1.一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中
所述氧化物烧结体包含红绿柱石型晶相作为主要成分，
所述氧化物烧结体具有大于6.6g/cm3且小于等于7.5g/cm3的表观密度，
所述氧化物烧结体中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，
所述氧化物烧结体中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且
锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。
2.权利要求1所述的氧化物烧结体，其中
所述红绿柱石型晶相包含铟氧化物作为主要成分，并且包含固溶在所述红绿柱石型晶相的至少一部分中的钨和锌中的至少一种。
3.权利要求1或2所述的氧化物烧结体，其中
所述氧化物烧结体还包含六方纤锌矿型晶相。
4.权利要求1～3中任一项所述的氧化物烧结体，其中
所述氧化物烧结体还包含钨酸锌化合物晶相。
5.一种溅射靶，所述溅射靶包含权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体。
6.一种半导体器件，所述半导体器件包含使用权利要求5中所述的溅射靶并通过溅射法形成的氧化物半导体膜。
7.权利要求6所述的半导体器件，其中
所述氧化物半导体膜中的钨相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为大于0.5原子％且小于等于5.0原子％，
所述氧化物半导体膜中的锌相对于铟、钨和锌的总计的含量比率为1.2原子％以上且19原子％以下，且
锌相对于钨的原子比为大于1.0且小于60。
8.权利要求6或7所述的半导体器件，其中
所述氧化物半导体膜具有10-1Ωcm以上的电阻率。
9.权利要求6～8中任一项所述的半导体器件，其中
所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或无定形氧化物构成。
10.权利要求6～9中任一项所述的半导体器件，其中
所述氧化物半导体膜的膜厚度为2nm以上且25nm以下。
11.权利要求9或10所述的半导体器件，其还包含以与所述氧化物半导体膜的至少一部分接触的方式配置的层，其中
所述层为纳米晶层和无定形层中的至少一种。
12.权利要求11所述的半导体器件，其中
所述层为包含硅和铝中的至少一种的氧化物层。
13.一种制造权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体的方法，所述方法包括：
制备铟氧化物粉末与钨氧化物粉末的一次混合物；
通过对所述一次混合物进行热处理而形成煅烧粉末；
制备包含所述煅烧粉末的原料粉末的二次混合物；
通过对所述二次混合物进行成型而形成成型体；以及
通过对所述成型体进行烧结而形成所述氧化物烧结体，其中
形成煅烧粉末包括通过在含氧气氛下在700℃以上且低于1200℃的温度下对所述一次混合物进行热处理而形成包含铟和钨的复合氧化物粉末作为所述煅烧粉末。
14.一种制造权利要求1～4中任一项所述的氧化物烧结体的方法，所述方法包括：
制备锌氧化物粉末与钨氧化物粉末的一次混合物；
通过对所述一次混合物进行热处理而形成煅烧粉末；
制备包含所述煅烧粉末的原料粉末的二次混合物；
通过对所述二次混合物进行成型而形成成型体；以及
通过对所述成型体进行烧结而形成所述氧化物烧结体，其中
形成煅烧粉末包括通过在含氧气氛下在550℃以上且低于1200℃的温度下对所述一次混合物进行热处理而形成包含锌和钨的复合氧化物粉末作为所述煅烧粉末。
15.权利要求13或14所述的制造氧化物烧结体的方法，其中
所述钨氧化物粉末包含选自由WO3晶相、WO2晶相和WO2.72晶相组成的组中的至少一种晶相。
16.权利要求13～15中任一项所述的制造氧化物烧结体的方法，其中
所述钨氧化物粉末的中值粒径d50为0.1μm以上且4μm以下。
17.权利要求13～16中任一项所述的制造氧化物烧结体的方法，其中
所述复合氧化物包含ZnWO4型晶相和In6WO12型晶相中的至少一种。