1.一种半导体金属DEP的异常处理装置，包括处理装置主体(1)，其特征在于，所述处理装置主体(1)上设有腔室(2)，所述腔室(2)的底部内壁上固定安装有反应池(3)，所述腔室(2)的顶部内壁上开设有嵌入槽(4)，所述嵌入槽(4)的顶部内壁上固定安装有步进电机(6)，所述步进电机(6)的输出轴上焊接有第一连接轴(7)，所述第一连接轴(7)的底端焊接有转盘(8)，所述转盘(8)的底部一侧开设有第一凹槽(9)，所述第一凹槽(9)的两侧内壁上均焊接有固定块(10)，两个固定块(10)相互靠近的一侧均开设有通槽(11)，且两个通槽(11)内放置有同一个燃烧器(12)，所述燃烧器(12)的两侧均开设有对称设置的活动槽(13)，且活动槽(13)的一侧内壁上固定安装有齿条(14)，所述通槽(11)的两侧内壁上均开设有安装槽(15)，所述安装槽(15)远离安装槽(15)槽口的一侧内壁上固定安装有第一驱动电机(17)，所述第一驱动电机(17)的输出轴上焊接有第二连接轴(18)，所述第二连接轴(18)远离第一驱动电机(17)的一端延伸至通槽(11)内并焊接有齿轮(19)，且齿轮(19)延伸至活动槽(13)内并与齿条(14)相啮合，所述燃烧器(12)的底部焊接有喷火嘴(20)，所述转盘(8)的底部另一侧开设有第二凹槽(21)，且第二凹槽(21)的顶部内壁上开设有通孔(22)，所述转盘(8)的顶部固定安装有第二驱动电机(23)，所述第二驱动电机(23)的输出轴上焊接有第三连接轴(24)，且第三连接轴(24)的底端贯穿通孔(22)并焊接有推杆电机(25)，所述推杆电机(25)转动安装在第二凹槽(21)内，所述推杆电机(25)的输出轴上焊接有连接杆(26)，且连接杆(26)的底端延伸至腔室(2)内并焊接有圆盘(27)，所述圆盘(27)的底部四周焊接有多个搅拌棒(28)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述步进电机(6)的顶部焊接有第一固定板(5)，且第一固定板(5)的四角位置均开设有第一螺栓孔，所述第一螺栓孔内螺纹连接有第一螺栓，所述步进电机(6)通过第一螺栓孔和第一螺栓固定安装在嵌入槽(4)的顶部内壁上。
3.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述第一驱动电机(17)的一侧焊接有第二固定板(16)，所述第二固定板(16)的四角位置均开设有第二螺栓孔，所述第二螺栓孔内螺纹连接有第二螺栓，所述第一驱动电机(17)通过第二螺栓孔和第二螺栓固定安装在安装槽(15)远离安装槽(15)槽口的一侧内壁上。
4.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述腔室(2)为压力腔室，且腔室(2)内的压力比外界压力大。
5.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述通孔(22)的内壁上焊接有轴承，且第三连接轴(24)贯穿轴承并与轴承的内圈相焊接。
6.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述推杆电机(25)的顶部焊接有弧形滑块，且第二凹槽(21)的顶部内壁上设有环形滑轨，所述弧形滑块与环形滑轨滑动连接。
7.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述通槽(11)的内壁上设有密封圈，且燃烧器(12)通过密封圈滑动安装在通槽(11)内。
8.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述喷火嘴(20)的底部延伸至腔室(2)内并位于反应池(3)的正上方，且多个搅拌棒(28)均位于反应池(3)的上方。
9.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述搅拌棒(28)的数量为五到七个，且五到七个搅拌棒(28)呈环形等间距分布在圆盘(27)的底部四周。
10.根据权利要求1所述的一种半导体金属DEP的异常处理装置，其特征在于，所述第二驱动电机(23)的底部焊接有第三固定板，且第三固定板通过自攻丝固定安装在转盘(8)的顶部，所述第二驱动电机(23)的输出轴贯穿第三固定板并与第三连接轴(24)相焊接。