一种Cf/SiC复合材料表面光学涂层及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种Cf/SiC复合材料表面光学涂层的制备方法，其特征在于，所述光学涂层是以SiC/Si为主相、厚度为1mm以上的光学致密涂层，所述制备方法包括以下步骤：

（a）通过浆料涂覆工艺在Cf/C复合材料表面制备主相为C和SiC的多孔素坯膜；

（b）将步骤（a）所得的多孔素坯膜和Cf/C复合材料同步渗硅，在所述Cf/C复合材料通过渗硅反应得到Cf/SiC复合材料的同时，在Cf/SiC复合材料表面形成以SiC/Si为主相的致密光学涂层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（a）包括将溶剂、以及作为陶瓷粉体的SiC粉体和炭黑球磨混合后得到的浆料直接涂覆于Cf/C复合材料表面得到一定厚度的陶瓷预涂层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷预涂层厚度为1mm～4mm。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体和炭黑的质量比为1：（0.2～0.6）。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在SiC粉体和炭黑中还加入分散剂和/或粘结剂后再与溶剂球磨混合得到所述浆料，所述分散剂为聚乙烯吡咯烷酮或/和BYK，加入量为陶瓷粉体和溶剂总质量的4%～8%。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述粘结剂为聚氨酯、甲基纤维素、聚乙烯醇中的至少一种，所述粘结剂为陶瓷粉体质量的6～12wt%。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，将步骤（a）所得的多孔素坯膜和Cf/C复合材料在真空条件下于1450℃～1650℃同步渗硅。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤（a）中，所述Cf/C复合材料的厚度为3～10 mm。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，渗硅的反应时间为10～60分钟。