1.一种多基片溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的多基片溅射真空电子束蒸镀装置包括真空溅射室、布置在真空溅射室底部上的阳极和环状阴极靶材，布置在真空溅射室顶部的多基片支座，多基片支座的下方固定设置有多个基片，多个基片与环状阴极靶材相对布置；环状阴极靶材的中心设置有惰性气体入口管，惰性气体入口管与设置在真空溅射室的外部的水箱连接，水箱中装有水，水箱的底部与氢气瓶或臭氧源连接；所述的惰性气体入口管还与设置在真空溅射室的外部的氩气瓶连接；多基片支座的一侧设置有基片机械臂；基片机械臂的末端插在真空溅射室内部；真空溅射室的一侧设置有基片储存盒；基片储存盒内设置有多个新基片；基片储存盒通过其侧壁上的门与真空溅射室连通；真空溅射室的底部还设置有涡轮泵。
2.如权利要求1所述的多基片溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的多基片支座的底部设置有圆形基片装载盘，多个基片固定设置在圆形基片装载盘的下表面上。
3.如权利要求2所述的多基片溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述环状阴极靶材上施加有直流电压、脉冲直流电压、交流电压、或射频电压。
4.如权利要求3所述的多基片溅射真空电子束蒸镀装置，其特征在于，所述的惰性气体入口管向真空溅射室中输入的气体的分压力为5×10-6托和5×10-4托之间的范围内。