1.一种单晶硅的生长方法，其采用切克劳斯基法，使晶种与原料熔融液接触，在圆锥工序中生长扩径部，在直体工序中与所述扩径部连续地生长直体部，在圆化工序中使所述直体部的直径逐渐地缩径而形成圆化部，在从所述熔融液切出单晶硅后，在后热工序中使所述单晶硅逐渐冷却，从而生长单晶硅，所述单晶硅的生长方法的特征在于，
预先确定使得在所述后热工序中使所述单晶硅逐渐冷却时的、所述圆化部上的相当应力与临界分切应力的比值成为最大的直径，
在所述圆化工序中，以使所述确定的直径的位置的晶格间氧浓度达到8.8×1017atoms/cm3(ASTM’79)以上这样的条件来生长所述圆化部。
2.根据权利要求1所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，
在所述圆锥工序中，
以所述单晶硅的所述扩径部的直径成为450mm以上的方式进行生长。
3.根据权利要求1或2所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，
在所述圆化工序中，
以所述单晶硅的所述圆化部的长度成为450mm以下的方式进行生长。
4.根据权利要求1至3所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，
在所述后热工序中，
所述后热工序的时间为2.5小时以上，
使得在所述后热工序结束时从所述熔融液的表面起到所述确定的直径的位置为止的高度为186mm以上。