具有低灰分含量的基于丙烯的聚合物及方法
【专利摘要】本发明提供一种生产免清洗的基于丙烯的聚合物的方法，该聚合物可用作介电膜且具有低的总灰分含量。该基于丙烯的聚合物包含取代的亚苯基芳族二酯，并且适宜用作电子装置的介电材料。
【专利说明】具有低灰分含量的基于丙烯的聚合物及方法
【背景技术】
[0001]本公开提供一种具有低的总灰分含量的基于丙烯的聚合物，生产其的方法，以及包含其的装置。
[0002]催化剂残留物不利地影响介电聚合物膜的性能。例如，为了除去催化剂残留物并降低总灰分含量，通常在将常规基于丙烯的聚合物用作介电材料之前对其进行清洗。然而，清洗比较昂贵、耗时，还需要另外的处理资源。
[0003]本领域技术人员意识到需要具有低的总灰分含量的基于丙烯的聚合物用于介电应用。进一步期望具有低的总灰分含量且不需要清洗过程但是仍然表现出可接受的低催化剂残留量以用作介电材料的基于丙烯的聚合物。
【发明内容】
[0004]本公开提供一种方法。在一种实施方式中，提供一种生产基于丙烯的聚合物的方法，该方法包括:在聚合条件下，使丙烯和任选的一种或多种共聚单体与含有取代的亚苯基芳族二酯的催化剂组合物接触。该方法包括形成总灰分含量小于40ppm或小于30ppm的免清洗的基于丙烯的聚 合物。
[0005]在一种实施方式中，该方法包括将该免清洗的基于丙烯的聚合物双轴取向成厚度为2微米-20微米的膜。双轴取向的膜的总灰分含量小于40ppm或小于30ppm。
[0006]本公开提供一种膜及生产其的方法。在一种实施方式中，膜包括免清洗的基于丙烯的聚合物。该免清洗的基于丙烯的聚合物包括取代的亚苯基芳族二酯。免清洗的基于丙烯的聚合物的总灰分含量小于40ppm或小于30ppm。
[0007]在一种实施方式中，膜的二甲苯可溶物含量为小于6.0wt%。
[0008]在一种实施方式中，膜的厚度为2微米-20微米，和根据DINIEC243-2测得的介电强度为 620KV/mm-720KV/mm。
[0009]本公开提供一种装置及生产该装置的方法。在一种实施方式中，装置包括电部件和与电部件可操作相通的基于丙烯的聚合物。基于丙烯的聚合物包括取代的亚苯基芳族二酯。
[0010]在一种实施方式中，基于丙烯的聚合物是免清洗的基于丙烯的聚合物。在进一步的实施方式中，免清洗的基于丙烯的聚合物包含小于40ppm或小于30ppm的总灰分含量。[0011 ] 在一种实施方式中，电部件选自变压器、电容器、开关、稳定器(regulator)、电路断路器、自动继电器、流体填充的传输线、及其组合。
[0012]本公开的优点是使用包含取代的亚苯基芳族二酯的催化剂生产具有低的总灰分含量的免清洗基于丙烯的聚合物的免清洗方法。
[0013]本公开的优点是由具有低的总灰分含量的免清洗基于丙烯的聚合物制成的膜，其中该膜具有有利的介电性质，特别是高介电强度。
[0014]本公开的优点是提供具有电部件和介电膜的装置。介电膜由包含取代的亚苯基芳族二酯的基于丙烯的聚合物构成。介电膜由总灰分含量小于40ppm或小于30ppm的免清洗基于丙烯的聚合物构成。
【具体实施方式】
[0015]1.方法
[0016]本公开提供一种生产具有低的总灰分含量的基于烯烃的共聚物的方法。术语“基于烯烃的聚合物”是包含聚合形式的大于50重量百分比的烯烃的聚合物，基于聚合物的总重量。基于烯烃的聚合物的非限制性实例包括基于乙烯的聚合物和基于丙烯的聚合物。
[0017]在一种实施方式中，基于烯烃的聚合物是基于丙烯的聚合物。该方法包括在聚合条件下，使丙烯和任选一种或多种共聚单体与催化剂组合物接触。催化剂组合物包括取代的亚苯基芳族二酯。该方法进一步包括形成总灰分含量小于40ppm或小于30ppm的免清洗的基于丙烯的聚合物。
[0018]本申请使用的“聚合条件”是指在聚合反应器内适用于促进催化剂组合物和烯烃之间的聚合反应从而形成所需聚合物的温度和压力参数。聚合过程可以是在一个或多于一个反应器中运行的气相聚合过程、淤浆聚合过程或本体聚合过程。在一种实施方式中，该烯烃是丙烯和任选的乙烯。
[0019]本申请使用的“催化剂组合物”是指当在聚合条件下与烯烃接触时形成基于烯烃的聚合物的组合物。催化剂组合物包括原催化剂(procatalyst)组合物和助催化剂。催化剂组合物可以任选包括外给电子体和/或活性限制剂。
[0020]原催化剂组合物包括镁部分、钛部分和内给电子体的组合。内给电子体包括取代的亚苯基芳族二酯。原催化剂组合物通过卤化过程生产，该卤化过程将原催化剂前体和取代的亚苯基芳族二酯给体转化为已引入内给电子体的镁部分和钛部分的组合。形成原催化剂组合物的原催化剂前体可以是镁部分前体、混合的镁/钛前体、或包含苯甲酸酯的氯化镁前体。
[0021]在一种实施方式中，镁部分是卤化镁。在另一种实施方式中，卤化镁是氯化镁或氯化镁醇加合物。
[0022]在一种实施方式中，钛部分是卤化钛，例如氯化钛。在另一种实施方式中，钛部分是四氯化钛。
[0023]在一种实施方式中，原催化剂组合物包括氯化镁载体，其中在该载体上沉积有氯化钛并且其中引入了内给电子体。
[0024]原催化剂组合物的内给电子体包括取代的亚苯基芳族二酯。本申请使用的术语“取代的亚苯基芳族二酯”(或“SPAD”)可以是取代的1，2-亚苯基芳族二酯、取代的1，3-亚苯基芳族二酯或取代的1，4-亚苯基芳族二酯。
[0025]在一种实施方式中，取代的亚苯基芳族二酯是具有以下结构(I)的1，2-亚苯基芳
族二酯:
[0026]
【权利要求】
1.一种方法，包括: 在聚合条件下，使丙烯和任选的一种或多种共聚单体与含有取代的亚苯基芳族二酯的催化剂组合物接触；和 形成总灰分含量小于30ppm的免清洗的基于丙烯的聚合物。
2.权利要求1的方法，包括形成免清洗的基于丙烯的聚合物，该聚合物的性质选自以下:具有 Oppm-1Oppm.?、0ρρηι-10ρρηι 氯、Oppm-1Oppm 镁、Oppm-1Oppm 钛、及其组合。
3.权利要求1的方法，包括形成二甲苯可溶物含量小于6.(^〖％的基于丙烯的聚合物。
4.权利要求1的方法，包括:使丙烯与包含取代的亚苯基芳族二酯的催化剂组合物接触，该取代的亚苯基芳族二酯为3-甲基-5-叔丁基-1，2-亚苯基二苯甲酸酯；和形成丙烯均聚物。
5.权利要求1的方法，包括:使丙烯和乙烯与包含取代的亚苯基芳族二酯的催化剂组合物接触，该取代的亚苯基芳族二酯为3-甲基-5-叔丁基-1，2-亚苯基二苯甲酸酯；和形成丙烯/乙烯共聚物。
6.权利要求1的方法，包括:使所述基于丙烯的聚合物双轴取向；和形成厚度为2微米-20微米的膜。
7.权利要求1的方法，包括形成膜，该膜的厚度为2微米-20微米，和根据DINIEC243-2测定的介电强度为620KV/mm-720KV/mm。
8.权利要求1的方法，包括用所述免清洗的基于丙烯的聚合物涂布电部件。
9.权利要求1的方法，包括用所述免清洗的基于丙烯的聚合物涂布电部件，该电部件选自变压器、电容器、开关、稳定器、电路断路器、自动继电器、流体填充的传输线、及其组口 ο
10.权利要求1的方法，包括在电部件上形成包含所述免清洗的基于丙烯的聚合物的膜。
11.权利要求1的方法，包括在电容器上形成厚度为2微米-20微米的膜，该膜包含所述免清洗的基于丙烯的聚合物，且总灰分含量小于30ppm。
【文档编号】C08F10/06GK103764693SQ201280042302
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2012年7月26日 优先权日:2011年7月28日
【发明者】C-J.周 申请人:陶氏环球技术有限责任公司