一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩的制作方法

本发明涉及导流罩技术领域，具体为一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩。

背景技术：

在单晶的拉制过程中，氩气由上而下吹入硅液表面，因为各石墨件之间以及石墨件与炉体之间存在一定的缝隙，氩气会再次由下而上携带杂质从缝隙处进入液面，因此会影响单晶的成晶以及热场的稳定，产生旁路，导流罩的使用可以弥补石墨件之间的缝隙，并且可以挡住因旁路产生的氩气进入液面，使液面更加洁净和稳定；

现有装置存有以下几点不足：

1、现有导流罩观察口，不能够很好的观察内部，不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况。

2、副室炉过长，需要外部安装承托装置对副室炉进行承托，但是现有的承托装置需要多种连接进行固定接连，非常的麻烦。

3、现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差，使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响，成品率较低。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，以解决上述背景技术中提出现有导流罩观察口，不能够很好的观察内部，不能时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况；副室炉过长，需要外部安装承托装置对副室炉进行承托，但是现有的承托装置需要多种连接进行固定接连，非常的麻烦；现有的导流罩与导流筒之间密封效果较差，使拉晶一次成晶率与单晶整根率受到影响，成品率较低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩，所述保温罩底部的中间设置有外导流罩，所述外导流罩的内侧设置有内导流罩，所述外导流罩外侧的顶部设置有封气环，所述保温罩顶部的一端设置有观察口，所述观察口内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜，所述保温罩顶部的中间设置有封闭阀，所述封闭阀的顶部设置有副室炉，所述保温罩顶部的两侧铰接有支撑架。

优选的，所述观察镜与水平方向呈°夹角。

优选的，两组所述支撑架的两端设置有安装板，且安装板的两侧设置有通孔，所述两组通孔之间设置有螺栓。

优选的，所述封气环为橡胶材料。

优选的，所述支撑架的顶部由半圆弧型结构制成。

优选的，所述外导流罩与内导流罩之间设置有保温棉。

优选的，所述观察口处设置有防护玻璃。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩；

1、通过观察口和观察镜的配合下，使视野不受影响，方便工作人员时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况；

2、通过支撑架的作用下对副室炉其承托作用，防止副室炉倒塌，同时在取单晶棒时也起到承托的作用，有效的防止了单晶棒的断裂；

3、通过封气环、内导流罩和外导流罩的作用下，增大导流罩与导流筒的接触面积，使密封效果好，气流更加顺畅，热场更稳定，提高了装置的密闭性，成品率较高。

附图说明

图1为本发明的主视剖视图；

图2为本发明的主视图；

图3为本发明的俯视图；

图中：1、保温罩；2、封气环；3、内导流罩；4、外导流罩；5、观察口；6、观察镜；7、副室炉；8、支撑架；9、封闭阀。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-3，本发明提供的实施例：一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩1，保温罩1底部的中间设置有外导流罩4，外导流罩4的内侧设置有内导流罩3，外导流罩4外侧的顶部设置有封气环2，保温罩1顶部的一端设置有观察口5，观察口5内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜6，保温罩1顶部的中间设置有封闭阀9，封闭阀9的顶部设置有副室炉7，保温罩1顶部的两侧铰接有支撑架8。

进一步的，观察镜6与水平方向呈45°夹角，使光线通过折射能够看到仓内部。

进一步的，两组支撑架8的两端设置有安装板，且安装板的两侧设置有通孔，两组通孔之间设置有螺栓，起到固定作用。

进一步的，封气环2为橡胶材料，封闭效果好。

进一步的，支撑架8的顶部由半圆弧型结构制成，方便对7进行支撑。

进一步的，外导流罩4与内导流罩3之间设置有保温棉，保证了炉内温度的稳定。

进一步，观察口5处设置有防护玻璃防止温度对人眼睛造成伤害。

工作原理：当需要观察时炉内情况时，由于观察镜6与水平方向呈45°，通过观察镜6对光的反射，能从观察口5处观察到炉内的情况，在内导流罩3和外导流罩4的作用下能对氩气起到导向作用，同时内导流罩3和外导流罩4之间的仓内安装保温棉，能够维持炉内的温度，通过封气环2能够对炉内的氩气起到封闭作用，防止氩气会再次由下而上携带杂质从缝隙处进入液面，支撑架8对副室炉7起到承托作用。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

技术特征：

1.一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩（1），其特征在于：所述保温罩（1）底部的中间设置有外导流罩（4），所述外导流罩（4）的内侧设置有内导流罩（3），所述外导流罩（4）外侧的顶部设置有封气环（2），所述保温罩（1）顶部的一端设置有观察口（5），所述观察口（5）内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜（6），所述保温罩（1）顶部的中间设置有封闭阀（9），所述封闭阀（9）的顶部设置有副室炉（7），所述保温罩（1）顶部的两侧铰接有支撑架（8）。

2.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，其特征在于：所述观察镜（6）与水平方向呈45°夹角。

3.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，其特征在于：两组所述支撑架（8）的两端设置有安装板，且安装板的两侧设置有通孔，且两组通孔之间设置有螺栓。

4.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，其特征在于：所述封气环（2）为橡胶材料。

5.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，其特征在于：所述支撑架（8）的顶部由半圆弧型结构制成。

6.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，其特征在于：所述外导流罩（4）与内导流罩（3）之间设置有保温棉。

7.根据权利要求1所述的一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，其特征在于：所述观察口（5）处设置有防护玻璃。

技术总结
本发明公开了一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩，包括保温罩，所述保温罩底部的中间设置有外导流罩，所述外导流罩的内侧设置有内导流罩，所述外导流罩外侧的顶部设置有封气环，所述保温罩顶部的一端设置有观察口，所述观察口内部顶部的一侧和底部的一侧设置有观察镜，所述保温罩顶部的中间设置有封闭阀，所述封闭阀的顶部设置有副室炉，所述保温罩顶部的两侧铰接有支撑架；本发明装置通过观察口和观察镜的配合下，使视野不受影响，方便工作人员时刻观察炉内单晶的生长情况以及水冷套水管的情况，在支撑架的作用下对副室炉其承托作用，防止副室炉倒塌，同时在取单晶棒时也起到承托的作用。

技术研发人员：武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉
受保护的技术使用者：大同新成新材料股份有限公司
技术研发日：2020.07.13
技术公布日：2020.11.20