的球状SiC-Si〇2复合颗粒作为巧晶材料，可 W实现全烙铸锭的引晶效果，并降低娃锭底部红区（低少子寿命区）高度，降低娃锭底部氧 含量；
[0033] (2)由于在球状SiC-Si化复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层，可W避免球状 SiC-Si化复合颗粒在娃料烙化过程中的软化甚至部分溶解而结块，导致引晶效果失效；
[0034] (3)与目前普遍使用的全烙巧晶相比，本发明中的巧晶直接铺设于相蜗底部的氮 化娃涂层之上，而非固定于相蜗底部和氮化娃涂层之间，因而可W从根本上避免粘蜗风险； 由于该巧晶无需控制引晶点间距，因而可实现更好的引晶效果，降低娃锭中位错比例；由于 使用表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC和Si化复合材料作为巧晶，较石英颗粒巧晶， 可显著降低娃锭中下部的间隙氧含量。
【附图说明】
[0035] 图1是本发明【背景技术】中娃料烙化步骤引晶层结构示意图；
[0036] 图2是本发明【背景技术】中巧晶溶蚀步骤示意图；
[0037] 图3是本发明【背景技术】中不同溶蚀程度引晶层的实物图（A ;溶蚀不足巧；溶蚀过 渡）；
[003引图4是本发明【背景技术】中引晶生长步骤示意图；
[0039] 图5是本发明【背景技术】中断裂脱离步骤示意图；
[0040] 图6是本发明【背景技术】中断裂脱离后娃锭底部和相蜗底部形貌；
[0041] 图7是本发明实施例1-6中制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复 合颗粒；
[0042] 其中图1-6中，1为巧晶，2为氮化娃涂层，3为娃烙体；4为石英相蜗；5为溶蚀凹 坑；6为娃晶体；7为断裂截面，8为娃锭。
【具体实施方式】
[0043] 实施例1
[0044] 本实施例提供的全烙高效多晶娃铸锭用巧晶，该巧晶为表面局部包覆有氮化娃涂 层的球状SiC-Si化复合颗粒，如图7中所示。
[0045] 该表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒中SiC和SiO 2的质量份 配比为99:1。
[0046] 上述表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒通过W下方法制备获 得：
[0047] 首先，采用溶胶凝胶法将SiC和Si化制成球状SiC-Si〇2复合颗粒，具体过程是：室 温下，按SiC粉末和Si〇2颗粒的质量份配比为99:1取SiC粉末和SiO 2颗粒，与聚氨醋、丙 締酸树脂、醋酸己締树脂等中的一种或几种的混合物混合制成溶胶，待溶胶老化成凝胶后 粉碎造粒并进行初步筛选，将筛选后的颗粒进行700-1000°C高温烘烤使凝胶颗粒收缩形成 球状微粒，即制备得球状SiC-Si化复合颗粒。
[0048] 其次，采用二次溶胶凝胶法在球状SiC-Si〇2复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层， 具体过程是；（1)、将球状的Sic-Si化复合颗粘结于树脂基板上，通过控制粘合剂（聚氨醋、 丙締酸树脂、醋酸己締树脂中的一种或几种的混合物）的用量控制SiC-Si化复合颗粒在粘 合剂中的埋藏深度，一般将SiC-Si〇2复合颗粒的40~70 %部分埋藏在粘合剂中；（2)、采用 流延法对SiC-Si化复合颗粒的暴露部分进行氮化娃涂层处理；（3)、采用氨氧火焰或酒精火 焰烧结将氮化娃涂层固定于SiC-Si化复合颗粒表面，并将树脂基板和粘合剂燃烧去除，获 得目标产品。将目标产品进行筛选即可制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化 复合颗粒。
[0049] 选粒径为2~4mm表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si〇2复合颗粒作为巧 晶进行铸锭实验。
[0050] 实施例2
[0化1] 本实施例提供的全烙高效多晶娃铸锭用巧晶，该巧晶为表面局部包覆有氮化娃涂 层的球状SiC-Si化复合颗粒，如图7中所示。
[0化引该表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒中SiC和SiO 2的质量份 配比为80:20。
[0化3] 首先，采用溶胶凝胶法将SiC和Si化制成球状SiC-Si〇2复合颗粒，具体过程是：室 温下，按SiC粉末和Si〇2颗粒的质量份配比为80:20取SiC粉末和SiO 2颗粒，与聚氨醋、丙 締酸树脂、醋酸己締树脂等中的一种或几种的混合物混合制成溶胶，待溶胶老化成凝胶后 粉碎造粒并进行初步筛选，将筛选后的颗粒进行700~1000°C高温烘烤使凝胶颗粒收缩形 成球状微粒，即制备得球状SiC-Si化复合颗粒。
[0化4] 其次，采用二次溶胶凝胶法在球状SiC-Si〇2复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层， 具体过程是；（1)、将球状的SiC-Si化复合颗粘结于树脂基板上，通过控制粘合剂（聚氨醋、 丙締酸树脂、醋酸己締树脂中的一种或几种的混合物）的用量控制SiC-Si化复合颗粒在粘 合剂中的埋藏深度，一般将SiC-Si〇2复合颗粒的40~70%部分埋藏在粘合剂中；（2)、采用 流延法对SiC-Si化复合颗粒的暴露部分进行氮化娃涂层处理；（3)、采用氨氧火焰或酒精火 焰烧结将氮化娃涂层固定于SiC-Si化复合颗粒表面，并将树脂基板和粘合剂燃烧去除，获 得目标产品。将目标产品进行筛选即可制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化 复合颗粒。
[0化5] 选粒径为1~2mm的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒作为 巧晶进行铸锭实验。
[0056] 实施例3
[0057] 本实施例提供的全烙高效多晶娃铸锭用巧晶，该巧晶为表面局部包覆有氮化娃涂 层的球状SiC-Si化复合颗粒，如图7中所示。
[0化引该表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si02复合颗粒中SiC和SiO 2的质量份 配比为60:40。
[0化9] 首先，采用溶胶凝胶法将SiC和Si〇2制成球状SiC-Si〇2复合颗粒，具体过程是：室 温下，按SiC粉末和Si化颗粒的质量份配比为60:40取SiC粉末和SiO 2颗粒，与聚氨醋、丙 締酸树脂、醋酸己締树脂等中的一种或几种的混合物混合制成溶胶，待溶胶老化成凝胶后 粉碎造粒并进行初步筛选，将筛选后的颗粒进行700-1000°C高温烘烤使凝胶颗粒收缩形成 球状微粒，即制备得球状SiC-Si化复合颗粒。
[0060] 其次，采用二次溶胶凝胶法在球状SiC-Si化复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层， 具体过程是；（1)、将球状的SiC-Si〇2复合颗粘结于树脂基板上，通过控制粘合剂（聚氨醋、 丙締酸树脂、醋酸己締树脂中的一种或几种的混合物）的用量控制SiC-Si化复合颗粒在粘 合剂中的埋藏深度，一般将SiC-Si〇2复合颗粒的40~70%部分埋藏在粘合剂中；（2)、采用 流延法对SiC-Si化复合颗粒的暴露部分进行氮化娃涂层处理；（3)、采用氨氧火焰或酒精火 焰烧结将氮化娃涂层固定于SiC-Si化复合颗粒表面，并将树脂基板和粘合剂燃烧去除，获 得目标产品。将目标产品进行筛选即可制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化 复合颗粒。
[0061] 选粒径为0. 5~1mm表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒作为 巧晶进行铸锭实验。
[0062] 实施例4
[0063] 本实施例提供的全烙高效多晶娃铸锭用巧晶，该巧晶为表面局部包覆有氮化娃涂 层的球状SiC-Si化复合颗粒，如图7中所示。
[0064] 该表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si〇2复合颗粒中SiC和SiO 2的质量份 配比为50:50。
[00化]首先，采用溶胶凝胶法将SiC和Si〇2制成球状SiC-Si〇2复合颗粒，具体过