本实用新型涉及AG玻璃生产技术领域，具体地指一种AG玻璃抛光装置。
背景技术：
目前流行的蚀刻法AG加工工艺，浮法玻璃基板都是对玻璃的空气面直接进行蚀刻AG工艺或者在蚀刻AG工艺前增加弱酸预处理；该方法加工的AG玻璃满足一般客户要求，但针对高端领域，AG面微光粒子均匀性达不到理想效果。
因此需要设计一种AG玻璃抛光装置，对玻璃AG面在蚀刻前进行一次物理抛光处理，使玻璃AG面微观颗粒形貌均匀，从而在AG工序后达到更加均匀的AG效果。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种AG玻璃抛光装置，对玻璃AG面在蚀刻前进行一次物理抛光处理，使玻璃AG面微观颗粒形貌均匀，达到良好的抗反射、防眩光效果。
本实用新型为解决上述技术问题，所采用的技术方案是：一种AG玻璃抛光装置，包括机械抓取装置，所述机械抓取装置的机械手末端设有用于吸附AG玻璃的大吸盘；
所述机械抓取装置一侧设有可以转动的旋转平台，所述旋转平台上设有多个用于吸附AG玻璃锡面的小吸盘；
所述旋转平台上方设有用于对AG玻璃进行抛光的抛光轮和用于对AG玻璃进行冲洗的喷液装置；
所述大吸盘和小吸盘均通过气管与抽真空泵连接。
优选地，所述旋转平台底部中心位置与旋转轴顶部固定连接，所述旋转轴穿过第一锥齿轮并通过轴承安装于升降平台上，所述第一锥齿轮与第二锥齿轮啮合，所述第二锥齿轮输入端与步进电机的输出轴连接，所述升降平台下表面与液压伸缩杆的伸缩端顶部固定连接。
优选地，所述抛光轮输入端与转动轴一端连接，所述转动轴另一端与从动轮连接，所述从动轮通过皮带与主动轮连接，所述主动轮输入端与电动机输出轴连接。
优选地，所述电动机及轴承组件固定于机架上。
本实用新型的有益效果：本实用新型通过对玻璃AG面在蚀刻前进行一次物理抛光处理，使玻璃AG面微观颗粒形貌均匀，达到了良好的抗反射、防眩光效果；同时旋转平台的使用能够有效避免抛光死角区域的出现，小吸盘的设计能够牢牢吸附固定玻璃，避免在抛光操作中发生脱落现象。
附图说明
图1 为一种AG玻璃抛光装置的结构示意图；
图中，机械抓取装置1、AG玻璃2、大吸盘3、旋转平台4、旋转轴4.1、第一锥齿轮4.2、升降平台4.3、第二锥齿轮4.4、步进电机4.5、液压伸缩杆4.6、小吸盘5、抛光轮6、转动轴6.1、从动轮6.2、皮带6.3、主动轮6.4、电动机6.5、机架6.6、喷液装置7。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细描述。
如图1所示，一种AG玻璃抛光装置，包括机械抓取装置1，所述机械抓取装置1的机械手末端设有用于吸附AG玻璃2的大吸盘3；
所述机械抓取装置1一侧设有可以转动的旋转平台4，所述旋转平台4上设有多个用于吸附AG玻璃2锡面的小吸盘5；
所述旋转平台4上方设有用于对AG玻璃2进行抛光的抛光轮6和用于对AG玻璃2进行冲洗的喷液装置7；
所述大吸盘3和小吸盘5均通过气管与抽真空泵连接。
优选地，所述旋转平台4底部中心位置与旋转轴4.1顶部固定连接，所述旋转轴4.1穿过第一锥齿轮4.2并通过轴承安装于升降平台4.3上，所述第一锥齿轮4.2与第二锥齿轮4.4啮合，所述第二锥齿轮4.4输入端与步进电机4.5的输出轴连接，所述升降平台4.3下表面与液压伸缩杆4.6的伸缩端顶部固定连接。这种设计使得当抛光轮6对AG玻璃2抛光完成一片区域后，步进电机4.5控制第二锥齿轮4.4旋转一定角度，进而控制第一锥齿轮4.2带动旋转平台4旋转一定角度，然后抛光轮6可以对AG玻璃2的另一区域进行抛光，这样能够避免抛光死角区域的出现。另外整个过程中，液压伸缩杆4.6可以控制升降平台4.3上下升降，以使得旋转平台4的高度适中，方便抛光轮6进行抛光操作。
优选地，所述抛光轮6输入端与转动轴6.1一端连接，所述转动轴6.1另一端与从动轮6.2连接，所述从动轮6.2通过皮带6.3与主动轮6.4连接，所述主动轮6.4输入端与电动机6.5输出轴连接。
优选地，所述电动机6.5及轴承组件固定于机架6.6上。
本实施例工作原理如下：首先，机械抓取装置1通过大吸盘3吸附AG玻璃2，将AG玻璃2吸附抓取到旋转平台4的小吸盘5上，并使得AG玻璃2的锡面朝向小吸盘5，抽真空泵抽气使得小吸盘5牢牢吸住AG玻璃2，然后抛光轮6对AG玻璃2进行抛光操作；在本实施例中，机架6.6可水平移动从而带动抛光轮6水平移动一段距离，当抛光轮6对AG玻璃2抛光完成一片区域后，步进电机4.5控制第二锥齿轮4.4旋转一定角度，进而控制第一锥齿轮4.2带动旋转平台4旋转一定角度，然后抛光轮6可以对AG玻璃2的另一区域进行抛光，这样能够有效避免抛光死角区域的出现；同时喷液装置7不断对抛光面进行冲洗，最终完成物理抛光过程。
在本实施例中，AG玻璃，即为抗反射玻璃或防眩光玻璃，AG为专业术语，即抗反射或防眩光。
上述的实施例仅为本实用新型的优选技术方案，而不应视为对于本实用新型的限制，本申请中的实施例及实施例中的特征在不冲突的情况下，可以相互任意组合。本实用新型的保护范围应以权利要求记载的技术方案，包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进，也在本实用新型的保护范围之内。