技术总结
本发明提供一种单晶硅的生长方法，其特征在于，预先确定使得在后热工序中使单晶硅逐渐冷却时的、圆化部上的相当应力与临界分切应力的比值成为最大的直径，在圆化工序中，以使确定的直径的位置的晶格间氧浓度达到8.8×1017atoms/cm3(ASTM’79)以上这样的条件来生长圆化部。由此，在采用CZ法的单晶硅的制造中，能够抑制在圆化工序结束后、使结晶逐渐冷却的后热工序中，在单晶硅的圆化部发生滑移位错的情况，高效地生长大重量、大直径的单晶硅。
技术研发人员：高沢雅纪
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
文档号码：201580027054
技术研发日：2015.03.11
技术公布日：2017.02.22