一种多晶硅引晶方法
【技术领域】
[0001] 发明涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅引晶方法。
【背景技术】
[0002] 多晶硅太阳能电池是一种新型的环保能源，但多晶硅电池转换效率较低，生产成 本较高，其中电池转换效率多是在硅晶片的生长过程中造成的。多晶硅的生长主要是通过 硅料在多晶硅铸锭炉中的定向生长完成的，在生长过程中，引晶颗粒易与石英坩埚基体发 生粘连，导致多晶硅铸锭产生较强的应力，并易引发裂纹。
【发明内容】
[0003] 发明的目的在于提供一种多晶硅引晶方法。
[0004] 为达此目的，发明采用以下技术方案：
[0005] -种多晶硅引晶方法，包括以下步骤：
[0006] (1).在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；
[0007] (2).把步骤（1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；
[0008] (3).把经过步骤⑵处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的铸锭。
[0009] 发明的有益效果：本发明在原有多晶硅铸锭的基础上，通过把引晶颗粒的外表面 包裹一层氮化硅涂层，大大的改善了引晶颗粒与坩埚底部接触易发生粘连的问题。
【具体实施方式】
[0010] 下面通过【具体实施方式】来进一步说明发明的技术方案。
[0011] -种多晶娃引晶方法，包括以下步骤：
[0012] (1).在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；
[0013] (2).把步骤⑴中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；
[0014] (3).把经过步骤⑵处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的铸锭。
[0015] 实施例1
[0016] 本实施例中选用硅颗粒作为引晶颗粒，硅颗粒的大小为22目，把硅颗粒放入到氮 化硅溶液中，放置一定的时间后取出烘干，硅颗粒外的氮化硅涂层厚度为50ym，包裹氮化 硅涂层后的硅颗粒按照25mg/cm2均匀分布到坩埚底部。
[0017] 采用包裹氮化硅涂层后的硅颗粒与普通硅颗粒分别进行铸锭，生产条件相同，即 投料量均为850kg，硅料组成方案相同，铸锭工艺配方相同，铸锭炉台相同，对生产出的硅晶 片以及粘连状况进行检测，检测结果对比如下：
[0018]
[0019] 通过对比发现，采用包裹氮化硅涂层后的硅颗粒作为新的引晶颗粒，生产出的硅 晶体品质较高，引晶颗粒与坩埚的粘连问题得到很好的改善。
[0020] 显然，发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明发明所作的举例，而并非是对发明 的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出 其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在发明的精 神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在发明权利要求的保护范围 之内。
【主权项】
1. 一种多晶硅引晶方法，其特征在于，包括以下步骤： (1) .在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒； (2) .把步骤（1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部； (3) .把经过步骤（2)处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的生产。2. 根据权利要求1所述的多晶硅引晶方法，其特征在于，所述步骤（1)种的引晶颗粒为 硅颗粒、石英颗粒或碳化硅颗粒中一种，其颗粒大小控制在10目-30目。3. 根据权利要求1所述的多晶硅引晶方法，其特征在于，所述步骤（1)的引晶颗粒外包 裹的氮化娃涂层厚度为10 y m-100 y m。4. 根据权利要求1所述的多晶硅引晶方法，其特征在于，所述步骤（3)中铺设新的引晶 颗粒密度为 l〇mg/cm2-25mg/cm2。
【专利摘要】发明公开了一种多晶硅引晶方法，包括以下步骤：(1)在引晶颗粒外包裹一层氮化硅涂层形成新的引晶颗粒；(2)把步骤(1)中形成的新的引晶颗粒均匀的铺设到坩埚底部；(3)把经过步骤(2)处理后的坩埚放入铸锭炉中，进行多晶硅的铸锭。本发明在原有多晶硅铸锭的基础上，通过把引晶颗粒的外表面包裹一层氮化硅涂层，大大的改善了引晶颗粒与坩埚底部接触易发生粘连的问题。
【IPC分类】C30B28/06, C30B29/06
【公开号】CN105088337
【申请号】CN201510446358
【发明人】宋江, 郭宽新
【申请人】奥特斯维能源（太仓）有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月27日