专利名称：一类具有吸光度-温度响应特性的乙烯基聚合物的制作方法
技术领域：
一类具有吸光度-温度响应特性聚合物的结构。
背景技术：
目前国内外有关具有吸光度-温度线性响应聚合物的报道还很少见，2007年国 外曾报道聚(3-己基)噻吩溶液的吸光度随温度的增加而逐渐减小，然而由于电子能级 间跃迁的改变，其吸收峰位置也同时发生偏移J. Clark，，et al. Phys. Rev. Lett. ,98, 206406(2007)。
发明内容
本发明所公开的含三芳基咪唑侧基的乙烯基聚合物具有吸光度_温度线性响应 性，即吸光度随着温度(20-90摄氏度)的变化呈现线性变化，而吸收峰位置不随温度而改 变，说明温度的增减不会改变聚合物分子的电子能级跃迁，这一特性使其在温度传感器方 面表现出巨大的潜在应用价值。本发明公开一类具有吸光度_温度响应特性聚合物的结构及合成方法。为实现上述目的，本发明提供的聚合物侧基含有如下所示的三芳基咪唑基团(通 式1)
权利要求
一类具有吸光度 温度响应特性的乙烯基聚合物，所述的乙烯基聚合物其侧基含有通式1所示的三芳基咪唑基团，通式1为通式1所述乙烯基聚合物溶液或聚合物膜在光波长220 450nm，温度在20 90℃范围内，聚合物溶液和聚合物膜的吸光度随温度变化呈现线性变化；聚合物分子量在1000 106g/mol范围内，分子量分布指数在1 50范围内；聚合物溶液是以二甲基甲酰胺(DMF)或二甲基亚砜(DMSO)为溶剂，聚合物膜厚度为8 300nm；通式1中R1、R2、R3可以是氢或给电子基团或吸电子基团；R2、R3、R1基团可以相同，也可以各不相同。FDA0000030060250000011.tif
2.如权利要求1所述乙烯基聚合物，所述的给电子基团为氨基-NH2、取代氨 基-NHR、-NR2、烷基、烷氧基或氨酰基；所述的吸电子基团为卤素原子、羧基、酯基、腈基、磺 酸基；取代基R1的C数可以在1-4之间变化，R3和R2基团C数量可以在1-5之间变化；当R1的C数量为1-4时，R1在苯环a所剩四个取代位的任意位置；当R2的C数量为1_5 时，R2可以在苯环b所剩五个取代位的任意位置；当R3的C数量为1-5时，R3可以在苯环c 所剩五个取代位的任意位置。
3.如权利要求1所述乙烯基聚合物，其特征在于，聚合物主链可以通过酯基(-C00-)、 酮基(-C0-)、醚基(-0-)、苯基(-Ph-)、萘基、取代苯基、或杂环基团与三芳基咪唑基团的苯 环a连接。
4.如权利要求3所述乙烯基聚合物，其特征在于，所述的杂环基团为
5.如权利要求1所述乙烯基聚合物，其特征在于，所述的聚合物具有以下结构
6. 一类具有吸光度-温度响应特性的乙烯基聚合物的制备，其特征在于，将具有式2或 式3所示单体结构中同时含有可聚合的乙烯基团和三芳基咪唑基团根据单体性质选择相 应聚合反应合成聚合物，所选聚合反应包括自由基聚合反应、活性或可控自由基聚合反应、 离子聚合反应或配位聚合反应
7.如权利要求6所述聚合物的制备，制备过程包括溶液聚合、乳液聚合、悬浮聚合或固 相聚合。
8.如权利要求6所述聚合物的制备，其特征在于，所得到的聚合物可以是式2、式3所 述单体的均聚物，或式2、式3所述单体的共聚物。
9.如权利要求6所述聚合物的制备，其特征在于，所述的共聚物包括二元、三元以及四 元共聚物，共聚物组成可任意调节。
10.如权利要求6所述聚合物的制备，其特征在于，所述乙烯基聚合物溶液或聚合物 膜在光波长220-450nm，温度在20-90°C范围内，聚合物溶液和聚合物膜的吸光度随温度 变化呈现线性变化；；聚合物溶液是以二甲基甲酰胺或二甲基亚砜溶剂，聚合物膜厚度为 8-300nm ；聚合物分子量在1000_106g/mol范围内，分子量分布在1_50范围内。
全文摘要
本发明公开一类具有吸光度-温度响应特性聚合物的结构。所述的乙烯基聚合物其侧基含有通式1所示的三芳基咪唑基团，通式1为通式1所述乙烯基聚合物溶液或聚合物膜在光波长220-450nm，温度在20-90℃范围内，聚合物溶液和聚合物膜的吸光度随温度变化呈现线性变化；聚合物分子量在1000-106g/mol范围内，分子量分布指数在1-50范围内；聚合物溶液是以二甲基甲酰胺(DMF)或二甲基亚砜(DMSO)为溶剂，聚合物膜厚度为8-300nm；通式1中R1、R2、R3可以是氢或给电子基团或吸电子基团；R2、R3、R1基团可以相同，也可以各不相同。
文档编号C08F120/36GK101982476SQ20101052502
公开日2011年3月2日 申请日期2010年10月29日 优先权日2010年10月29日
发明者廖秋林, 杨端光, 陈红飙, 黎华明 申请人:湘潭大学