程是：室 温下，按SiC粉末和Si化颗粒的质量份配比为50:50取SiC粉末和SiO 2颗粒，与聚氨醋、丙 締酸树脂、醋酸己締树脂等中的一种或几种的混合物混合制成溶胶，待溶胶老化成凝胶后 粉碎造粒并进行初步筛选，将筛选后的颗粒进行700-1000°C高温烘烤使凝胶颗粒收缩形成 球状微粒，即制备得球状SiC-Si化复合颗粒。
[0066] 其次，采用二次溶胶凝胶法在球状SiC-Si化复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层， 具体过程是；（1)、将球状的Sic-Si化复合颗粘结于树脂基板上，通过控制粘合剂（聚氨醋、 丙締酸树脂、醋酸己締树脂中的一种或几种的混合物）的用量控制SiC-Si化复合颗粒在粘 合剂中的埋藏深度，一般将SiC-Si〇2复合颗粒的40~70 %部分埋藏在粘合剂中；（2)、采用 流延法对SiC-Si化复合颗粒的暴露部分进行氮化娃涂层处理；（3)、采用氨氧火焰或酒精火 焰烧结将氮化娃涂层固定于SiC-Si化复合颗粒表面，并将树脂基板和粘合剂燃烧去除，获 得目标产品。将目标产品进行筛选即可制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化 复合颗粒。
[0067] 选粒径为0. 5~1mm表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒作为 巧晶进行铸锭实验。
[0068] 实施例5
[0069] 本实施例提供的全烙高效多晶娃铸锭用巧晶，该巧晶为表面局部包覆有氮化娃涂 层的球状SiC-Si化复合颗粒，如图7中所示。
[0070] 该表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒中SiC和SiO 2的质量份 配比为40:60。
[0071] 首先，采用溶胶凝胶法将SiC和Si化制成球状SiC-Si〇2复合颗粒，具体过程是：室 温下，按SiC粉末和Si〇2颗粒的质量份配比为40:60取SiC粉末和SiO 2颗粒，与聚氨醋、丙 締酸树脂、醋酸己締树脂等中的一种或几种的混合物混合制成溶胶，待溶胶老化成凝胶后 粉碎造粒并进行初步筛选，将筛选后的颗粒进行700-1000°C高温烘烤使凝胶颗粒收缩形成 球状微粒，即制备得球状SiC-Si化复合颗粒。
[0072] 其次，采用二次溶胶凝胶法在球状SiC-Si〇2复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层， 具体过程是；（1)、将球状的Sic-Si化复合颗粘结于树脂基板上，通过控制粘合剂（聚氨醋、 丙締酸树脂、醋酸己締树脂中的一种或几种的混合物）的用量控制SiC-Si化复合颗粒在粘 合剂中的埋藏深度，一般将SiC-Si〇2复合颗粒的40~70 %部分埋藏在粘合剂中；（2)、采用 流延法对SiC-Si化复合颗粒的暴露部分进行氮化娃涂层处理；（3)、采用氨氧火焰或酒精火 焰烧结将氮化娃涂层固定于SiC-Si化复合颗粒表面，并将树脂基板和粘合剂燃烧去除，获 得目标产品。将目标产品进行筛选即可制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化 复合颗粒。
[0073] 选粒径为0. 1~0. 5mm表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒作 为巧晶进行铸锭实验。
[0074] 实施例6
[0075] 本实施例提供的全烙高效多晶娃铸锭用巧晶，该巧晶为表面局部包覆有氮化娃涂 层的球状SiC-Si化复合颗粒，如图7中所示。
[0076] 该表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒中SiC和SiO 2的质量份 配比为30:70。
[0077] 首先，采用溶胶凝胶法将SiC和Si化制成球状SiC-Si〇2复合颗粒，具体过程是：室 温下，按SiC粉末和Si〇2颗粒的质量份配比为30:70取SiC粉末和SiO 2颗粒，与聚氨醋、丙 締酸树脂、醋酸己締树脂等中的一种或几种的混合物混合制成溶胶，待溶胶老化成凝胶后 粉碎造粒并进行初步筛选，将筛选后的颗粒进行700-1000°C高温烘烤使凝胶颗粒收缩形成 球状微粒，即制备得球状SiC-Si化复合颗粒。
[007引其次，采用二次溶胶凝胶法在球状SiC-Si化复合颗粒表面局部包覆氮化娃涂层， 具体过程是；（1)、将球状的SiC-Si02复合颗粘结于树脂基板上，通过控制粘合剂（聚氨醋、 丙締酸树脂、醋酸己締树脂中的一种或几种的混合物）的用量控制SiC-Si化复合颗粒在粘 合剂中的埋藏深度，一般将SiC-Si02复合颗粒的40~70%部分埋藏在粘合剂中；（2)、采用 流延法对SiC-Si化复合颗粒的暴露部分进行氮化娃涂层处理；（3)、采用氨氧火焰或酒精火 焰烧结将氮化娃涂层固定于SiC-Si化复合颗粒表面，并将树脂基板和粘合剂燃烧去除，获 得目标产品。将目标产品进行筛选即可制成的表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化 复合颗粒。
[0079] 选粒径为0. 1~0. 5mm表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒作 为巧晶进行铸锭实验。
[0080] W上实施例的铸锭过程均在精功JJL500型铸锭炉内进行，铸锭后娃片中位错密 度采用在线化进行统一测量。
[0081] 表1为实施例1-6中表面局部包覆有氮化娃涂层的球状SiC-Si化复合颗粒用于 全烙多晶娃铸锭后娃片位错密度情况：
[0082]
【主权项】
1. 一种全熔高效多晶硅铸锭用籽晶，其特征是：所述的籽晶为表面局部包覆有氮化硅 涂层的球状SiC-SiO 2复合颗粒。
2. 根据权利要求1所述的全熔高效多晶硅铸锭用籽晶，其特征是：所述的表面局部包 覆有氮化硅涂层的球状SiC-SiO2复合颗粒中SiC和5丨0 2的质量份配比为30~99:1~70。
3. 根据权利要求2所述的全熔高效多晶硅铸锭用籽晶，其特征是：所述的表面局部包 覆有氮化硅涂层的球状SiC-SiO2复合颗粒通过以下方法制备获得：按用量关系取SiC和 SiO2，首先采用溶胶凝胶法将SiC和Si0#ij成球状SiC-SiO 2复合颗粒，然后采用二次溶胶 凝胶法在球状3冗^02复合颗粒表面局部包覆氮化硅涂层。
4. 根据权利要求3所述的全熔高效多晶硅铸锭用籽晶，其特征是：所述的表面局部包 覆有氮化硅涂层的球状SiC-SiO2复合颗粒的粒径为0. 1~5. 0mm。
5. 权利要求1或2所述的全熔高效多晶硅铸锭用籽晶的制备方法，其特征是含以下步 骤：按用量关系取SiC和SiO2，首先采用溶胶凝胶法将SiC和Si0#ij成球状SiC-SiO 2复合 颗粒，然后采用二次溶胶凝胶法在球状3冗^02复合颗粒表面局部包覆氮化硅涂层。
6. 权利要求1或2中的籽晶在多晶硅全熔高效铸锭中的应用。
【专利摘要】本发明公开了一种全熔高效多晶硅铸锭用籽晶，所述的籽晶为表面局部包覆有氮化硅涂层的球状SiC-SiO2复合颗粒。本发明还公开了上述全熔高效多晶硅铸锭用籽晶的制备方法以及上述籽晶在多晶硅全熔高效铸锭中的应用。与目前普遍使用的全熔籽晶相比，该籽晶直接铺设于坩埚底部的氮化硅涂层之上，而非固定于坩埚底部和氮化硅涂层之间，因而可以从根本上避免粘埚风险；由于该籽晶无需控制引晶点间距，因而可实现更好的引晶效果，降低硅锭中位错比例；由于使用SiC、SiO2复合材料作为籽晶，较石英颗粒籽晶，可显著降低硅锭中下部的间隙氧含量。
【IPC分类】C30B28-06, C30B29-06
【公开号】CN104630884
【申请号】CN201510037057
【发明人】黄新明, 尹长浩, 董慧, 钟根香, 王梓旭
【申请人】东海晶澳太阳能科技有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2015年1月23日