多异氰酸酯固化物和多异氰酸酯固化物的制造方法与流程

文档序号:12480835阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种多异氰酸酯固化物,其具有异氰脲酸酯结构作为单元结构,还包含脲基甲酸酯基,所述异氰脲酸酯结构包含选自由脂肪族二异氰酸酯和脂环式二异氰酸酯组成的组中的至少1种二异氰酸酯,异氰脲酸酯基与脲基甲酸酯基的摩尔比即异氰脲酸酯基/脲基甲酸酯基为99/1~20/80。

2.根据权利要求1所述的多异氰酸酯固化物,其中,异氰脲酸酯基与脲基甲酸酯基的摩尔比即异氰脲酸酯基/脲基甲酸酯基为99/1~50/50。

3.根据权利要求1或2所述的多异氰酸酯固化物,其厚度为1mm时的黄色指数YI为10以下,且150℃×144小时的条件下的耐热黄变性试验中黄色指数YI的变化为10以下。

4.一种多异氰酸酯固化物的制造方法,其具备如下工序:

使用(a)多异氰酸酯组合物和(b)异氰脲酸酯化催化剂作为原料,在实质上不含溶剂的条件下进行异氰脲酸酯化反应,直至多异氰酸酯组合物中的异氰酸酯基即NCO基的消失率达到90%以上,

所述(a)多异氰酸酯组合物包含:由选自由脂肪族二异氰酸酯和脂环式二异氰酸酯组成的组中的至少1种二异氰酸酯得到的、含有异氰脲酸酯基的多异氰酸酯;和,由选自由脂肪族二异氰酸酯和脂环式二异氰酸酯组成的组中的至少1种二异氰酸酯得到的、含有脲基甲酸酯基的多异氰酸酯。

5.根据权利要求4所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述多异氰酸酯组合物中的多异氰酸酯中的异氰脲酸酯基与脲基甲酸酯基的摩尔比即异氰脲酸酯基/脲基甲酸酯基为99/1~30/70。

6.根据权利要求5所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述多异氰酸酯组合物是使用碳数3~9的单醇作为原料之一而得到的多异氰酸酯组合物。

7.根据权利要求4~6中任一项所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述多异氰酸酯组合物中的多异氰酸酯中的异氰酸酯基即NCO基含量为7.0~23.0质量%。

8.根据权利要求4~7中任一项所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述多异氰酸酯组合物中的多异氰酸酯中的异氰酸酯基即NCO基的数均官能团数为2.1以上。

9.根据权利要求4~8中任一项所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述(b)异氰脲酸酯化催化剂包含有机季铵盐。

10.根据权利要求4~9中任一项所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述(b)异氰脲酸酯化催化剂的添加量相对于多异氰酸酯组合物的固体成分为5000ppm以下。

11.根据权利要求4~10中任一项所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,进一步使用(c)抗氧化剂作为原料。

12.根据权利要求11所述的多异氰酸酯固化物的制造方法,其中,所述(c)抗氧化剂为选自由受阻酚系抗氧化剂、受阻胺系抗氧化剂、含硫抗氧化剂和含磷抗氧化剂组成的组中的至少1种。

13.一种光半导体装置,其中,光半导体元件被权利要求1~3中任一项所述的多异氰酸酯固化物密封。

14.一种光半导体装置,其中,光半导体元件被实质上不含氨基甲酸酯基和脲基的多异氰酸酯固化物密封。

15.一种光半导体装置,其以实质上不含氨基甲酸酯基和脲基的多异氰酸酯固化物作为反射器。

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