用于电子器件的材料的制作方法
【技术领域】
[0001] 本申请涉及在一个分子中含有茚并咔唑基团、咔唑基团和缺电子杂芳基基团的式
[1] 化合物。所述化合物可用于电子器件中。
【背景技术】
[0002] 在本申请意义上的电子器件被认为特别是指包含有机半导体材料作为功能材料 的所谓的有机电子器件。此外特别地，它们被认为是指有机电致发光器件（0LED)和下文在 本发明的【具体实施方式】中指出的其它电子器件。
[0003] 通常，术语0LED被认为是指包含至少一种有机材料并且在施加电压时发光的电 子器件。尤其在US4539507、US5151629、EP0676461 和W0 98/27136 中描述了 0LED的确 切结构。
[0004] 对于改进电子器件、特别是0LED的性能数据、特别是寿命和效率和工作电压存在 非常大的兴趣。此处起重要作用的是有机发光体层，特别是其中存在的基质材料，和具有电 子传输功能的有机层。
[0005] 为了实现这个技术目的，正在持续寻求适于在发光层、特别是磷光发光层中用作 基质材料的新型材料。此外，寻求用于相应的功能层中的具有电子传输和/或空穴阻挡性 质的材料。
[0006] 在本申请意义上的磷光发光层是包含至少一种磷光发光体化合物的有机层。
[0007] 发光层的发光体化合物通常是在电子器件工作时发光的化合物。
[0008] 根据本申请的术语磷光发光体涵盖如下的化合物：其中，通过自旋禁阻的跃迀而 发光，所述自旋禁阻的跃迀例如是从激发三重态或自旋量子数比较高的态例如五重态的跃 迀。
[0009] 在包含两种或更多种材料的体系中的基质材料被认为是指混合物中比例较大的 组分。相应地，在包含两种或更多种材料的体系中的掺杂剂被认为是指混合物中比例较小 的组分。在许多情况下也使用术语主体材料代替术语基质材料。
[0010] 如果发光体化合物在发光层中与一种或多种另外的化合物组合使用，则其在混合 物中的比例通常相对较小。在这种情况下，其也可被称为掺杂剂化合物。所述一种或多种 另外的化合物通常以相对较大的比例存在于混合物中并且因此可根据上述定义被称为基 质材料。
[0011]从现有技术，例如从W0 2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP 1205527或W0 2008/086851，已知含有一个或多个咔唑基团的化合物在电子器件中的用 途。
[0012] 此外，从现有技术，例如从W0 2010/136109和W0 2011/000455,已知含有一个或 多个茚并咔唑基团的化合物在电子器件中的用途。
[0013]此外，从现有技术，例如从WO2010/015306、W0 2007/063754 和W0 2008/056746， 已知含有一个或多个缺电子杂芳族六元环的化合物在电子器件中的用途。
[0014] 然而，仍然需要用于电子器件中、特别是用作有机电致发光器件的磷光发光层的 基质材料的可选化合物。
[0015] 此外，现有技术还公开了含有一个或多个缺电子杂芳族六元环、一个或多个咔唑 基团和一个或多个茚并咔唑基团的化合物在电子器件中的用途。此类化合物和其在电 子器件中的用途例如公开于W0 2010/136109、W0 2011/000455、W0 2012/069121 和W0 2012/014500 中。
[0016] 然而，仍然需要相对于这些化合物的改进，特别是在包含所述化合物的器件的工 作电压、功率效率和寿命方面的改进。
【发明内容】
[0017] 令人惊讶地，此时已发现，利用如下的特定的同分异构茚并咔唑化合物可实现优 异的性能数据，所述茚并咔唑化合物经由其N原子连接至缺电子六元杂芳族环并且带有经 由其碳原子之一键合的咔唑取代基。特别是，在用于有机电致发光器件中时实现优异的寿 命和功率效率。
[0018] 因此，本申请涉及式（I)化合物
[0019]
【主权项】
1.式⑴的化合物，
其中： Y等于N或CR1，其中所述六元环中的至少两个基团Y必须等于N ; Z等于CR1或N ; V等于CR2或N ; Ar1是具有6至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团 R1取代； Ar2是具有6至40个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可被一个或多个基团 R1取代； R1在每次出现时相同或不同地是 H，D，F，fc，Cl，I，C( = 0)R3，CN，Si(R3)3，N(R3) 2，P(= 0) (R3) 2, S ( = 0) R3, S ( = 0) 2R3,具有1至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团，或具有3 至20个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基 基团，其中上述基团可各自被一个或多个基团R 3取代，并且其中上述基团中的一个或多个 012基团可被-R3C = CR3-、-C E c-、Si(R3)2、C = 0、C = NR3、-c( = 0)0-、-c( = 0)NR3-、 NR3、P( = 0) (R3)、-0-、-S-、S0或SO2代替，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R 3取代，或具有5至30个芳族环原子的芳 氧基或杂芳氧基基团，所述基团可被一个或多个基团R3取代，其中两个或更多个基团R 1可 彼此连接并且可形成环； 妒在每次出现时相同或不同地是札0^，&'，(：1，1，(：（ = 0)1?3，^5丨〇?3)3小〇?3) 2，？（= 0) (R3) 2, S ( = 0) R3, S ( = 0) 2R3,具有1至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团，或具有3 至20个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基 基团，其中上述基团可各自被一个或多个基团R 3取代，并且其中上述基团中的一个或多个 012基团可被-R3C = CR3-、-C E c-、Si(R3)2、C = 0、C = NR3、-c( = 0)0-、-c( = 0)NR3-、 NR3、P( = 0) (R3)、-0-、-S-、S0或SO2代替，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R3取代，或具有5至30个芳族环原子的芳 氧基或杂芳氧基基团，所述基团可被一个或多个基团R3取代； 妒在每次出现时相同或不同地是札0^，81'，(：1，1，(：（ = 0)1?4，^51〇?4)3小〇?4) 2，？（= 0) (R4)2, S( = 0)R4, S( = 0)2R4,具有1至20个C原子的直链烷基或烷氧基基团，或具有3 至20个C原子的支链或环状的烷基或烷氧基基团，或具有2至20个C原子的烯基或炔基 基团，其中上述基团可各自被一个或多个基团R 4取代，并且其中上述基团中的一个或多个 012基团可被-R4C = CR4-、-C E c-、Si(R4)2、C = 0、C = NR4、-c( = 0)0-、-c( = 0)NR4-、 NR4、P( = 0) (R4)、-0-、-S-、S0或SO2代替，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环 系，所述环系在每种情况下可被一个或多个基团R 4取代，或具有5至30个芳族环原子的芳 氧基或杂芳氧基基团，所述基团可被一个或多个基团R4取代，其中两个或更多个基团R 3可 彼此连接并且可形成环； R4在每次出现时相同或不同地是H，D，F，或具有1至20个C原子的脂族、芳族或杂芳 族有机基团，其中一个或多个H原子还可被D或F代替；此处的两个或更多个取代基R4可 彼此连接并且可形成环； η等于0或1 ; m等于0或1 ; 其中如果在式（I)中，存在以下两种条件，则所述标记η等于0: a) 存在不多于两个等于N的基团Υ，以及 b) 这两个等于N的基团Y在所述六元环上位于彼此的间位处。
2. 根据权利要求1所述的化合物，其特征在于所述标记m等于0。
3. 根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于如果在所述六元环中确切三个基团 Y等于N，则所述标记η等于0或1，并且在所有其它情况下所述标记η等于0。
4. 根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Z等于CR \
5. 根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其特征在于V等于CR 2。
6. 根据权利要求1至5中的一项或多项所述的化合物，其特征在于所述环中确切三个 基团Y等于N，并且其余基团Y等于CR1。
7. 根据权利要求1至6中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Ar1代表下式 (Ar1-I)的基团 式（Ar1-I)，
其中虚线表示键合至所述茚并咔唑基团和含有所述基团Y的所述六元环的键， Ar3在每次出现时相同或不同地是具有6至18个芳族环原子的芳基或杂芳基基团，所 述基团可被一个或多个基团R1取代，其中R 1如权利要求1中所限定的；和 k是1、2、3或4,其中选择所述标记k以使得整个基团Ar1中的芳族环原子数不超过数 目40。
8. 根据权利要求1至7中的一项或多项所述的化合物，其特征在于作为所述式（I)的 组成部分的式（Y)基团
符合下式（Y-I)至（Y-6)之一，其中虚线表示键合至所述化合物的其余部分的键，
并且其中R1和R3如权利要求1中所限定的。
9. 一种低聚物、聚合物或树枝状大分子，其含有一种或多种根据权利要求1至8中的一 项或多项所述的化合物，其中一个或多个形成所述聚合物、低聚物或树枝状大分子的键可 位于式（I)中被R 1或R2取代的任何希望位置处。
10. -种制剂，其包含至少一种根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物或者 至少一种根据权利要求9所述的聚合物、低聚物或树枝状大分子和至少一种溶剂。
11. 一种电子器件，所述电子器件选自有机集成电路（OIC)、有机场效应晶体管 (OFET)、有机薄膜晶体管（OTFT)、有机发光晶体管（OLET)、有机太阳能电池（OSC)、有机光 学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（OFQD)、有机发光电化学电池（OLEC)、有机激光 二极管（Ο-laser)和有机电致发光器件（OLED)，其特征在于所述电子器件包含至少一种根 据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物。
12. 根据权利要求11所述的电子器件，所述电子器件选自有机电致发光器件，其特征 在于所述电子器件包含阳极、阴极和至少一个发光层，其中所述器件的至少一个选自发光 层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层的层包含至少一种根据权利要求1至8中的一项 或多项所述的化合物。
13. 根据权利要求12所述的电子器件，其特征在于根据权利要求1至8中的一项或多 项所述的化合物存在于发光层中与一种或多种磷光发光体化合物组合。
14. 一种制备根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物的方法，其特征在于使 茚并咔唑化合物与含有缺电子杂芳基基团的芳族或杂芳族环系反应，其中所述芳族或杂芳 族环系与所述茚并咔唑的氮原子偶联。
15. 根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物在电子器件中的用途。
【专利摘要】本申请涉及具有茚并咔唑基团、咔唑基团和键合至所述茚并咔唑基团的缺电子基团的式(I)化合物。所述化合物适用于电子器件中，特别是有机电致发光器件中。
【IPC分类】C07C209-88
【公开号】CN104837808
【申请号】CN201380064471
【发明人】埃米尔·侯赛因·帕勒姆, 托马斯·埃伯利, 安雅·雅提斯奇, 克里斯托夫·普夫卢姆, 乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴, 雷米·马努克·安米安
【申请人】默克专利有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2013年11月15日
【公告号】WO2014090368A1