的特点是，相较于之前使用的石英颗粒膜料，这种石英环光学镀膜材料的使用有效地抑制了镀膜过程SiO2膜料脱离靶源飞向衬底造成膜表面出现节瘤缺陷。
技术研发人员：杨勇;马云峰;杨莉莉;魏玉全;刘学建;黄政仁
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2017.06.29
技术公布日：2019.01.15