相位差膜的制造方法

文档序号:3674567阅读:196来源:国知局
相位差膜的制造方法
【专利摘要】本发明的目的是提供一种更简单且简便的相位差膜的制造方法,该相位差膜的制造方法的特征在于,包括:在基板上涂布包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物的工序;通过对该组合物进行减压干燥或者在自然干燥后进行加热干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂,形成光反应性层的工序;对该光反应性层照射直线偏振光,形成热取向性层的工序;对该热取向性层进行加热处理的工序。
【专利说明】相位差膜的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及相位差膜的制造方法。
【背景技术】
[0002]近年来,相位差膜在显示器(除液晶显示器外也包括柔性显示器等)领域内以各种各样的形式使用。该相位差膜通常是在基板上形成具有液晶取向能力的层(液晶取向层)后,在该液晶取向层上涂布液晶性化合物,使其取向而制成的。这种情况下,作为在基板上赋予液晶取向层的方法,已知例如在基板的表面被覆聚酰亚胺等高分子树脂膜、沿着一个方向用布等对其进行摩擦的摩擦处理,但该方法中存在如下问题:因微细尘埃的产生而导致的液晶制造流水线的污染、因静电而导致的TFT(薄膜晶体管)元件的破坏等成为引起液晶面板的制造工序中的成品率下降的原因,难以进行定量的取向控制等。此外,替代摩擦处理,也提出了多种使用光反应性化合物、将其被覆在基板上、通过光照射来形成具有液晶取向能力的光取向膜的方法(专利文献I?3)。但是,其中的任一种方法都需要另行制作用于使液晶取向的膜,很繁琐。
[0003]因此,研究了无需另行形成液晶取向层而直接得到相位差膜的方法。例如,专利文献4中记载了如下制造方法:将形成于基材上的包含能体现出液晶性的感光性化合物的感光性层加热至各向同性相变温度以上后,从该状态骤冷至玻璃相-液晶相相变温度以下,照射偏振光,进行加热处理,从而得到相位差膜。但是,该方法中存在如果无法实现迅速的冷却、则相位差膜的品质下降等问题,要求提供更简便且可靠的方法。
[0004]专利文献1:日本特开平08-015681号公报
[0005]专利文献2:日本特开2007-304215号公报
[0006]专利文献3:日本特开2008-276149号公报
[0007]专利文献4:日本特开2009-109757号公报

【发明内容】

[0008]在上述背景下,本发明的目的是提供一种更简单且简便的相位差膜的制造方法。此外,本发明的目的是提供一种能在该相位差膜的制造中使用的新型相位差膜用组合物。
[0009]本发明人进行了认真研究,结果发现,将包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物涂布于基板、从该涂膜蒸发除去除去溶剂时,如果进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥,则经过后续的直线偏振光照射、加热处理,能直接制成相位差膜,并进一步反复进行研究,从而完成了本发明。
[0010]S卩,本发明涉及:
[0011]〔I〕相位差膜的制造方法,其特征在于,包括:
[0012]在基板上涂布包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物的工序;
[0013]通过对该组合物进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂,形成光反应性层的工序;[0014]对该光反应性层照射直线偏振光,形成热取向性层的工序;
[0015]对该热取向性层进行加热处理的工序。
[0016]〔2〕上述〔I〕的制造方法,其中,形成光反应性层的工序是通过对该组合物进行减压干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂的工序。
[0017]〔3〕相位差膜用组合物,其包含具有通式(I)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙
烯酸聚合物,
[0018]
【权利要求】
1.相位差膜的制造方法,其特征在于,包括以下工序: 涂布工序,在基板上涂布包含具有光反应性基团的液晶性聚合物和溶剂的组合物;光反应性层形成工序,通过对所述组合物进行减压干燥、或者在自然干燥后进行加热干燥,从而蒸发除去该组合物中的溶剂,形成光反应性层; 热取向性层形成工序,对所述光反应性层照射直线偏振光,形成热取向性层; 热取向性层加热处理工序,对所述热取向层进行加热处理。
2.如权利要求1所述的制造方法,其中,光反应性层形成工序是通过对所述组合物进行减压干燥,从而蒸发除去所述组合物中的溶剂的工序。
3.相位差膜用组合物,其包含具有通式(I)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
4.相位差膜用组合物,其包含具有通式(1-a)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
5.相位差膜用组合物,其包含具有通式(1-b)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
6.相位差膜用组合物,其包含具有通式(Ι-c)表示的重复单元的共聚性(甲基)丙烯酸聚合物,
【文档编号】C08F220/30GK103443668SQ201280004819
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2012年2月20日 优先权日:2011年2月23日
【发明者】椿幸树, 阿波茂树, 小林武史, 松山刚知, 川月喜弘 申请人:大阪有机化学工业株式会社, 兵库县
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1