24A和下表面24B与基板P的表面(XY平面)实质上平行。本实施方式中，贯通孔24H与Z轴方向实质上平行地贯通上表面24A和下表面24B之间。液体LQ能在贯通孔24H中流通。基板P上的液体LQ介由贯通孔24H被引入回收流路38A。
[0170]本实施方式中，XY平面内的贯通孔(开口)24H的形状为圆形。另外，上表面24A的贯通孔(开口)24H的大小与下表面24B的贯通孔(开口)24H的大小实质相等。应予说明，XY平面内的贯通孔24H的形状也可为圆形以外的形状，例如五边形、六边形等多边形。另外，上表面24A的贯通孔(开口)24H的直径和形状也可与下表面24B的贯通孔(开口)24H的直径和形状不同。
[0171]本实施方式中，控制装置4通过使包括真空系统的液体回收装置37工作而使筛网部件24的上表面24A与下表面24B间产生压力差，由此从筛网部件24 (回收面22)回收液体LQ。从回收面22回收的液体LQ介由流路38被回收至液体回收装置37。
[0172]在基板P的曝光中，从基板P向液体LQ溶出的物质(例如抗蚀剂或顶涂层等有机物)有可能会再向构成浸液部件6的部件表面析出。若在浸液部件6的与液体LQ接触的区域产生析出物，则该析出物有可能会因液流(水流)剥离并附着于基板P。
[0173]本实施方式中，在浸液部件6的与液体LQ接触的区域的至少一部分成膜有如上所述的功能性被膜、即掺杂有Ti的四面体非晶碳膜(ta_C:Ti膜)。ta-C:Ti膜具有化学惰性且对成膜的基底(基材)的附着力优异的性质。另外，本实施方式的ta_C:Ti膜兼具亲水性和防污染性。
[0174]因此，本实施方式中，在浸液部件6中成膜有ta_C:Ti膜的区域，与溶出到接触的液体LQ中的抗蚀剂成分或顶涂层成分的化学亲和性低，即使成为对液体LQ反复湿润、干燥的状态，也不易引起液体LQ中的抗蚀剂成分或顶涂层成分的附着及再析出。因此，能有效地抑制顶涂层成分再次向与液体LQ接触的区域的浸液部件6表面析出而导致该再析出物剥离并附着于曝光中的基板P的表面而产生曝光不良。由此能使产能提升。
[0175]本实施方式中，浸液部件6中在其表面成膜有ta_C:Ti膜的部分只要为与液体LQ接触的区域就没有特别限定，只要在液体回收区域22(回收口 32、筛网部件24)、平坦面21、下板部13、侧板部12的与液体LQ接触的区域的至少一部分成膜即可。可形成为如下构成，即在这些构成浸液部件6的部件中易发生抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出的区域以及易受到液体LQ的液流影响的区域成膜有ta-C: Ti膜。
[0176]通过形成上述结构，能抑制抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出，抑制再析出物的剥离、对基板P的附着。作为上述的易发生抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出的区域和易受到液体LQ的液流影响的区域，可特别举出液体回收区域22的回收口 32 (筛网部件24)。通过在回收口 32(筛网部件24)的表面成膜有ta-C:Ti膜，能有效地抑制抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出、再析出物的剥离、再析出物对基板P的附着，从而抑制曝光不良。
[0177]另外，根据本实施方式，由于不易发生抗蚀剂成分或顶涂层成分向浸液部件6的再析出，因此能降低浸液部件6的清洗操作的频率。另外，通过在浸液部件6表面成膜有ta-C:Ti膜，即使因反复的曝光工序而发生抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出的情况下，也由于浸液部件6的表面与抗蚀剂成分或顶涂层成分的化学亲和性低而附着力弱，从而能缩短再析出物的清洗操作时间。因此，根据本实施方式，由于能降低清洗操作的频率、时间，因此能缩短浸液曝光装置的停机时间，抑制生产率的降低。
[0178]本实施方式中，浸液部件6的基材为Ti制。由此，ta-C:Ti膜的内部应力被抑制得较低，能确保与浸液部件6的基材的充分附着力。应予说明，浸液部件6的基材也可为不锈钢、Al等具有耐腐蚀性的金属制品、陶瓷制品。
[0179]在浸液部件6的至少一部分成膜的ta_C:Ti膜的膜厚并没有特别限定，可以为5nm以上，优选为1nm?I μπι。作为ta_C:Ti膜，可使用膜中几乎不含氢的膜。
[0180]图9C是表示本实施方式中在回收口 32的筛网部件24成膜有ta_C:Ti膜的情况的一个例子的截面向视图。
[0181]本实施方式中，如图9C所示，ta-C: Ti膜在下表面24B、贯通孔24H的内壁面、上表面24A成膜。下表面24B、贯通孔24H的内壁面和上表面24A的ta_C:Ti膜的膜厚并没有特别限定，为了得到将化学惰性的ta-C:Ti膜成膜所带来的效果，只要以不成为岛状的方式成膜为连续的ta-C:Ti膜即可，可为5nm以上，优选为1nm?I μπι。ta_C:Ti膜的厚度可为约 10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、200、300、400、500、600、700、800、900 或 100nm0在下表面24B、上表面24A、贯通孔24H的内壁面成膜的ta_C:Ti膜的厚度各自可实质相同也可不同。贯通孔24H的内壁面的ta-C:Ti膜的厚度可利用贯通孔24H的孔径来调整。应予说明，ta-C: Ti膜也可仅在下表面24B和/或上表面24A成膜。
[0182]本实施方式中，如图9C所示，为了在回收口 32的筛网部件24将ta_C:Ti膜成膜，可通过在微细的贯通孔24H的内壁面也能均匀地成膜的FCVA法来成膜。
[0183]如图9C所示，对在筛网部件24的上表面24A、下表面24B及贯通孔24H的内壁面通过FCVA法将ta-C:Ti膜成膜的方法进行说明。
[0184]首先，图2A所示的FCVA装置200中，将筛网部件24以筛网部件24的上表面24A与C+离子粒子飞行方向(Y轴方向)相对的方式设置在基板支架207。然后，如图2B所示，利用未图示的驱动机构操作基板支架207使筛网部件24在θ X方向旋转，使上表面24A平面相对于C+离子飞行方向的Y轴倾斜角度Φ。此外，利用基板支架207的未图示的驱动机构，边在ΘΥ方向旋转边进行ta_C:Ti膜(ta-C)的成膜。通过这样设置、旋转筛网部件24来成膜，由此C+离子不仅到达筛网部件24的上表面24A，还到达贯通孔24H的内壁面，从而能将ta-C:Ti膜成膜。应予说明，只要筛网部件24的上表面24A平面相对于Y轴(C+离子飞行方向)的倾斜角度Φ为能使C+离子到达筛网部件24的贯通孔24H内部且在贯通孔24H的内壁面将ta-C:Ti膜成膜的角度，就没有特别限定，例如可为45度。
[0185]在筛网部件24的上表面24A侧将ta_C:Ti膜成膜后，将筛网部件24从基板支架207拆下，将单面(上表面24A)侧成膜的筛网部件24以下表面24B与C+离子粒子飞行方向(Y轴方向)相对的方式设置在基板支架207。然后，在筛网部件24的下表面24B侧以与上述的上表面24A侧的成膜方法相同的步骤边以倾斜角度Φ在Θ Y方向旋转边进行ta-C:Ti膜(ta-C)膜的成膜。在筛网部件24的下表面24B侧将ta_C:Ti膜(ta_C)成膜时的下表面24B平面相对于Y轴的倾斜角度Φ可与在上表面24A侧成膜时的上表面24A平面相对于Y轴的倾斜角度Φ相同。通过以在上表面24A侧成膜时的倾斜角度Φ与在下表面24B侧成膜时的倾斜角度Φ相同的方式设置筛网部件24来成膜，能使在贯通孔24H内壁面成膜的ta-C:Ti膜的膜厚均匀。通过如上所述的方法，在筛网部件24的上表面24A、下表面24B以及贯通孔24H的内壁面将ta-C:Ti膜成膜，由此能制造本实施方式的浸液部件6。
[0186]在本实施方式的浸液部件6中，在其表面成膜有ta-C: Ti膜的区域为拒液性，但为了保持液体LQ以形成浸液空间LS，顺畅地进行液体LQ的供给/回收，也可使该ta-C: Ti膜的至少一部分为亲液性。应予说明，本实施方式中，所谓“拒液性”是指纯水滴至其表面时的接触角超过50度，所谓“亲液性”是指纯水滴至其表面时的接触角为50度以下。
[0187]为了使浸液部件6的成膜有ta_C:Ti膜的区域从拒液性变化为亲液性，可通过在大气中对成膜有ta_C:Ti膜的区域中欲成为亲液性的区域照射紫外线来进行。在使ta-C: Ti膜成为亲水性时，可使用波长254nm的紫外线。
[0188]另外，虽有时因附着于ta_C:Ti膜表面的污染物(抗蚀剂成分或顶涂层成分)使亲水性降低，但可通过照射紫外线使亲液性恢复。
[0189]此时也可使用波长254nm的紫外线。
[0190]如以上所说明，根据本实施方式的浸液部件，通过在浸液部件6的与液体LQ接触的区域的至少一部分成膜有ta-C: Ti膜，从而在成膜有ta-C: Ti膜的区域，与溶出到接触的液体LQ的抗蚀剂成分或顶涂层成分的化学亲和性低，即使成为对液体LQ反复湿润、干燥的状态，也不易发生液体LQ中的抗蚀剂成分或顶涂层成分的附着及再析出。因此，能有效地抑制抗蚀剂成分或顶涂层成分再次向与液体LQ接触的区域的浸液部件6表面析出而导致该再析出物剥离并附着于曝光中的基板P的表面而产生曝光不良。
[0191]另外，根据本实施方式的浸液部件，由于不易发生抗蚀剂成分或顶涂层成分向浸液部件6的再析出，因此能降低浸液部件6的清洗操作的频率。另外，通过在浸液部件6表面将ta-C:Ti膜成膜，即使因反复的曝光工序而发生抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出，也由于浸液部件6表面与抗蚀剂成分或顶涂层成分的化学亲和性低，而用水流将其再溶解并排出，另外因其附着力也弱，所以能缩短再析出物的清洗操作时间。因此，根据本实施方式，由于能降低清洗操作的频率、时间，因此能缩短浸液曝光装置的停机时间，抑制生产率的降低。
[0192]此外，根据本实施方式的浸液部件的制造方法，可提供能有效地抑制曝光不良的产生且降低清洗操作的频率、时间而抑制生产率降低的浸液部件。
[0193]〈第2实施方式〉
[0194]接下来对第2实施方式进行说明。以下的说明中，对与上述实施方式相同或同等的构成部分标注相同符号，简化或省略其说明。
[0195]图10是表不第2实施方式的浸液部件6B的一部分的侧截面图。如图10所不，浸液部件6B的下表面7由第I平坦面51和设于第I平坦面51外周的第2平坦面52构成，第I平坦面51和第2平坦面52实质上配置于同一平面内(成为同一面)。供给流路36A由与终端光学元件5的外周面14相对设置的侧板部12和外周面57形成。回收口 53包括筛网部件54的表面，以不与基板P相对而与外周面57相对的方式配置。本实施方式的浸液部件6B中，介由形成于第I平坦面51与第2平坦面52间的第I开口 55流入空隙56的液体LQ介由回收口 53的筛网部件54被吸引、回收。应予说明，本实施方式中，也可为如日本特开2008-182241号公报所公开的构成的浸液部件6B。
[0196]本实施方式中，作为浸液部件6B的构成部件中在其表面成膜有ta_C:Ti膜的区域，与第I实施方式同样地，可举出与液体LQ接触的区域的构成部件，例如是回收口 53、筛网部件54、第I平坦面51、第2平坦面52、外周面57。其中，优选ta_C:Ti膜在与液体LQ的界面LG接触的第2平坦面52、作为回收液体LQ的回收口 53的筛网部件54成膜。应予说明，筛网部件54的构成及在筛网部件54的ta-C:Ti膜的成膜方法与第I实施方式同样。
[0197]本实施方式中，由于能抑制液体LQ中的抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出，所以能抑制因再析出物剥离导致的对基板P的附着进而引起的曝光不良的发生。另外，由于能通过抑制抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出使清洗工序的频率降低，所以能抑制生产率的降低。
[0198]〈第3实施方式〉
[0199]接下来对第3实施方式进行说明。以下的说明中，对与上述实施方式相同或同等的构成部分标注相同符号，简化或省略其说明。
[0200]图11是表不第3实施方式的浸液部件6C的一部分的侧截面图。如图11所不，浸液部件6C中，由设置于终端光学元件5周围的供给部件61形成的供给流路61H的供给口62与基板P相对。利用回收部件63形成于供给部件61外周的回收流路63H的回收口 64与基板P相对。捕捉部件65安装在回收部件63的外周，捕捉面66是捕捉部件65中的朝向基板P侧的面(即下表面)，如图6所示，相对于水平面倾斜。本实施方式的浸液部件6C中，从供给口 62向基板P从与基板面实质上垂直的方向供给的液体LQ以在终端光学元件5的下表面5U与基板P之间湿润扩展的方式供给。另外，浸液空间LS的液体LQ由回收口64在与基板面实质上垂直的方向被吸引、回收。应予说明，本实施方式中，也可为如日本特开2005-109426号公报所公开的构成的浸液部件6C。
[0201]本实施方式中，作为浸液部件6C的构成部件中在其表面成膜有ta_C:Ti膜的区域，与第I实施方式同样地，可举出与液体LQ接触的区域的构成部件，例如供给部件61、回收部件63、捕捉部件65 (捕捉面66)的任一个。
[0202]本实施方式中，由于能抑制液体LQ中的抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出，所以能抑制因再析出物剥离导致的对基板P的附着进而引起的曝光不良的发生。另外，由于能通过抑制抗蚀剂成分或顶涂层成分的再析出