具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物的制作方法

文档序号:3687277阅读:245来源:国知局
具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物的制作方法
【专利摘要】提供具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,所述组合物在大气下、24℃、常压、以及将波长400nm以下的光遮蔽的条件下静置24小时之后,使用电子自旋共振(ESR)装置测定时,具有g值2.034~1.984的峰,并且包含相对于组合物中的1g固体成分为0.1×10-6~120×10-6摩尔的自由基。
【专利说明】具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物

【技术领域】
[0001] 本发明涉及适合用于显示装置的绝缘材料的,适合用于半导体装置中的表面保护 膜、层间绝缘膜、α射线遮蔽膜等的形成的,以及适合用于搭载了图像传感器或微型机器、 或微致动器的半导体装置等的具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,将该聚硅氧烷组 合物固化而得到的固化物或透明绝缘膜。

【背景技术】
[0002] 在电子部件的绝缘材料、以及半导体装置的表面保护膜、层间绝缘膜和α射线遮 蔽膜等用途中,广泛使用兼备优异的耐热性、电特性和机械特性的聚酰亚胺树脂。所述的聚 酰亚胺树脂具有如下特征:通常以感光性聚酰亚胺前体组合物的形态供应,将其涂布于基 材上,实施预烘培(soft bake),隔着所希望的图案掩模照射活性光线(曝光),显影,实施 热固化处理,由此能够使由耐热性聚酰亚胺树脂形成的固化浮雕图案容易地形成(例如参 照以下的专利文献1)。
[0003] 另一方面,具有上述的优异的特性的聚酰亚胺由于在500nm?400nm附近具有来 自聚酰亚胺环的吸收,所以不适合于显示装置或光学系材料这样的需要高透明性的用途。
[0004] 另外,主要从构成要素的材质或结构设计上的理由出发,对于能够在更低温度下 进行热固化处理的材料的要求逐渐提高。然而,为现有的聚酰亚胺树脂前体组合物的情况 下,如果降低固化处理温度则不能完成热酰亚胺化,由于各种固化膜物性降低,因而固化处 理温度的下限为300°c左右。
[0005] 然而,以下的专利文献2公开了能够低温固化的感光性硅氧烷系材料。
[0006] 现有技术文献
[0007] 专利文献
[0008] 专利文献1 :日本特开平6-342211号公报
[0009] 专利文献2 :国际公开第2010/061744号小册子


【发明内容】

[0010] 发明要解决的问是页
[0011] 形成显示装置或光学材料时,形成了图案的树脂被暴露于高温下数次,成为最终 制品之后,暴露于根据周围环境的变化的温度冲击中,所以需要高的抗裂性。然而,可知使 用专利文献2中公开的技术的情况下,所必需的厚膜在抗裂性方面还有改善的余地。另外, 在显示装置或光学系材料这样的需要高透明性和低温固化性的领域中,还没有发现满足厚 膜时的抗裂性的感光性成膜材料。
[0012] 鉴于所述现有技术的现状,本发明所要解决的问题是提供能够得到透明性高、并 且对于温度冲击的抗裂性优异的固化物的、能够低温固化的具有自由基交联性基团的聚硅 氧烷组合物。
[0013] 用于解决问题的方案
[0014] 本发明人等为了解决上述问题进行深入研究并重复进行实验,结果意外发现通过 使用具有特定的自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,能够解决前述课题,从而完成了本 发明。即,本发明如下所述。
[0015] [1] 一种具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,其在大气下、24°C、常压、以及 将波长400nm以下的光遮蔽的条件下静置24小时之后,使用电子自旋共振(ESR)装置测定 时,具有g值2. 034?1.984的峰,并且包含相对于组合物中的lg固体成分为0. IX 10_6摩 尔/g?120ΧΚΓ6摩尔/g的自由基。
[0016] [2]根据前述[1]所述的具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,其具有下述 结构。
[0017]

【权利要求】
1. 一种具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,其在大气下、24°c、常压、以及将波 长400nm以下的光遮蔽的条件下静置24小时之后,使用电子自旋共振(ESR)装置测定时, 具有g值2. 034?1.984的峰,并且包含相对于组合物中的Ig固体成分为0. IXKT6? 120X10-6摩尔的自由基。
2. 根据权利要求1所述的具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,其具有下述结 构:
式中,Ri、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子、和/或碳原子数1?10的1价有机基团, 并且R1与R2、或者R3与R4任选彼此键合形成环结构。
3. 根据权利要求1或2所述的具有自由基交联性基团的聚硅氧烷组合物,其还具有碱 溶性基团。
4. 一种聚硅氧烷组合物,其还包含(B)光自由基引发剂。
5. 根据权利要求4所述的聚硅氧烷组合物,其中,相对于所述聚硅氧烷组合物中的总 固体成分100质量份,包含1质量份?99质量份的(A)具有自由基交联性基团的聚硅氧烷、 〇. 01质量份?15质量份的(B)光自由基引发剂、以及0. 005质量份?2质量份的(C)氮氧 化合物。
6. 根据权利要求5所述的聚硅氧烷组合物,其中,所述(C)氮氧化合物如下述通式所 示:
式中,R5表示氢原子、碳原子数1?12的烷基、羟基、氨基、羧酸基、氰基、杂原子取代烷 基、或者通过醚键、酯键、酰胺键或氨基甲酸酯键键合的1价有机基团,R6表示2价或3价的 有机基团,Ii 1和IIi1为满足1彡1^+1?彡2的整数,n2和m2为满足1彡n 2+m2彡2的整数,n3 和m3为满足I < n3+m3 < 2的整数,并且1为2或3的整数。
7. 根据权利要求1?6的任一项所述的聚硅氧烷组合物,其中,所述(A)具有自由基交 联性基团的聚硅氧烷为具有(甲基)丙烯酰基和/或苯乙烯基的聚硅氧烷。
8. 根据权利要求1?7的任一项所述的聚硅氧烷组合物,其中,相对于所述聚硅氧烷组 合物中的总固体成分100质量份,还包含5质量份?45质量份的(D)具有光聚合性双键的 化合物。
9. 根据权利要求1?8的任一项所述的聚硅氧烷组合物,其中,相对于所述聚硅氧烷组 合物中的总固体成分100质量份,还包含〇. 01质量份?10质量份的(E)紫外线吸收剂。
10. 根据权利要求1?9的任一项所述的聚硅氧烷组合物,其中,相对于所述聚硅氧 烷组合物中的总固体成分100质量份,还包含1质量份?50质量份的(F)酸值为10? 200mgK0H/g的碱溶性树脂。
11. 根据权利要求1?10的任一项所述的聚硅氧烷组合物,其中,所述㈧具有自由基 交联性基团的聚硅氧烷具有下述通式所元的结核1, 式中,Ph表不苯基。
12. -种固化物,其是将权利要求1?11的任一项所述的聚硅氧烷组合物固化而得到 的。
13. -种透明绝缘膜,其是将权利要求1?11的任一项所述的聚硅氧烷组合物固化而 得到的。
【文档编号】C08L83/04GK104245846SQ201380020944
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2013年4月19日 优先权日:2012年4月20日
【发明者】佐佐木由香, 胜又彻 申请人:旭化成电子材料株式会社
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