板式PECVD上下镀膜一体设备的石墨载板结构的制作方法

本实用新型属于太阳能电池板生产设备的技术领域，具体是一种板式PECVD上下镀膜一体设备的石墨载板结构。

背景技术：

为了降低太阳能电池表面因反射损失的光能量，利用真空蒸发法、气相生长法或其他化学方法，在电池正面镀上单层或多层钝化膜，起到表面钝化和减反射的作用，用以提高电池的光电流和光电转换效率。

在太阳能电池制造工艺中，等离子增强化学气相沉积(PECVD)是一种普遍使用的用于制备电池表面减反射膜的一种方法。PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，由于等离子化学活性强，易发生反应，在基片上沉积出固定成分的薄膜。

为了提高电池片的转化效率，在常规电池背面增加背钝化工艺，是目前较为成熟的技术。PERC电池背面一般采用板式PECVD设备在背面生长出AlOx/SiNx叠层膜，背面完成钝化膜后，进入到下一道工序进行正面SiNx沉积。由于正背面膜分别在不同的设备上完成，一方面增加了自动化及人工投入，导致电池制造成本上升；另一方面，在硅片传输过程中，引入污染和制程异常的几率增加，导致良率下降。目前，已有设备制造厂生产出正背面镀膜一体机，设备主体结构分为三个腔，其中PM1和PM2采用上镀膜方式，在硅片背面分别沉积出AlOx/SiNx叠层膜；PM3采用下镀膜方式，在硅片正面生长一层SiNx薄膜。硅片在镀膜过程中，由于放置在石墨载板上，与载板有一定面积的接触，导致硅片正背面出现支点印、边缘绕镀，严重影响电池片外观及转换效率。

技术实现要素：

本实用新型针对背景技术中存在的问题提供一种板式PECVD上下镀膜一体设备的石墨载板结构，所述石墨载板具有多个石墨框单元，各石墨框单元均呈倒置的正四棱台结构，正四棱台的上底边为石墨边框，正四棱台的四个侧面均为石墨板，正四棱台的上底至下底中空形成空腔；硅片的边长介于上底边与下底边的边长之间，硅片卡置于正四棱台的侧面上。

优选的，所述上底边边长为159m；所述下底边边长为156mm。

优选的，所述上底边的倒角为Φ214.5mm，所述下底边的倒角为Φ208.5mm。

优选的，所述石墨框单元的数量为24个，呈四行六列布置。

本实用新型的有益效果

生产太阳能电池板的过程中，将硅片经过含本实用新型的PECVD上、下镀膜一体设备后，由于硅片与石墨侧面紧密贴合无缝隙，故制得的电池片正面无白边、无支点印，背面无绕镀，电池片正背面颜色均匀一致。

附图说明

图1为本实用新型的安装整体效果图。

图2为本实用新型的石墨框单元结构图。

图3为本实用新型的硅片放置示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但本实用新型的保护范围不限于此：

结合图1和图2，实施例1：一种板式PECVD上下镀膜一体设备的石墨载板结构，所述石墨载板具有多个石墨框单元，各石墨框单元均呈倒置的正四棱台结构，正四棱台的上底边1为石墨边框，正四棱台的四个侧面2均为石墨板，正四棱台的上底至下底中空形成空腔4；硅片5的边长介于上底边1与下底边3的边长之间。结合图3，硅片5卡置于正四棱台的侧面2上。实施例中的侧面2可以通过打磨或者切割石墨板形成。

实施例2：如实施例1所述的板式PECVD上下镀膜一体设备的石墨载板结构，对于外形为156.75x156.75mm、倒角为Φ210mm的硅片5。所述石墨框单元的上底边1边长为159m；所述下底边3边长为156mm。

实施例3：如实施例2所述的板式PECVD上下镀膜一体设备的石墨载板结构，所述上底边1的倒角为Φ214.5mm，所述下底边3的倒角为Φ208.5mm。

优选的，所述石墨框单元的数量为24个，呈四行六列布置。

本实用新型设计的石墨载板使硅片5通过其边缘实现与正四棱台侧面2的线接触固定，硅片5与石墨板之间无间隙，一方面可避免绕镀现象产生，另一方面，本设计无挂钩支撑，避免制得的电池片正面产生支点印，电池片正背面颜色均匀一致；同时，采用该设计石墨载板，可兼容不同尺寸的硅片5(图1所示石墨载板内部可承载硅片5的数量是4x6共24片，亦可以根据设备腔体的大小，把载板内部结构载片数做修改，如改成6x6或5x7……)；且，该设计同时兼容板式PECVD上镀膜与下镀膜设备，同时适用于所有上、下镀膜PECVD一体机。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神做举例说明，载片单元的尺寸、形状可根据采用的硅片尺寸和倒角形状进行设计。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。