技术特征：
技术总结
本发明提供一种直拉生长单晶硅的方法，所述方法包括：步骤1），提供氘、氮及钡掺杂的硅片以及多晶硅原料，将所述硅片与多晶硅原料放入坩埚中进行熔合；步骤2），采用加磁场直拉法形成具有氘及氮掺杂的单晶硅锭。本发明可以降低熔融体以及已经生长的晶体杂质水平；通过对氮掺杂单晶硅片进行高温退火，可以消除硅片表面区域的COP缺陷被；通过将氘原子存储在单晶硅锭的间隙中，可以降低氧及碳杂质的含量，在后续晶圆上形成器件时，氘能够与栅介质层与半导体界面处的悬空键进行结合，形成稳定的结构，避免热载流子的穿透，降低漏电流，提高器件的性能与可靠性。本发明通过硅片进行氮、氘和钡离子掺杂，可以减少掺杂硅片的使用量，降低制造成本。
技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.07.12
技术公布日：2018.01.19