1.一种热传导性硅酮组合物，其包含：
成分(A)和成分(B)，
其中，成分(A)为以下述平均组成式(1)表示，且在25℃下的运动粘度为10～100000mm2/s的有机聚硅氧烷，
R1aSiO(4-a)/2 (1)
通式(1)中，R1表示选自氢原子、羟基或碳原子数为1～18的饱和或不饱和一价烃基中的一种或二种以上基团，a满足1.8≤a≤2.2,
成分(B)是振实密度为3.0g/cm3以上、比表面积为2.0m2/g以下的银粉，相对于100质量份的成分(A)，其配合量为300～11000质量份。
2.如权利要求1所述的热传导性硅酮组合物，其中，成分(B)的银粉的长径比为2.0～150.0。
3.如权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物，其中，部分或全部成分(A)为：
成分(C)，在1个分子中至少含有2个与硅原子键合的烯基的有机聚硅氧烷；和/或
成分(D)，在1个分子中至少含有2个与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
4.如权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物，其进一步含有固化催化剂。
5.如权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物，其进一步含有作为成分(E)的有机硅烷，
该作为成分(E)的有机硅烷以下述通式(2)所表示，
R2bSi(OR3)4-b (2)
在通式(2)中，R2表示选自任选具有取代基的饱和或不饱和的一价烃基、环氧基、丙烯基以及甲基丙烯基中的1种或2种以上基团、R3表示一价烃基、b满足1≤b≤3，
并且，相对于100质量份的成分(A)，所述作为成分(E)的有机硅烷的含量为0～10质量份。
6.一种半导体装置，其为具备放热性电子部件和散热体的半导体装置，且权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物介于所述放热性电子部件和散热体之间。
7.一种半导体装置的制造方法，该方法具有如下工艺：
于放热性电子部件和散热体之间，在施加0.01MPa以上的压力的状态下将权利要求1或2所述的热传导性硅酮组合物加热至80℃以上。