1.基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，步骤如下：
S1 将铜衬底抛光、清洗；
S2 在铜衬底上生长石墨烯层；
S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；
S4 在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层。
2.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S1具体是指：首先将铜衬底进行清洗去除表面的油污和氧化层，再经机械抛光和电化学抛光的双重抛光之后，依次用：乙醇和去离子水清洗三次、稀盐酸清洗5-10min、去离子水清洗数次，N2吹干得到铜衬底。
3.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S2的具体操作如下：
S2a 将经过步骤S1处理的铜衬底放置于管式炉石英管中，抽真空5-7min；
S2b往管式炉石英管中通入氢气，流量100 sccm，并加热至800-1050℃后退火0.5-3小时；
S2c 再往管式炉石英管中通入氩气和氢气的混合气体、碳源气体甲烷进行石墨稀层的生长，然后关闭碳源气体甲烷和氢气，将管式炉石英管在氩气气氛下随炉冷却至室温，得到生长有石墨稀层的铜衬底；
其中，步骤S2c中通入的混合气体中氩气和氢气的体积比为20:1-10:1，氢气和甲烷的体积比为20:1- 4:1。
4.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S3的具体操作如下：
S3a 将步骤S2处理的生长有石墨稀层的铜衬底放置于原子层沉积设备反应腔中，抽真空，气压保持在0.2-0.4 Torr；
S3b 向所述原子层沉积设备反应腔中通入TMA与等离子体化的氮气和氢气的混合气体，其中TMA作为铝源，等离子体化的氮气和氢气的混合气体作为氮源，氮气或惰性气体作为载气；
S3c 重复步骤S3a、S3b，即可在所述生长有石墨稀层的铜衬底表面上形成氮化铝薄膜。
5.根据权利要求4所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于， 所述步骤S3的S3b中：氮气和氢气的体积比为4:1，N2作为载气，载气流量在40-80sccm，以使腔室内的真空度保持在0.2Torr。
6.根据权利要求4所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S3的S3b中: 在沉积之前首先向原子层沉积设备反应腔内通入氮气进行清洗，在每次沉积之后再通入氮气对原子层沉积设备反应腔进行清洗，清洗时间为30-60s。
7.根据权利要求4所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于， 所述步骤S3的S3c中：每个ALD循环依次为0.2-0.4 s TMA脉冲，50s的吹扫时间，40s 氮气和氢气混合物气脉冲，40s的吹扫时间，此为一个原子层沉积周期，等离子体发生器的功率在100w，生长温度区间在100-300℃。
8.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于， 所述步骤S4中，利用金属有机物化学气相沉积法的生长速率为0.4μm/h～4μm/h，生长温度为800-1200℃，使用的载气为氮气和氢气的混合气体。
9.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤S4得到的石墨烯层的厚度为1-30层。
10.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述步骤3得到的AlN层的厚度为20-100nm。
11.根据权利要求1所述的基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法，其特征在于，所述GaN层的厚度为0.4μm～5μm；优选的，GaN层厚度为2μm。
12.一种氮化镓基激光器，其特征在于，在铜衬底上依次生长有石墨烯层、氮化铝层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、N型覆盖层、N型波导层、有源区多量子阱层、P型波导层、P型覆盖层、P型氮化镓层，形成氮化镓激光器结构。