技术总结
本发明公开了一种BiVO4纳米线的水热法制备工艺，属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在FTO玻璃上进行BiVO4种子液的旋涂和煅烧得到BiVO4种子层，然后用水热法在反应釜中制备BiVO4纳米线，最后将制得的BiVO4纳米线置于管式炉中高温退火即可。本发明制备过程简单、易操作，整个制备过程无需价格高昂的设备，成本低廉，制得的BiVO4纳米线具有良好的晶型，光催化活性高；制备过程在反应釜中进行，便于FTO玻璃的取放，不会对样品造成损伤，且反应釜中温度可以达到很高，能够探究反应温度大于100℃时对BiVO4纳米线生长的影响；本发明整个制备过程无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，安全、环保。
技术研发人员：秦冬冬;耿园园;段世芳;李洋;王秋红;贺彩花;权晶晶
受保护的技术使用者：西北师范大学
文档号码：201710042462
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.05.31