一种磁控溅射智能气体分布器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种磁控溅射智能气体分布器，用于向磁控溅射镀膜真空腔中输送混合气体。
【背景技术】
[0002]在磁控溅射镀膜技术中，输入Ar’ 02混合气体是为了电离出氩离子轰击靶材，传统的磁控溅射镀膜腔室中的Ar，02混合气体采用无喷嘴的管道输送，气体分布不够均匀，从而导致电离出的氩离子分布不均，影响了镀膜的均匀度。另外，氧气分子的浓度过大会使待镀膜表面发生氧化反应，影响镀膜质量。传统的气体分布器不具备氧气浓度检测功能，不能在氧气浓度达到最适值时停止向真空腔体输入混合气体，从而影响镀膜的质量。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是:提供一种磁控溅射智能气体分布器，使输送的混合气体均匀分布于镀膜真空腔室内，且在氧气浓度达到设定值时控制开关停止混合气体的输送。
[0004]为解决上述问题，本实用新型采用的技术方案是:一种磁控溅射智能气体分布器，包括:管体1，喷嘴2，进气口 5，其特征在于，所述喷嘴2为一个半球体空腔，半球体空腔顶端与管体1密封连接，半球体空腔底板上均匀分布若干直径为0.5?1.0mm的气孔6，孔密度为1000000个/ m2 ;所述管体1为倒L形，管体1上接有气体浓度传感器3和气体输送开关4，气体浓度传感器3和气体输送开关4之间以杜邦线连接。
[0005]本实用新型的优点在于:喷嘴上细密的小孔使喷出的气体分布更均匀，从而使电离出的氩离子分布更均匀，有利于镀膜均匀度的提高，管体上的气体浓度传感器和气体输送开关可以有效控制镀膜真空腔室中氧气的浓度，从而控制待镀基板的氧化程度，便于得到高质量的镀膜。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型提出的磁控溅射智能气体分布器的整体结构；
[0007]图2为磁控溅射智能气体分布器喷嘴底板结构。
【具体实施方式】
[0008]下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
[0009]如图1所示为本实用新型一种磁控溅射智能气体分布器的整体结构，包括:管体1，喷嘴2，进气口 5，其特征在于，所述喷嘴2为一个半球体空腔，半球体空腔顶端与管体1密封连接，半球体空腔底板上均匀分布若干直径为0.5?1.0mm的气孔6，孔密度为1000000个/ m2 ;所述管体1为倒L形，管体1上接有气体浓度传感器3和气体输送开关4，气体浓度传感器3和气体输送开关4之间以杜邦线连接。
[0010]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种磁控溅射智能气体分布器，包括:管体(1)，喷嘴(2)，进气口(5)，其特征在于，所述喷嘴(2)为一个半球体空腔，半球体空腔顶端与管体(1)密封连接，半球体空腔底板上均匀分布若干直径为0.5?1.0mm的气孔(6)，孔密度为1000000个/ m2 ;所述管体⑴为倒L形，管体(1)上接有气体浓度传感器(3)和气体输送开关(4)，气体浓度传感器(3)和气体输送开关(4)之间以杜邦线连接。
【专利摘要】本实用新型公开了一种磁控溅射智能气体分布器，包括：管体，喷嘴，进气口，所述喷嘴为一个半球体空腔，半球体空腔顶端与进气管密封连接，半球体空腔底板上均匀分布若干直径为0.5～1.0mm的气孔,孔密度为1000000个/㎡；所述管体为倒L形，管体上接有气体浓度传感器和气体输送开关，气体浓度传感器和气体输送开关之间以杜邦线连接。本实用新型的优点在于：带有致密小孔的喷嘴能让气体均匀分布于镀膜真空腔中，气体浓度传感器和开关可以更好地控制输入氧气的浓度，有利于生产高品质镀膜。
【IPC分类】C23C14/35
【公开号】CN204999965
【申请号】CN201520395671
【发明人】刘晓萌, 左敏
【申请人】无锡爱尔华精机有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年6月9日