专利名称：四进制电存储材料及其制备和应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电存储材料，具体涉及一种四进制电存储材料及其制备方法。
背景技术：
2009年岁末3D Imax电影《阿凡达》由于其前所未有的视听效果而享誉全球，然而承载这部电影的胶片重量达到700kg之多，这也说明了现有的存储材料和存储技术已经远远落后于信息社会快速发展的步伐。目前在超高密度信息存储研究领域几乎所有的努力都集中在减小存储单元的尺寸来提高信息存储密度，当无机材料由于其自身性质无法进一步缩小尺寸时，研究者就把精力都转向具有良好加工性能的聚合物或有机材料，以期能通过进一步减小存储单元尺寸来提高信息存储密度。然而这种尺寸缩小也仅仅是从微米到纳米尺寸的改变，对存储密度的提高贡献也就在1000倍以内，从长远来看仍然满足不了超高密度信息存储的需求。这是因为现在的光存储、磁存储及基于聚合物和有机材料的电存储基本都是传统的“0”和“ 1，，的二进制存储，如何从根本上解决信息存储密度提高的问题，阿加沃和我们课题组先后利用无机纳米线和有机材料实现了 0、1、2三进制存储，突破了传统的“0”和“1”的二进制存储限制，可使单位面积内的存储密度成千万倍的增长(如同样40个存储单元，三进制存储密度将比二进制存储密度提高1千多万倍)，这就可以实现用更少的存储单元获得惊人的存储能力，将使所有需要具有存储能力的电子器件变得更加紧凑，意味着器件制造工艺会更加简单，从而真正意义上实现容量大、尺寸小、功耗低、成本低的新一代超高密度信息存储器件(参见:H. Li，Q. Xu, N. Li，R. Sun, J. Ge，J. Lu，H. Gu, F. Yan, J. Am. Chem. Soc. 2010,132, 5542. ；Y. W. Jung, S. H. Lee, A. T. Jennings, R. Agarwal, Nano Lett. 2008,8,2056.)。如果能进一步提高材料的存储位数，器件的存储密度将会进一步得到提高。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种具有“0”、“1”、“2”、“3”四进制存储功能的电存储材料。为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是一种四进制电存储材料，所述四进制电存储材料的化学结构通式如下所示
权利要求
1.一种四进制电存储材料，其特征在于，所述四进制电存储材料的化学结构通式如下所示
2.权利要求1所述四进制信息存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)在10 35°C下，对4，4’_ 二氨基二苯砜进行单边保护，得到化合物1，所述化合物1的化学结构式为
3.一种四进制数据存储器件，所述四进制数据存储器件包括底电极和上电极，其特征在于，所述四进制数据存储器件还包括有机薄膜层，有机薄膜层设置在底电极和上电极之间，底电极、有机薄膜层和上电极构成三明治结构；所述有机薄膜层的材料为权利要求1所述四进制电存储材料。
4.根据权利要求3所述四进制数据存储器件，其特征在于，底电极的厚度为10-300nm；有机薄膜层的厚度为40-150nm ；上电极的厚度为20-300nm。
5.根据权利要求3所述四进制数据存储器件，其特征在于，所述底电极的材料选自 ITO导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物。
6.根据权利要求3所述四进制数据存储器件，其特征在于，所述上电极的材料选自可蒸镀金属及金属氧化物。
7.应用权利要求1所述四进制电存储材料制备四进制数据存储器件的方法，包括以下步骤在底电极上沉积上述四进制电存储材料，形成一层40-150nm的有机薄膜；再在有机薄膜上真空沉积一层上电极，制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构器件；所述底电极的材料选自ΙΤ0导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物；所述上电极的材料选自可蒸镀金属及金属氧化物。
全文摘要
本发明涉及一种电存储材料，具体公开了一种四进制电存储材料及其制备和应用，所述四进制电存储材料的化学结构式如下所示式中，所述R和R*选自卤素、硝基或甲氧基中的一种；其中，R1选自C1～C6的烷基或苯基中的一种。由于本发明所述四进制电存储材料的应用，本发明成功制得四进制数据存储器件，同时，本发明中所涉及的有机材料合成简单，器件制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”，“1”和“2”三进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。
文档编号C07C317/32GK102437284SQ20111044485
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者李华, 路建美 申请人:苏州大学