通过机械 加工得到的物品，可例举垫圈、衬垫等工业用构件、半导体产业中用于耐受強酸、强碱的方 形槽、晶片载体等立体形状的制品；绝缘性膜等片状物。 实施例 下面例举实施例对本发明进行具体说明，但本发明并不局限于这些实施例。 实施例中的各种测定方法如下所述。 〔测定方法〕 (A) PTFE模塑粉的平均粒径（单位：ym):使用激光散射法粒径分布分析计（堀场制作 所株式会社（堀場製作所社）制LA-920)，以异丙醇作为展开溶剂进行了测定。 (B) PTFE模塑粉的体积密度（单位：g/mL):基于JIS K6891进行了测定。在内容积 100mL的不锈钢制的计量瓶中，使试样通过设置在上部的漏斗落下，用平板将从计量瓶鼓出 的试样擦落后，将计量瓶内残留的试样的重量除以计量瓶的内容积，将所得的值作为体积 密度。 (C) PTFE模塑粉的标准比重（以下也称为"SSG"）：按照ASTM D4894-98a测得。称量 12. 0g的试样，用内径28. 6mm的圆筒金属模具在34. 5MPa下保持2分钟。将其装入290°C 的烘箱中，以120°C /小时升温。于380°C保持30分钟后以60°C /小时降温，于294°C保持 24分钟。在23°C的干燥器中保持12小时后，测得23°C下的成形体在空气中的质量和在水 中的质量，算出与23°C的水的比重比，将其作为标准比重。 另外，SSG是作为PTFE模塑粉的分子量的指标的值，SSG越大意味着分子量越小。 (D) 薄膜的绝缘破坏电压（单位：kV/0. 1mm):将PTFE模塑粉填充在金属模具中，在 25°C、15. 7MPa下压缩成形后，于370°C加热4小时进行烧结，得到成形体（烧成圆柱块）。 接着，进行基于JIS K6891的绝缘破坏电压试验。即，通过旋转切割从成形体得到厚度为 0. 1_的切割膜，将其夹在电极间，在空气中使电压从零开始以lkV/秒的幅度均匀地上升， 测定破坏电压（kV/0. 1mm)。 (E) 造粒物的平均粒径（单位：ym):基于JIS K6891进行了测定。自上而下依次层叠 20、30、40、45及60目的标准筛，在20目的筛子上载放试样进行筛选，算出残留在各筛子上 的试样的质量。基于该质量用对数概率表算出50%粒径，将其作为平均粒径。 (F) 造粒物的体积密度（单位：g/mL):用与上述⑶同样的方法测定。 (G) 造粒物的粉末流动性（单位：mm):在调整为25±2°C的测定室中，使用图1所示的 装置进行测定。首先，将通过9目（筛孔径2000 ym)的筛子的试样100g投入第1料斗1。 将第1料斗1的下端门2迅速打开，从第1料斗1下端的开口部向第2料斗3填充试样，第 2料斗3在自第1料斗1下端的开口部隔着氏(60_)的距离的位置具有开口部4。 第2料斗3的高度4为92mm。第2料斗3具有相对于垂直方向倾斜30°的第1板3a、 和与该第1板3a为相反方向且相对于垂直方向倾斜30°的第2板3b，该第1板3a和第2 板3b形成60°的角度。此外，第2料斗3具有正面板（图不略）和与该前面板相对地平行 配置的背面板（图示略），第1板3a和第2板3b的图中纸外侧的端部由正面板遮挡，第1 板3a和第2板3b的图中纸内侧的端部由背面板遮挡。此外，第2板3b是可动式，通过将 与该第2板3b连接的连接棒7沿图中箭头方向移动而动作。具体而言，通过使连接棒7沿 图中箭头向上方移动，第2板3b也动作，使得第2料斗3的下端的缝隙部5开口。 将试样填充至第2料斗3后，使连接棒7以12_/分钟沿箭头朝上方移动，使第2料斗 3的缝隙部5开口，使试样落在接受器8中。接着，在50g试样落在接受器8中的时刻，读取 表示缝隙部5的开口幅度的刻度6所表示的值（开口部的扩张度）。将该值作为粉末流动 性的指标。 刻度6所表示的值越小，粉末流动性越优异。 另外，第1料斗1的下端的开口部，在图中左右方向上的长度为58mm，在图中进深方向 上的长度为 22mm (58mm X 22mm)。 此外，第2料斗3的上端的开口部4,在图中左右方向上的长度为104mm，在图中进深方 向上的长度为63mm(104mmX63mm)。 (H) 成形体的拉伸强度（单位：MPa)及拉伸伸长率（单位：％ ):基于JIS K6891进行 了测定。如下制造试样。将造粒物1700g在压力31.4MPa下进行压缩成形，于370°C烧成4 小时后，以降温速度70°C /小时进行冷却，得到厚度为2mm的薄片，用哑铃3号模具自该薄 片冲压出试样。 (I) 比表面积：通过BET法，用表面分析计（S-1000、柴田科学株式会社制）进行了测 定。作为载气，使用纯氮气体（纯度99. 9995 %以上），冷却通过使用液氮来进行。 (实施例1) 在具有挡板、和在转轴上具备上下2个涡轮叶片的搅拌机的100L的不锈钢制高压釜 中，投入234mg的上述化合物（1-3)、及63. 1L的去离子水。对高压釜进行脱气后，导入氮气 至0. 15MPa，一边以150rpm搅拌，一边将内温升至75°C。向气相部连续鼓入氮气20分钟左 右，加压至0. 44MPa。接着，导入TFE，升压至1. lOMPa，一边以500rpm搅拌，一边注入溶解于 约70°C的温水中的过硫酸铵130mg和碳酸铵2. 23g。以约4分钟使内压降至1. 08MPa。接 着，以使高压釜内压保持在1. 13MPa的条件一边添加TFE -边进行聚合。 在使TFE的添加量达到9. 35kg时结束反应，将高压釜中的TFE放出至大气中。聚合时 间为77分钟。化合物（1-3)在聚合中使用的水（水性介质）中为3. 6ppm。 将所得的颗粒状PTFE (颗粒状聚合物粒子）用筛子脱水，用去离子水进行清洗。 将所得的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量示于表1中。另外，附着物量是将总聚合 物量记作100质量％时的附着物的质量比例，附着物的质量通过从聚合槽内刮取附着物， 实测其质量来算出。 接着，用切碎机将颗粒状PTFE粉碎至数百微米左右的粒径，于150°C干燥后，用喷射式 磨机粉碎至平均粒径41 y m，得到PTFE模塑粉。 将得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压 示于表1。 (实施例2) 除了将化合物（1-3)的使用量改为325mg以外，与实施例1同样地进行反应。接着，与 实施例1同样地进行粉碎。 将化合物（1-3)的聚合中使用的水（水性介质）中的浓度、TFE的总添加量、聚合时 间、所得到的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量、所得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积 密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压示于表1。 (实施例3) 除了将化合物（1-3)的使用量改为117mg以外，与实施例1同样地进行反应。接着，与 实施例1同样地进行粉碎。 将化合物（1-3)的聚合中使用的水（水性介质）中的浓度、TFE的总添加量、聚合时 间、所得到的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量、所得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积 密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压示于表1。 (实施例4) 除了将化合物（1-3)的使用量改为59mg以外，与实施例1同样地进行反应。接着，与 实施例1同样地进行粉碎。 将化合物（1-3)的聚合中使用的水（水性介质）中的浓度、TFE的总添加量、聚合时 间、所得到的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量、所得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积 密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压示于表1。 (实施例5) 除了将化合物（1-3)的使用量改为1. 95g以外，与实施例1同样地进行反应。接着，与 实施例1同样地进行粉碎。 将化合物（1-3)的聚合中使用的水（水性介质）中的浓度、TFE的总添加量、聚合时 间、所得到的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量、所得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积 密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压示于表1。 (实施例6) 对实施例1中使用的高压釜进行脱气后，导入氮气至〇. 15MPa，一边以150rpm搅拌，一 边将内温升至65 °C。 向气相部连续鼓入氮气20分钟左右，加压至0. 44MPa。接着，导入TFE，升压至1. lOMPa， 一边以500rpm进行搅拌，一边注入溶解于约70°C的温水中的化合物（1-3)9. 79g、过硫酸铵 132mg、及碳酸铵9. 77g。以约7分钟使内圧内压降至1. 08MPa。接着，以使高压釜内压保持 在1. 13MPa的条件一边添加TFE -边进行聚合。 在使TFE的添加量达到16. 18kg时结束反应，将高压釜中的TFE放出至大气中。聚合 时间为169分钟。化合物（1-3)在聚合中使用的水（水性介质）中为150ppm。 将所得的颗粒状PTFE (颗粒状聚合物粒子）用筛子脱水，用去离子水进行清洗。 将所得的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量示于表1中。 接着，与实施例1同样地进行粉碎，得到PTFE模塑粉。 将得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压 示于表1。 (实施例7) 除了将化合物（1-3)的使用量改为14. 7g以外，与实施例6同样地进行反应。接着，与 实施例1同样地进行粉碎。 将化合物（1-3)的聚合中使用的水（水性介质）中的浓度、TFE的总添加量、聚合时 间、所得到的颗粒状PTFE在聚合槽内的附着物量、所得到的PTFE模塑粉的平均粒径、体积 密度、比表面积、SSG、及薄膜的绝缘破坏电压示于表1。 (实施例8) 除了将化合物（1-3)的使用量改为78. 3g以外，与实施例6同样地进行反应。