电子设备密封用树脂组合物及电子设备的制造方法

电子设备密封用树脂组合物及电子设备的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种可充分抑制水蒸气透过的电子设备密封用树脂组合物、及应用该电子设备密封用树脂组合物的电子设备。本发明提供一种电子设备密封用树脂组合物，其含有(A)由下述化学式(1)表示的末端具有(甲基)丙烯酰基的聚丁二烯聚合物与(B)光聚合引发剂，且不含质均分子量为5万以上的热塑性树脂，【化1】(式中，R1及R2分别表示羟基或H2C＝C(R7)?COO?，R3及R4分别独立地表示碳数1～16的经取代、未取代的二价有机基团，R5、R6、R7分别表示氢原子或碳数1～10的烷基，其内部含有至少1个由下述化学式(2)表示的有机基团，1及m各表示0或1的整数，n表示15～150的整数，x∶y＝0～100∶100～0，其中，不存在R1及R2均为羟基的情况)，【化2】。
【专利说明】
电子设备密封用树脂组合物及电子设备
技术领域
[0001] 本发明设及使用于电子设备的密封用树脂组合物及使用该密封用树脂组合物密 封的电子设备。
【背景技术】
[0002] 关于有机电子设备及它们的电路已知有各种封装结构。运些结构一般是由基材与 盖、如发光二极体的配置在基材与盖之间的活性有机部件、密封活性有机部件并且贴合基 材与盖的密封材料所构成。基材与盖的一或二者由透明材料，例如透明玻璃或塑料制作，可 使光透过。基材与盖也可具有柔软性，除玻璃或塑料W外，也有任一种由钢构成。所述活性 有机部件形成于基材上，某一样态是由无机阻隔膜、或由层叠无机及有机层而成的多层阻 隔膜构成的被覆膜被覆。被覆膜保护活性有机部件的表面及周边。密封材料涂布或贴合于 活性有机部件上，但存在被覆膜时则涂布或贴合于其上。运些密封材料借助包覆活性有机 部件而填满基材与盖之间的空间，使基材粘接于盖。
[0003] 然而，活性有机部件容易因低分子成分、氧气或水蒸气而劣化。例如，有机电致发 光设备包含阴极、发光层、及阳极，利用低的功函数的金属层作为阳极，保证有效的电子注 入及低的工作电压。低的功函数的金属与氧气及水蒸气具有化学反应性，此种反应会使装 置的寿命变短。且，氧气及水蒸气与发光有机材料反应而抑制发光。为了防止此种反应的发 生，大多如上述于活性有机部件的表面设置被覆膜，但无机阻隔膜难W抑制针孔，无法使活 性有机部件完全阻断来自外部的氧气或水蒸气。因此，包围活性有机部件的密封材料不管 有无被覆膜，均W抑制来自外部的氧气及水蒸气，尤其是水蒸气透过的方式设计。
[0004] 运种密封材料可使用固化性的膜状密封材料(例如，参照专利文献1)。一般，膜状 密封材料设于2个载体膜之间，去除运些载体膜的一者，借助加压或加热加压所露出的膜状 密封材料，而与盖或基材的任一者粘接。随后，去除另一载体膜，使盖及基材彼此粘接。膜状 密封材料可视需要借助紫外线福射或热使其固化。
[0005] 且，也可使用液状密封材料作为运种密封材料(例如，参照专利文献2)。一般，液状 密封材料涂布于盖或基材任一者整面后，与膜状密封材料同样，对盖或基材的另一者加压 或加热加压，由此可使盖与基材相互粘接。液状密封材料一般需要固化，通过紫外线福射或 热而固化。
[0006] 膜状密封材料一般在室溫下具有比液状密封材料高的粘度。在室溫下使用膜状密 封材料时，对基材或盖的润湿性差，且根据情况密封材料几乎不流动而将空气夹带至密封 材料与基材之间。为了使密封材料流动、达成良好湿润而使夹带的空气达最小量，而考虑在 高溫下贴合膜状密封材料。加热溫度有时会超过100°c，且需要特别的装置。再者，膜状密封 材料需要使用、去除、及丢弃载体。
[0007] 液状密封材料公开了使用具有环氧基或氧杂环下基的化合物树脂的密封材料(例 如，参照专利文献2)、或使用具有离子聚合性的氯基丙締酸醋系单体的密封材料(例如，参 照专利文献3)、使用双酪型环氧丙締酸醋与环氧树脂的密封材料(例如，参照专利文献4)。 然而，运些的水蒸气透过的抑制效果或固化后的耐晓曲性不足。因此，作为水蒸气透过的抑 制效果高、固化后的耐晓曲性优异的密封材料，公开由W末端具有醋键及（甲基)丙締酸醋 基的基团修饰的氨化聚下二締所成的密封材料(例如，参照专利文献5)。
[000引现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1:日本特开2013-214366号公报
[0011] 专利文献2:日本特开2004-231938号公报
[0012] 专利文献3:日本特开2008-021480号公报
[0013] 专利文献4:日本特开2006-183002号公报
[0014] 专利文献5:日本专利第4801925号公报

【发明内容】

[0015] 发明所要解决的课题
[0016] 上述专利文献5所记载的密封材料为聚下二締，主链上不含酸、醋。因此，该聚下二 締可借助紫外线福射或热的应用而交联、固化。因此，水蒸气透过的抑制效果较高。且由于 末端导入（甲基)丙締酸醋基故交联点间存在适度距离，交联点密度不会过高，故固化后的 耐晓曲性优异。且，由于透过具有醋键的基团具有（甲基)丙締酸醋基，故疏水度高且也提高 水蒸气透过的抑制效果。然而使用于活性有机部件的水蒸气透过的抑制尚不足。
[0017] 因此，本发明的目的在于提供一种可充分抑制水蒸气透过的电子设备密封用树脂 组合物、及使用该电子设备密封用树脂组合物的电子设备。
[0018] 用于解决课题的手段
[0019] 为解决上述课题，本发明的电子设备密封用树脂组合物的特征为含有(A)由下述 化学式（1)表示的末端具有（甲基)丙締酷基的聚下二締聚合物、（B)光聚合引发剂，且不含 质均分子量为5万W上的热塑性树脂的电子设备密封用树脂组合物。
[0020] 【化1】
[0021]
(1)
[0022](式中，R咳R2分别独立地表示径基或出C = C(R7)-C00-，R3及R4分别独立地表示碳 数1~16的经取代、未取代的二价有机基团，R5、R6、R7分别独立地表示氨原子或碳数1~10的 烷基，其内部含有至少1个由下述化学式(2)表示的有机基团，1及m分别独立地为表示0或1 的整数，n为表示15~150的整数，x:y = 0~100:100~0,其中，不存在Ri及R2均为径基的情 况)。
[002；3]【化2】
[0024] 松） 〇
[0025] 上述电子设备密封用树脂组合物较好进一步含有(C)反应性稀释剂，且所述(A)成 分与所述(c)成分的质量比(A): (C)为5:95~50:50。
[0026] 此外，上述电子设备密封用树脂组合物较好进而含有(D)数均分子量不足5万的控 化合物，且所述(A)成分及所述(C)成分的总计，与所述(D)成分的质量比[(A) + (C)]:(D)为 20:80~70:30。
[0027] 另外，上述电子设备密封用树脂组合物较好为所述(D)成分的控化合物至少含有 (dl)控系软化剂、及(d2)控系增粘剂，且所述(dl)成分与所述(d2)成分的质量比(dl):(d2) 为20:80~80:20。
[0028] 另外，所述(C)成分的反应性稀释剂较好为二官能的（甲基)丙締酸醋单体。
[0029] 且，上述电子设备密封用树脂组合物较好为所述(dl)成分的控系软化剂为聚下締 或/及聚异下締。
[0030] 另外，上述电子设备密封用树脂组合物较好为所述(d2)成分的控系增粘剂为氨化 石油树脂。
[0031] 另外，上述电子设备密封用树脂组合物较好为所述聚下二締聚合物的下二締骨架 所具有的不饱和键的50 % W上被氨化。
[0032] 且，为解决上述课题，本发明的电子设备的特征在于借助使用上述中任一项所记 载的电子设备密封用树脂组合物的密封材料予W密封。
[0033] 上述电子设备较好具有晓性。
[0034] 且，上述电子设备较好为有机设备，具有活性有机部件，且所述密封材料被配置于 所述活性有机部件上、上方或周围。
[0035] 上述有机设备为有机电致发光设备，所述活性有机部件也可包含阴极、发光层、及 阳极。
[0036] 此外，上述电子设备也可为触控屏幕，具有包含玻璃或聚合物的基材、与配置于所 述基材上的实质上透明的导电性金属，且所述密封材料被配置于所述金属上、上方或周围。
[0037] 另外，上述电子设备也可为光生伏特设备，具有光生伏特电池或光生伏特电池阵 列，所述密封材料被配置于所述光生伏特电池或所述光生伏特电池阵列中的任意一个光生 伏特电池上、上方或周围。
[0038] 此外，上述电子设备可为薄膜晶体管，具有半导体层，且所述密封材料被配置于所 述半导体层上、上方或周围。
[0039] 发明效果
[0040] 本发明的电子设备密封用树脂组合物可充分抑制水蒸气透过。且，本发明的电子 设备由于使用上述电子设备密封用树脂组合物密封，故可充分地降低因水蒸气透过所致的 劣化。
【附图说明】
[0041 ]图1为例示的光生伏特电池的概略剖面图。
[0042] 图2为例示的光生伏特电池的概略剖面图。
[0043] 图3为例示的光生伏特电池的概略剖面图。
[0044] 图4为例示的薄膜晶体管的概略剖面图。
[0045] 图5为例示的薄膜晶体管的概略剖面图。
【具体实施方式】
[0046] W下，针对本发明的实施形态加 W详细说明。另外，本说明书中，所谓"(甲基)丙締 酸"意指"丙締酸"及/或"甲基丙締酸"。
[0047] 本发明的实施形态的电子设备密封用树脂组合物含有(A)由下述化学式（1)表示 的末端具有（甲基)丙締酷基的聚下二締聚合物、（B)光聚合引发剂，且不含质均分子量为5 万W上的热塑性树脂。
[004引【化1】
[0049]
(1)
[0050] (式中，R咳R2分别独立地表示径基或出C = C(R7)-C00-，R3及R4分别独立地表示碳 数1~16的经取代、未取代的二价有机基团，R5、R6、R7分别独立地表示氨原子或碳数1~10的 烷基，其内部含有至少1个由下述化学式(2)表示的有机基团，1及m分别独立地表示0或1的 整数，n表示15~150的整数，x:y = 0~100:100~0,其中，不存在Ri及R2均为径基的情况）。
[0051] 【化2】
[00对
（巧
[0053] (A)聚下二締聚合物可借助于分子末端导入径基的聚下二締聚合物与2-(甲基)丙 締酷氧基乙基异氯酸醋等的氨基甲酸醋化反应而获得。或者也可使于分子末端导入径基的 聚下二締聚合物与六亚甲基二异氯酸醋等二异氯酸醋反应后，与（甲基)丙締酸反应而得。
[0054] 聚下二締聚合物的质均分子量较好为500W上不足50,000,更好为1，000W上不足 !〇,〇〇〇,又更好为l，〇〇〇W上5,000W下。若分子量为50,000W上，则水蒸气透过的抑制效果 高，但电子设备密封用树脂组合物的粘度变高，会有涂布性下降而使空气夹带入电子设备 密封用树脂组合物与基材之间的情况。分子量不足500时，交联密度变得太高，会有固化后 的电子设备密封用树脂组合物的耐晓曲性不足的情况。另外，本发明的质均分子量为基于 利用凝胶渗透层析仪(GPC)测定且使用聚苯乙締标准物质制作的标准曲线计算者。
[0055] 聚下二締树脂的微细结构由1，2结构对1，4结构及1，4结构部分的顺式对反式结构 的比率表示。1，2结构量经常称为乙締基含量。聚下二締的乙締基含量可在约5 %~约90 % 变动。顺式对反式结构的比例可在约1:10~约10:1变动。
[0056] 聚下二締聚合物也可经氨化，顺式与反式两种的1，4结构变成乙締结构，1，2结构 变成1-下締结构。通过氨化减少双键，提高热稳定性、耐候性、耐药品性、阻挡水蒸气性等的 情况时，如下述化学式(3)~(5)所示，下二締骨架所具有的不饱和键的50% W上，较好80% W上，更好90% W上经氨化。另外，（A)成分的聚下二締聚合物由化学式(3)~（5)表示的末 端具有（甲基)丙締酷基的聚下二締聚合物，是包含下二締骨架所具有的不饱和键的50% W 上被氨化者的概念。
[0057] 【化3】
[0化引 巧）
[0化9]
[0060] (4〉
[0061]
[0062] (5)
[00创（式(3)~（5)中，R咳R2分别独立地表示径基或此C = C(R7)-C00-，R3及R4分别独立 地表示碳数1~16的经取代、未取代的二价有机基团，R5、R6、R7分别独立地表示氨原子或碳 数1~10的烷基，其内部含有至少1个W化学式(2)表示的有机基团，1及m分别独立地为表示 0或1的整数，n为表示15~150的整数，x:y = 0~100:100~0,其中，不存在Ri及R2均为径基的 情况）。
[0064]
[0065] (2)
[0066] 另一方面，1，4结构较多的高顺式聚下二締的情况，氨化后的结构接近结晶性的聚 乙締结构，玻璃化转变溫度也随着氨化率的增加而上升。此外，1，2结构较多时，1，2结构的 链上有间同立构（syndiotactic)或等规（isotactic)的立体规则性时，有展现结晶性的可 能性，因运些物性变化，会有伴随着粘度上升而涂布性下降，或固化后的晓曲性不足的情 况，故抑制运些时，较好为不足90 %的氨化率，更好不足80 %。每一分子的径基平均数在约1 ~3变动，但较好约1.5~3，更好约1.5~2.5。
[0067] (B)光聚合引发剂列举为例如二苯甲酬系光聚合引发剂、苯乙酬系光聚合引发剂、 嚷吨酬(thioxanthone)系光聚合引发剂、苯偶姻系光聚合引发剂等。
[006引二苯甲酬系光聚合引发剂列举为例如KAYACURE-BP100(二苯甲酬，日本化药股份 有限公司制）、SANY0 0BA(苯甲酯基苯甲酸，日本制纸股份有限公司制KSANY0 0BM(苯甲酯 基苯甲酸甲醋，日本制纸股份有限公司制）、TRIGAN化12(4-苯基二苯甲酬，Akzo)、 KAYACURE-MBP( 3，3 ' -二甲基-4-甲氧基二苯甲酬，日本化药股份有限公司制）、1(4￥40]尺6- BMS([ 4-(甲基苯硫基)苯基]苯基甲酬，日本化药股份有限公司制）、ESACURE-TZT (2，4，6-S 甲基二苯甲酬，Lamberti)、IRGACURE 651 (2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烧-1-酬，BASF公司 审[|)等。
[0069] 苯乙酬系光聚合引发剂列举为例如DAROCUR 1173(2-?基-2-甲基-1-苯基丙烷- 1-酬，BASF公司制）、DAR0CUR 1116(1-(4-异丙基苯基)-2-径基-2-甲基丙烷-1-酬，845尸公 司制）、IRGACURE 184( 1-径基环己基苯基酬，BASF公司制）、DAR0CUR 953(1-(4-十二烷基苯 基)-2-径基-2-甲基丙烷-1 -酬，BASF公司制）、DAR0CUR2959 (4-(2-径基乙氧基)-苯基（2-径 基-2-丙基)酬，BASF公司制造)等。
[0070] 嚷吨酬系光聚合引发剂列举为例如NISS0CURE-TX(嚷吨酬，日本曹达股份有限公 司制）、NISS0CURE-MTX (2-甲基嚷吨酬，日本曹达股份有限公司制）、KAYACURE-RTX(2，4-二 甲基嚷吨酬，日本化药股份有限公司制）、KAYACURE-CTX(2,4-二氯嚷吨酬，日本化药股份有 限公司制）、KAYACURE-DETX (2，4-二乙基嚷吨酬，日本化药股份有限公司制）、1(4￥4〇]尺6- D 口 X(2,4-二异丙基嚷吨酬，日本化药股份有限公司制)等。
[0071] 苯偶姻系光聚合引发剂列举为例如NISS0CURE-B0(嚷吨酬，日本曹达股份有限公 司制）、NISS0CURE-MB0(苯偶姻甲基酸，日本曹达股份有限公司制）、NISS0CURE-EB0(苯偶姻 乙基酸，日本曹达股份有限公司制）、IRGACURE 65 (苯偶酷甲基缩醒，BASF公司制)等。
[0072] 其他光聚合引发剂列举为1-苯基-1,2-丙二酬-2(邻-乙氧基幾基)目亏等。商品名列 举为例如卵ANTACURE-PDO(Ward Blenkinsop公司制）等。
[0073] 光聚合引发剂的量为有效量，典型上为（甲基)丙締酸醋每100质量份为0.01~20 质量份的范围。通过设为该组成，可适度控制经由活性成分生成反应的聚合反应。光聚合引 发剂的选择至少部分依赖于密封用树脂组合物所用的（甲基）丙締酸醋、及期望的固化速 度，也可W任意的调配比例使用1种或巧巾W上。
[0074] 本发明的电子设备密封用树脂组合物不含质均分子量为5万W上的热塑性树脂。 若含有质均分子量为5万W上的热塑性树脂，则粘度变高，使涂布性下降。
[0075] 本发明的电子设备密封用树脂组合物较好含有(C)反应性稀释剂。（C)反应性稀释 剂为使电子设备密封用树脂组合物的粘度降低，而容易涂布者。且，其是电子设备密封用树 脂组合物固化时可聚合者，因此与单纯的稀释成分比较，水分的透过性低，可阻止经密封的 电子构成要素、活性有机部件曝露于水分，或者抑制至最低限度。再者含有最适量时，可提 高阻挡水蒸气性。另外，可在几乎不增加用于聚合的电子设备密封树脂组合物中所含低分 子量成分而密封电子设备，可阻止装置中的电极等金属构成要素的腐蚀或抑制至最低限 度。
[0076] (C)反应性稀释剂可使用由乙酸乙締醋等乙締醋、（甲基)丙締酸单体、N-乙締基单 体及聚硫醇化合物等选出的液体光聚合性单乙締单体等，而发挥降低粘度的效果，基于易 于同时控制(A)聚下二締聚合物与固化系的观点，W (甲基)丙締酸单体较佳。
[0077] (甲基）丙締酸单体列举为例如（甲基）丙締酸正下醋、（甲基）丙締酸2-乙基己醋、 (甲基)丙締酸月桂醋、（甲基)丙締酸异肉豆違醋、（甲基)丙締酸异硬脂醋、（甲基)丙締酸正 十八烧醋、（甲基）丙締酸2-径基乙醋、（甲基）丙締酸2-径基丙醋、（甲基）丙締酸3-径基丙 醋、（甲基）丙締酸4-径基下醋、（甲基）丙締酸异冰片醋、（甲基）丙締酸二环戊締醋、（甲基） 丙締酸二环戊締氧基乙醋、吗嘟?（甲基)丙締酸醋、1,4-下二醇?二（甲基)丙締酸醋、二环 戊二締二径甲基?（甲基)丙締酸醋、环己烧二径甲基?二（甲基)丙締酸醋、己二醇?二（甲 基）丙締酸醋、壬二醇?二（甲基）丙締酸醋、苯氧基乙基?丙締酸醋、S环癸烧二甲醇?二 (甲基)丙締酸醋、=径甲基丙烷?=(甲基)丙締酸醋、=(2-径基乙基)异氯脈酸醋?=(甲 基)丙締酸醋、（甲基)丙締酸与多元醇的醋等。运些中，较好为粘度降低效果大、阻挡水蒸气 性高、多官能的（甲基)丙締酸醋单体，更好为二官能的（甲基)丙締酸醋单体。再者较好为借 助与(A)聚下二締聚合物组合，而提高阻挡水蒸气性的效果高的己二醇?二（甲基)丙締酸 醋、S环癸烧二甲醇?二（甲基)丙締酸醋、1,4-下二醇?二（甲基)丙締酸醋。
[007引 N-乙締基单体列举为例如N，N-二甲基丙締酷胺、N-乙締基化咯晚酬、N-乙締基己 内酷胺等。聚硫醇化合物只要是分子内具有2~6个琉基者即无特别限制，列举为例如碳数2 ~20左右的烧二硫醇等脂肪族聚硫醇类;二甲苯二硫醇等芳香族聚硫醇类；W琉基取代醇 类的表面代醇化alohydrin)加成物的面原子而成的聚硫醇类;包含聚环氧树脂化合物的硫 化氨反应产物的聚硫醇类;包含分子内具有2~6个径基的多元醇类、与硫代乙醇酸、0-琉丙 酸或e-琉下酸的醋化合物的聚硫醇类等。
[0079] 本发明的电子设备密封用树脂组合物中的（A)成分与（C)成分的含有比率(A): (C)，基于粘度、阻挡水蒸气性的观点，重要的是W质量比计为5:95~50:50,较好为5:95~ 40:60，更好为10:90~30:70，又更好为20:80~30:70。借助使(A)成分与(C)成分为最适的 含有比率，可降低粘度，且大幅提高阻挡水蒸气性。含有比率非最适合时，粘度降低效果小 而可能限制涂布条件，会有即使粘度下降也无法有效发挥阻挡水蒸气性的情况。
[0080] 本发明的电子设备密封用树脂组合物较好含有(D)数均分子量不足5万的控化合 物。（D)成分的控化合物在本发明中，发挥降低电子设备密封用树脂组合物的水分透过性， 抑制经密封的电子构成要素、活性有机部件曝露于水分的效果者。
[0081] 控化合物可具有各种数均分子量，较好为300W上不足50,000,更好为500W上不 足30，000，又更好为500 W上10，000 W下。通过使分子量不足50，000，不会大幅提高电子设 备密封用树脂组合物的粘度而可提高阻挡水蒸气性。若数均分子量不足300,则由于电子设 备密封用树脂组合物直接或透过膜的被覆膜密封活性有机部件，故对密封对象的活性有机 部件，尤其是由低功函数的金属层所成的电极层造成影响，有使装置寿命变短的情况。另 夕h即使数均分子量不足50，000，若质均分子量为50，000 W上，则电子设备密封用树脂组合 物的粘度大幅提升，显著损及涂布性故较不佳。
[0082] 本发明的电子设备密封用树脂组合物中的(A)成分及(C)成分的总计，与(D)成分 的含有比率[(A) + (C)]:(D)，基于阻挡水蒸气性、粘度、固化后的耐晓曲性的观点，W质量比 计可 ^20:80 ~70:30调配，[(4) + (0]:(0)较好为30:70~50:50。
[0083] 控化合物可为饱和控化合物，也可为不饱和控化合物。碳-碳双键等不饱和键也可 通过氨化、马来酸化、环氧化、氨基化、或类似方法修饰。氨化具有提高阻挡水蒸气性、透明 性、与其他饱和控化合物的相溶性而较佳。马来酸化、环氧化、氨基化具有提高使盖与基材 彼此粘接的粘接性、与含其他官能团的化合物的相溶性而较佳。
[0084] 可使用的控化合物的例列举为环烧油、链烧油、低分子聚异下締树脂、聚下締、聚 异戊二締等液状橡胶、低分子聚乙締、低分子聚丙締、环締控聚合物、石油树脂、松脂树脂、 祗締系树脂、或它们的衍生物等，但并不限于运些。
[0085] 使用控化合物时，可使用1种控化合物或多种控化合物的组合，但本发明人等积极 检讨的结果，发现借助至少含有除了阻挡水蒸气性W外也具有塑化效果的（dl)控系软化 剂、与除阻挡水蒸气性W外也具有粘接性提高效果的（d2)控系增粘剂，可W较低粘度获得 阻挡水蒸气性。
[0086] 借助并用(dl)控系软化剂及(d2)控系增粘剂，而获得粘度低、且高阻挡水蒸气性 的机制并不清楚，但推测如下。也即，由于(D)成分的控化合物为低分子化合物，故不会大幅 提高固化前的电子设备密封树脂组合物的粘度。另一方面，固化后，认为(D)成分的控化合 物进入到(A)成分及(B)成分或(A)~(C)成分聚合形成的网目结构的内部而埋填间隙，而提 高阻挡水蒸气性。此处，不利用具有塑化效果的(dl)控系软化剂而仅W(d2)控系增粘剂时， 无法W埋填间隙的方式进入至网目结构中，或者即使进入也过硬而会产生间隙，故认为无 法提高阻挡水蒸气性。相反地，不利用(d2)控系增粘剂而仅W(dl)控系软化剂时，由于即使 埋填网目结构的间隙，控系化合物本身的阻挡水蒸气性仍不足，故认为几乎无法提高阻挡 水蒸气性。
[0087] (dl)控系软化剂的具体例列举为CALS0L 5120(环烧系油、Calumet Lubricants Co.公司制）、KAYD0L(链烧系，白色矿油，Witco Co.公司制）、TETRAX(Nippon Oil Co.公司 制）、PARAP0L 130(KExxonMobil Chemical Co.公司制）及INDOPOL H-300(BP0 Amoco Co. 公司制KGlissopal(低分子聚异下締，BASF公司制）、日石聚下締（W异下締为主体且一部 分经阳离子聚合而得的具有长链状控的分子结构的聚下締，JX日矿日石能源股份有限公司 制）、ESSEN聚下締（异下締与正下締的通过阳离子聚合的聚下締，日油股份有限公司制）、 PA化EAM(氨化聚下締，日油股份有限公司制）、KURAPRE肥LIR(液状异戊二締橡胶，KURARAY 股份有限公司制）、KURAPRE肥LBR(液状下二締橡胶，KURARAY股份有限公司制），但并不限 于运些。
[0088] (d2)控系增粘剂的例列举为化EAR0N(氨化祗締系树脂，YASUHARA C皿MICAL股份 有限公司制）、ESTERGUM及SUPER ESTER(氨化松脂系树脂或氨化松脂醋系树脂，荒川化学工 业股份有限公司制KPINECRYSTAL(岐化松脂系树脂或岐化醋松脂系树脂，荒川化学工业股 份有限公司制KESC0REZ 5300及5400系列(石油脑因热分解生成的戊締、异戊二締、胡椒碱 (piperine)及1,3-戊二締等的巧馈份共聚而得的巧系氨化二环戊二締系树脂、ExxonMobil Qiemical Co.公司制）、EAST0TAC(C5系氨化二环戊二締系树脂，Eastman Chemical Co.公 司制）、ESC0REZ 5600系列（部分氨化芳香族修饰二环戊二締系树脂，ExxonMobil化emical Co.公司制）、ARC0N(石油脑因热分解生成的巧、乙締基甲苯及a-或(6-甲基苯乙締等的C9馈 份共聚而得的C9系氨化石油树脂，荒川化学工业股份有限公司制）、I-MARV(巧馈份及C9馈 份的共聚氨化石油树脂，出光兴产股份有限公司制），但不限于运些。
[0089] 上述W外的例，作为非氨化脂环式控树脂列举为巧、C9X5/C9控树脂、聚祗締树 月旨、芳香族修饰聚祗締树脂、或松脂衍生物。使用非氨化脂环式控树脂时，典型上与其他氨 化或部分氨化增粘剂并用。非氨化脂环式控树脂相对于电子设备密封用树脂组合物的总重 量可W不足约30质量％的量使用。
[0090] 控系增粘剂也可含氨化石油树脂，具体而言为氨化脂环式石油树脂。氨化脂环式 石油树脂的具体例列举为ESC0REZ 5300系列化xxonMobil化emical公司制KI-MARV P系 列（出光兴产股份有限公司制）。为了提高其阻挡水蒸气性及透明性，氨化脂环式石油树脂 也可为氨化二环戊二締系树脂。电子设备密封用树脂组合物中可使用的氨化脂环式石油树 脂的质均分子量典型为200~5，000,氨化脂环式石油树脂的质均分子量较好为500~3， 000。质均分子量超过5,000时，会有缺乏粘接性，或者与(dl)控系软化剂的适合性下降的情 况。
[0091] 控系增粘剂有时具有可至少部分依赖于电子设备密封用树脂组合物的粘接性、使 用溫度、涂布条件而变化的软化溫度或软化点（环球法软化溫度）。环球法软化溫度一般为 约50°C~200°C，较好约80°C~150°C。市售的一般控系增粘剂的环球法软化溫度的范围由 于为所述范围故只要使用运些即可。例如ESC0REZ 5300系列的ESC0REZ 5380的软化点为86 °C，ESC0REZ 5300为 105°C，ESC0REZ 5320为 124°C，ESC0REZ 5340为 140°C，故可适当选择。
[0092] 使用（dl)控系软化剂及（d2)控系增粘剂时，可使用作为(dl)控系软化剂的聚下 締，与作为(d2)控系增粘剂的氨化二环戊二締系树脂的组合。且，可使用作为(dl)控系软化 剂的聚下締，与作为(d2)控系增粘剂的非氨化脂环式控系树脂的组合，但并不限于运些。
[0093] 本发明的电子设备密封用树脂组合物中，借助含较多的(dl)控系软化剂而提高阻 挡水蒸气性、固化后的耐晓曲性，且含较多的（d2)控系增粘剂时阻挡水蒸气性大幅提升故 优选。（d2)控系增粘剂由于几乎为源自石油、精油、松脂的疏水性化合物故阻挡水蒸气性 高。（(11)与((12)的含有比率((11):((12)^质量比计为20:80~80:20时展现相乘效果。
[0094] 电子设备密封用树脂组合物中也可添加填充剂、偶联剂、紫外线吸收剂、紫外线稳 定剂、抗氧化剂、稳定剂、或运些几种的组合。添加剂的量典型上选择为不对(A)聚下二締系 聚合物的固化速度造成不良影响，或不对电子设备密封用树脂组合物的物理特性造成不良 影响。
[0095] 可使用的填充剂的例包含巧或儀的碳酸盐（例如，碳酸巧、碳酸儀、及白云石 (do 1 omi te))、娃酸盐(例如，高岭±、烧成粘±、叶蜡石、膨润±、絹云母、沸石、滑石、娃儀± (曰^日9111肖1*6)、及娃灰石）、娃酸（例如，娃藻±、及二氧化娃）、氨氧化侣、珍珠岩 (pearlite)、硫酸领(例如，沉降硫酸领）、硫酸巧(例如，石膏）、亚硫酸巧、炭黑、氧化锋、二 氧化铁，但不限于运些。
[0096] 填充剂也可具有不同粒径。例如，期望提供在可见光区域中具有高透过率的电子 设备密封用树脂组合物时，填充剂的平均一次粒径较好为1~lOOnm的范围，更好为5~50nm 的范围内。且，为了改善低水分子透过性而使用板状或鱗状形态的填充剂时，运些的平均粒 径较好为0.1~扣m的范围内，基于填充剂对密封用树脂组合物的可分散性的观点，可使用 疏水性表面处理亲水性填充剂。疏水性表面处理亲水性填充剂可为使任意过去的亲水性填 充剂通过疏水处理改性而得。例如，可W正辛基=烷氧基硅烷等含疏水基的烷基、烷基或烧 基硅烷结合剂、二甲基二氯硅烷及六甲基二娃氮烧等硅烷化剂、具有径基末端的聚二甲基 硅氧烷、硬脂醇等高级醇、或硬脂酸等高级脂肪酸处理亲水性填充剂的表面。另外，本发明 中的平均粒径系利用激光折射散射式粒度分布测定法求出者。
[0097] 二氧化娃填充剂的例，W二甲基二氯硅烷处理的制品列举为例如WAER0SI^ R972、R974或R9768(Nippon Aerosi 1 Co .，Ltd.公司制）销售，W六甲基二娃氮烧处理的制 品列举为例如WAER0S比-RX50、NAX 50、NX90、RX200或RX300(Nippon Aerosil Co.，Ltd.公 司制）销售，W辛基硅烷处理的制品列举为例如WAER0Sn^-R805(Nippon Aerosil Co.， Ltd.公司制）销售，W二甲基娃氧油处理的制品列举为例如WAEROS化-RY50、NY50、RY200S、 R202、RY200或RY300(Nippon Aerosil Co.，Ltd.公司制），及CAB ASIL TS-720(Cabot Co.， Ltd.公司制)销售者，但并不限于运些。
[0098] 填充剂可单独使用或组合使用。含有填充剂时，所添加的填充剂量相对于电子设 备密封用树脂组合物总量，一般为0.01~20质量％。
[0099] 且，添加非作为粒子表面改性剂使用的偶联剂也可改善电子设备密封用组合物的 粘接性。运些偶联剂典型上具有与有机成分反应或相互作用的部分及与无机成分反应或相 互作用的部分。有用的偶联剂列举为例如甲基丙締氧基丙基甲基二甲氧基硅烷(Shinestsu 化 emical Co.，Ltd.公司制，KBM502)、3-琉丙基甲基二甲氧基硅烷（Shinestsu Qiemical Co.，Ltd.公司制，邸M802)、及缩水甘油基丙基S甲氧基硅烷（Shinestsu化emical Co.， Ltd.公司制，KBM403)。
[0100] 紫外线吸收剂的例列举为苯并S挫系化合物、嗯挫酸酷胺（oxazolic acid amide)系化合物、及二苯甲酬系化合物，但并不限于运些。使用紫外线吸收剂时，紫外线吸 收剂相对于密封用树脂组合物总量可W约0.01质量％~3质量％的量使用。
[0101] 可使用的抗氧化剂的例列举为受阻酪系化合物及憐酸醋系化合物，但并不限于运 些。使用抗氧化剂时，抗氧化剂相对于密封用树脂组合物总量可W约0.01~2质量％的量使 用。
[0102] 可使用的稳定剂的例列举为酪系稳定剂、受阻胺系稳定剂、咪挫系稳定剂、二硫代 氨基甲酸醋系稳定剂、憐系稳定剂、硫醋系稳定剂、及吩嚷嗦，但并不限于运些。使用稳定剂 时，稳定剂相对于密封用树脂组合物总量可W约0.001~3质量％的量使用。
[0103] 电子设备密封用树脂组合物可通过已知的各种方法调制。例如，电子设备密封用 树脂组合物可借助完全混合上述化合物而调制。可使用用于混合组合物的捏合机或=漉漉 磨机等任意的混合器。所得组合物可使用作为电子设备密封用树脂组合物，也可与其他成 分组合形成电子设备密封用树脂组合物。
[0104] 本发明的电子设备密封用树脂组合物可使用丝网印刷法或类似方法涂覆于基材、 盖或电子设备的任意构成要素等上，而密封电子设备。电子设备密封用树脂组合物对基材 等的涂覆也可使用已知方法，例如模涂、旋转涂布、刮板涂布、压延等进行。且，密封时在常 溫（25°C)~100°C，较好常溫(25°C)~80°C下，未施加压力下贴合，或Wl.OMPaW下的压力 加压30秒~5分钟进行贴合。随后，本发明的电子设备密封用树脂组合物W紫外线等照射而 固化，成为作为密封材料而密封电子设备。密封材料的厚度可适当设计，例如可为约5~200 皿、约10~100皿、或约25~100皿等各种厚度。
[0105] 本发明的电子设备密封用树脂组合物仅含少许水或完全不含，故电子设备密封用 树脂组合物本身的水分对电子设备的不良影响抑制在最低限度。且，由于水分的透过性低， 故可阻止经封入的电子的构成要素、活性有机部件曝露于水分，或抑制在最低限度。此外， 电子设备密封用树脂组合物可设计成仅含少许酸性成分或完全不含，故可阻止电子设备中 的电极等金属构成要素的腐蚀或抑制在最低限度。
[0106] 且，本发明的电子设备密封用树脂组合物呈现良好的粘接特性。且，电子设备密封 用树脂组合物由于具有充分的涂布性，故于经密封的电子设备内几乎不捕捉作为空隙的空 气或完全不捕捉。再者，本发明的电子设备密封用树脂组合物可降低在电子设备用途中使 用的粘接剂中成为问题的大量气体释出。且，本发明的电子设备密封用树脂组合物涂布于 基材膜上，或涂布后不使密封用树脂组合物固化而照射不足IJ/cm2的低的紫外线，成形为 薄片状而作成粘接性密封层，也可改善操作性。另外，本说明书中，将包含基材膜与粘接性 密封层的薄片称为粘接性封入用薄片。使用粘接性封入用薄片进行密封时，系在5(TC~100 °(：、0.3~1.01?3的压力加热加压30秒~5分钟进行贴合。
[0107] 本发明的电子设备密封用树脂组合物在电磁光谱的可见光区域（约380nm~约 800nm的波长区域）中也具有高的透过率(至少约80%)。电子设备密封用树脂组合物在可见 光区域中具有该高透过率时，可在不遮断光下作为密封材料配置于电子设备的发光或受光 表面侧且进行密封。
[0108] 此外，本发明的电子设备密封用树脂组合物可在多种电子设备中使用。应用本发 明的电子设备密封用树脂组合物的电子设备可将因冲击或振动产生基体错开或剥离的密 封缺陷的发生抑制至最低限度。此外，作为可使用固化后提高耐晓曲性的电子设备密封用 树脂组合物的电子设备，列举晓性显示器。可使用电子设备密封用树脂组合物的电子设备 的其他种类列举为有机发光二极体、光生伏特电池、薄膜晶体管及触控屏幕。
[0109] 接着，针对上述电子设备为有机电致发光元件的情况加 W说明。有机电致发光元 件系至少具有阳极、发光层、及阴极的活性有机部件发光单元，于该活性有机部件上、上方、 及周围涂布本说明书中记载的任一种电子设备密封用树脂组合物并固化，由此形成密封材 料。另外，活性有机部件可使W本说明书中记载的多种电子设备密封用树脂组合物分别固 化而成的密封材料予W密封，也可并用使用本发明的电子设备密封用树脂组合物形成的密 封材料与其他密封材料予W密封。
[0110] 有机电致发光设备中也有将活性有机部件发光单元称为层叠体的情况。层叠体可 具有各种构成，例如包含组装的1个发光单元、或2个W上的发光单元的组合。且，作为层叠 体的任意构成要素之一，也可包含彩色滤光层。
[0111] 层叠体也可担持于设备的基材上。设备的基材可具有刚性、或为硬质（不容易晓 曲），也可具有晓性。硬质基材可包含氧化锭稳定化氧化错(YSZ)、玻璃、及金属等无机材料， 也可包含聚醋、聚酷亚胺及聚碳酸醋等树脂材料。具有晓性的基材也可包含W树脂材料构 成的例如含氣聚合物(例如立氣化聚乙締、聚氯立氣乙締(PCTFE)、偏氣化乙締(VDF)与氯立 氣乙締(CTFE)的共聚物）、聚酷亚胺、聚碳酸醋、聚对苯二甲酸乙二醋、聚糞二甲酸乙二醋、 脂环式聚締控、或乙締-乙締醇共聚物。
[0112] 设备的形状、结构、尺寸等并无限制。设备的基材大多具有板状形状。设备可为透 明、无色、半透明、或不透明。基材也可通过包含SiO、SiN、化F(类钻石被膜)或DLG(类钻石玻 璃）等无机材料的气体阻隔层涂覆。气体阻隔层被膜也可包含进而于其上交互配置聚合物 与无机层的晓性可见光透过性基材，运些被膜记载于美国专利第7,018,713 B2号 (化diyath等人）中。气体阻隔层也可使用真空蒸锻法、物理蒸锻法及等离子体CVD(化学蒸 锻)等方法形成。
[0113] 阳极一般发挥对有机发光层供给空穴的作用。阳极可使用任意已知的阳极材料。 阳极材料的功函数一般为4.OeVW上，阳极材料的较佳例列举为氧化锡、氧化锋、氧化铜及 铜氧化锡(IT0)等半导体金属氧化物、如金、银、铭及儀的金属、及聚苯胺及聚嚷吩等有机导 电性材料，但并不限于运些。阳极通常包含通过例如真空蒸锻、瓣锻、离子锻敷、CVD或等离 子体CVD形成的膜形状者。任一用途中，阳极均可通过蚀刻等图案化。阳极厚度可在广范围 内而有不同，一般约lOnm~50皿。
[0114] 与阳极一起使用的阴极一般系发挥将电子注入有机发光层中的作用。阴极可使用 任意已知的阴极材料。阴极材料的功函数通常为4.5eVW下，阴极材料的较佳例列举为Li、 化、K及Cs等碱金属、LiF/Al等复合体材料、Mg及化等的碱±金属、金、银、铜及镜等稀±金 属、W及MgAg等合金，但并不限于运些。阴极通常包含通过例如真空蒸锻、瓣锻、离子锻敷、 CVD或等离子体CVD形成的膜形状者。任一用途中，阴极均可通过蚀刻等图案化。阴极的厚度 可在广范围内而有不同，一般约lOnm~50皿。
[0115] 配置在阳极与阴极之间的发光单元可具有各种层结构。例如发光单元可为仅含有 机发光层的单层结构，或也可为如有机发光层/电子输送层、空穴输送层/有机发光层、空穴 输送层/有机发光层、空穴输送层/有机发光层/电子输送层有机发光层/电子输送层/电子 注入层、或电子注入层/空穴输送层/有机发光层/电子输送层/电子注入层的多层结构。运 些层的各层说明如下。
[0116] 有机发光层可含有至少一种发光材料，也可任意含有空穴输送材料、电子输送材 料等。发光材料并无特别限制，可使用有机电致发光设备的制造中通常使用的发光材料。发 光材料可列举为金属络合物、低分子量蛋光性着色材料、蛋光性聚合物化合物、或憐光材 料。金属络合物的较佳例列举为=(8-径基哇嘟)侣络合物(Alq3)、双(苯并哇嘟)被络合物 (BeBq2)、双(8-径基哇嘟)锋络合物(Znq2)、及菲咯嘟系館络合物化u(TTA)3(地en))，但并 不限于运些。低分子量蛋光性着色材料的较佳例包含巧（P e r y 1 e n e )、哇叮晚酬 (quinacridone)、香豆素及2-嚷吩簇酸(DCJTB)，但并不限于运些。蛋光性聚合物化合物的 较佳例列举为聚（对苯乙烘）（PPV)、9-氯甲基蔥(MEH-PPV)、及聚巧(PF)，但并不限于运些。 憐光材料的较佳例列举为八乙基化嘟销(platinum octaethylpo巧hyrin)及环金属化银化 合物。
[0117] 有机发光层可由如上述的发光材料，使用任意较佳的方法形成。例如，有机发光层 可使用真空蒸锻或物理蒸锻等膜形成方法形成。有机发光层的厚度并无特别限制，一般为 约5nm~lOOnm。
[0118] 有机发光单元也可包含由空穴输送材料所成的空穴输送层及/或空穴注入层。空 穴输送材料一般发挥自阳极发射空穴、输送空穴、且阻断自阴极发射的电子的作用。空穴输 送材料的较佳例列举为N，N'-二苯基-N，N'-二（间-甲苯基）联苯胺(TPD)、N，N，N'，N'-四 (间-甲苯基)-1,3-苯二胺(PDA)、1，1-双[N，N-二(对-甲苯基)氨基]苯基]环己烧(TPAC)及 4,4'，r-S[N，N'，W'-S苯基-N，N'，W'-S(间-甲苯基)氨基]-亚苯(m-MTDATA)，但并不限 于运些。空穴输送层及空穴注入层可分别使用真空蒸锻及物理蒸锻等膜形成法形成。运些 层的厚度并无特别限制，一般可为5nm~lOOnm。
[0119] 有机发光单元可包含由电子输送材料所成的电子输送层及/或电子注入层。电子 输送材料发挥输送电子、且阻断自阳极喷射的空穴的作用。电子输送材料的较佳例列举为 2-(4-叔下基苯基)-5-(4-联苯基)-1，3，4-嗯二挫(P抓）、及3-(4-叔下基苯基)-4-苯基-5- (4-联苯基)-l，2,4-S挫(TAZ)AIQ，但并不限于运些。电子输送层及电子注入层可分别使用 真空蒸锻及物理蒸锻等膜形成法形成。运些层的厚度并无特别限制，一般可为5nm~lOOnm。
[0120] 本说明书中公开的有机电致发光设备可借助使用本发明的电子设备密封用树脂 组合物的密封材料密封上述层叠体。密封材料可W覆盖配置于基材上的层叠体的露出面整 体的层的状态形成。
[0121] 有机电致发光设备由于W本发明的电子设备密封用树脂组合物单独即具有粘接 特性，故不需要设置用于层叠密封材料的其他粘接层。也即，省略进而层叠粘接剂，可使制 造制程简易化，且可强化信赖性。再者，与W往的技术不同，由于可通过电子设备密封用树 脂组合物被覆层叠体故层叠体与盖之间不会留下中空部。若无中空部则可减少水分透过， 由此可防止装置特性的劣化同时可获得小型且薄的装置。期望有中空部时，也可使用包围 装置的粘接剂的垫片。
[0122] 进而，本发明的电子设备密封用树脂组合物在光谱的可见光区域(380皿~800皿） 具有透明性。电子设备密封用树脂组合物的平均透过性由于为80% W上或90% W上，故电 子设备密封用树脂组合物实质上不会降低有机电致发光设备的发光效率。此对于上发光型 的有机电致发光设备特别有益。
[0123] 也可层叠体外侧设置用于保护层叠体的上部及底部的不动态膜。不动态膜可由 SiO、SiN、DLG或化F等无机材料所成，且使用例如真空蒸锻及瓣锻等被膜形成法形成。不动 态膜的厚度并无特别限制，一般为约5nm~1 OOnm。
[0124] 也可于层叠体外侧配置可吸收水分及/或氧气的材料或包含该材料的层。该层只 要获得期望的效果也可配置于任一部位。
[0125] 除上述构成要素外，有机电致发光设备可追加包含已知的各种构成要素。
[0126] 期望全彩装置时，可将具有白色发光部分的有机电致发光设备与彩色滤光片组合 使用。该组合于3色发光法时并不需要。另外，可组合色转换法(CCM)、或修正色纯度的彩色 滤光器的有机电致发光设备使用。
[0127] 另外，有机电致发光设备也可具有保护被膜作为最外层。该保护被膜可为具有水 蒸气阻隔特性或氧阻隔特性的保护被膜，该保护被膜也称为"气体阻隔被膜"或"气体阻隔 层"。气体阻隔层可W具有水蒸气阻隔特性的各种材料形成。较佳的材料列举为包含含氣聚 合物（例如，聚糞二甲酸乙二醋、聚S氣化乙締、聚氯S氣乙締(PCTEF)、聚酷亚胺、聚碳酸 醋、聚对苯二甲酸乙二醋、脂环式聚締控及乙締-乙締醇共聚物）的聚合物层，但并不限于运 些。可使用该聚合物层、或W无机膜(例如，氧化娃、氮化娃、氧化侣、DLG或DLF)，使用膜形成 法（例如瓣锻法)涂布该聚合物层而得的层叠体。此外，气体阻隔层也可具有于其上交互配 置聚合物层与无机层而成的晓性可见光透过性基材。运些保护被膜可使用美国专利第7， 018,713 B2号(Padiyath等人)所记载者。气体阻隔层的厚度可在广范围内而有不同，一般 可为约lOnm~500皿。
[0128] 本说明书中公开的有机电致发光设备可利用作为各种领域中的照明或显示器手 段。用途为例如代替蛋光灯使用的照明装置、或电脑装置、电视接收机、DVD(数字光碟）、音 响机器、测定机械设备、移动电话、PDA(移动信息终端)及面板等显示装置、或背光单元及打 印机等的光源阵列等。
[0129] 另外，本发明的电子设备密封用树脂组合物也可用于封入由配置于基材上的金属 及金属氧化物所成的构成要素。例如，电子设备密封用树脂组合物也可使用于使氧化铜锡 (IT0)等实质上透明的导电性金属沉积于玻璃等基材上、或=乙酸纤维素等聚合物被膜上 的触控屏幕。电子设备密封用树脂组合物完全不含有使金属及/或基材腐蚀的可能的酸性 要素，或即使含有也为少量，故可防止金属及/或基材腐蚀。
[0130] 此外，本发明的电子设备密封用树脂组合物也可使用作为配置于光生伏特电池 上、上方或周围的密封材料。光生伏特电池也可构成为阵列状者(相互连接的一连串光生伏 特电池），构成阵列状的多个光生伏特电池的一部分或全部也可通过本发明的电子设备密 封用树脂组合物密封。
[0131] 一般，光生伏特电池系将光转换成电所用的半导体装置，有时也称为太阳能电池。 光生伏特电池在曝露于光时，正电极与负电极之间产生电压，结果使电子流动。电压的大小 与光照射到电池的表面形成的光生伏特接点的强度成比例。典型上，太阳能电池或太阳能 电池模组系将电力供给于特定装置，或者为了蓄电而产生公电压的方式相互连接，形成作 为单一发电单元的功能的太阳能电池阵列。
[0132] 光生伏特电池中使用的半导体材料包含结晶质或多晶娃或膜娃，例如非晶质、半 结晶质娃、嫁神、二砸化铜铜、有机半导体、CIG等。光生伏特电池中使用晶片的半导体材料 与膜的半导体材料的巧巾。晶片的半导体材料自单一结晶或多结晶锭块进行机械切割、或利 用铸造制作的半导体材料的薄的薄片。膜的半导体材料使用瓣锻或化学蒸锻制程等配置于 基材或超基材(supersubstrate)上的半导体材料的连续层。
[0133] 晶片及膜的光生伏特电池大多模组为必须具有1个W上的支撑体的程度的脆性。 支撑体可为W刚性，例如W玻璃板刚性材料形成，或也可为W晓性材料，例如金属膜及/或 聚酷亚胺或聚对苯二甲酸乙二醋等的较佳聚合物材料所成的薄片而形成。支撑体可位在光 生伏特电池与光源之间的最上层或基材，该情况下，支撑体使来自光源的光通过。取代此或 除此之外，支撑体也可位在光生伏特电池之后的底层。
[0134] 电子设备密封用树脂组合物可配置于光生伏特电池上、上方或周围。借助使用电 子设备密封用树脂组合物，可保护光生伏特电池免受环境影响，及/或可使电池粘接于支撑 体上。电子设备密封用树脂组合物也可使用作为由相同组成或不同组成所成的几种密封材 料中的1种。此外，电子设备密封用树脂组合物可直接涂布于电池上后使其固化，也可使预 先使电子设备密封用树脂组合物成形为薄片状的粘接性密封层层叠于光生伏特电池上，随 后使粘接性密封层固化。
[0135] 图1为显示光生伏特电池1A的剖面结构的图，光生伏特电池1A由粘接性封入用层 102A、103A封入元件状态的光生伏特电池101A。且，粘接性封入用层102A、103A的外侧的面 上分别设置前面侧的基材104A及背面侧的基材105A。
[0136] 图2为显示变形例的光生伏特电池1B的剖面结构的图，光生伏特电池1B由化学蒸 锻等较佳方法使元件状态的光生伏特电池101B配置于前面侧的基材104B上。接着，将包含 例如可卸除的基材膜(未图示）的粘接性封入用薄片的粘接性封入用层103B配置于光生伏 特电池1B上，剥离基材膜且于其上层叠背面侧的基材105B的状态，使粘接性封入用层103B 固化，由此密封元件状态的光生伏特电池101B。光生伏特电池1B中，也可将包含可卸除的基 材膜的粘接性封入用薄片的粘接性封入用层103B贴合于背面侧的基材105B上，剥离基材膜 并将该面贴合于元件状态的光生伏特电池101B上，使粘接性封入用层102B固化。
[0137] 图3为显示另一例示的光生伏特电池1C的剖面结构的图，由化学蒸锻等较佳方法 将元件状态的光生伏特电池101C配置于背面侧的基材105C上。接着，使用包含例如可卸除 的基材膜(未图示）的粘接性封入用薄片的粘接性封入用层102C密封元件状态的光生伏特 电池101C。可视需要利用前面侧的基材，也可使用可卸除的基材膜作为前面侧的基材。
[0138] 电子设备密封用树脂组合物也可配置于薄膜晶体管的半导体层上、上方或周围。 薄膜晶体管系借助配置W半导体材料形成的膜、与基材接触的介电体层及金属而制作的特 别种类的场效晶体管。可使用薄膜晶体管驱动发光装置。
[0139] 有用的半导体材料针对光生伏特电池列举为上述者及有机半导体。有机半导体列 举为红蛋締、并四苯(tetracene)、并五苯、巧二酷亚胺、四氯基酿二甲烧等小分子、及包含 聚（3-己基嚷吩）的聚嚷吩、聚巧、聚二乙烘、聚（2,5-嚷吩乙烘）、聚(对苯乙烘)等聚合物的 芳香族或其他共辆电子系。无机材料的蒸锻可使用化学蒸锻或物理蒸锻实施。有机材料的 蒸锻可通过小分子的真空蒸锻或聚合物或小分子的溶液流延实施。
[0140] 薄膜晶体管一般包含栅电极、栅电极上的栅极介电体、与栅极介电体邻接的源电 极及漏电极、与栅极介电体邻接且与源极及漏电极邻接的半导体层（例如，参照S.M.Sze， Physics of Semiconductor Devices,第2版，John Wiley and Sons,第492页，纽约 (1981))。运些构成要素可通过各种构成组装。
[0141] 薄膜晶体管列举为例如美国专利第7,279,777 B2号(Bai等人)所公开的薄膜晶体 管。图4为显示该薄膜晶体管2A的剖面结构。包含基材201、配置于基材201上的栅电极202、 配置于栅电极202上的介电体材料203、配置于介电体材料203及基板201上的任意表面改性 被膜204、设置于表面改性被膜204上的半导体层205、与半导体层205接触的源电极206及漏 电极207。半导体层205的至少一部分借助使用本发明的电子设备密封用树脂组合物的密封 材料208密封。
[0142] 薄膜晶体管的另一例列举为美国专利第7,352,038 B2号化ell巧等人)所公开的 例示薄膜晶体管。图5为显示该薄膜晶体管2B的剖面结构图。薄膜晶体管2B具有配置于基材 209上的栅电极210,且于栅电极210上配置栅极介电体211。实质的非氣化聚合物层212介于 栅极介电体211与有机半导体层213之间。源电极214及漏电极215设于有机半导体层213上。 有机半导体层213的至少一部分借助使用本发明的电子设备密封用树脂组合物的密封材料 216密封。
[0143] W下，W实施例针对本发明进一步加 W说明，但实施例并非意图W任何方法限制 本
【发明人】。
[0144] (实施例1~39及比较例1~7)
[0145] W表1~4所示的比例（质量份）调配下述(A)及(C)、（dl)、（d2)的各成分，成分(B) 由（A)成分及(C)成分总计的3质量％的比例调配，且添加甲苯作为适当溶剂调整溶液。W真 空容器使溶液脱溶剂，分别获得实施例1~39及比较例1~7的电子设备密封用树脂组合物。 针对各组合物的阻挡水蒸气性、涂布性、信赖性进行评价。
[0146] (A)聚下二締聚合物
[0147] Al:TE-2000(末端导入丙締酸基的聚下二締，有氨基甲酸醋键，未氨化，Mn2000,日 本曹达股份有限公司制）
[0148] A2:TEAI-1000(末端导入丙締酸基的聚下二締，有氨基甲酸醋键，经氨化，MnlOOO， 日本曹达股份有限公司制）
[0149] A3: W下述合成方法所得的氨基甲酸醋丙締酸醋
[01加]A4: SPBDA-S30 (末端导入丙締酸基的聚下二締，无氨基甲酸醋键，经氨化，MW3000， 大阪有机化学工业股份有限公司）
[0151] A5:GI-3000(末端径基聚下二締，无氨基甲酸醋键，经氨化，Mn3000，日本曹达）
[0152] (氨基甲酸醋丙締酸醋A3的合成方法）
[0153] 将日本曹达股份有限公司制GI-3000(末端径基聚下二締，无氨基甲酸醋键，经氨 化，Mn3000)溶解于环己烧中，边在40°C揽拌边缓慢滴加2-丙締酷氧基乙基异氯酸醋 化ARENZ(注册商标)AOI，昭和电工股份有限公司制），再进行揽拌4小时后，于异丙醇中使结 晶沉淀，获得末端改性氨化下二締丙締酸醋。
[0154] (S)苯乙締下二締丙締酸醋
[01巧]于氣气置换的内容积化的反应器中添加经脱水纯化的环己烧1.90kg、22.9质量％ 的1，3-下二締的己烧溶液2kg、20.0质量％的苯乙締的环己烧溶液0.573kg、1.6mol/L的2， 2-二（四氨巧喃基)丙烷的己烧溶液130.4ml后，添加0.5mol/L的二裡聚合引发剂108.0ml开 始聚合。使混合液升溫至50°C，进行聚合1.5小时后，添加 Imol/L的环氧乙烧的环己烧溶液 108.0ml，再揽拌2小时后，添加50ml异丙醇。
[0156] 使所得共聚物的己烧溶液于异丙醇中沉淀，经充分干燥，获得分子末端具有径基 的苯乙締下二締橡胶(苯乙締含量:20质量％，质均分子量18,000,分子量分布1.15)。
[0157] 使上述所得的分子末端具有径基的苯乙締下二締橡胶120g溶解于经充分脱水纯 化的己烧1L中后，W使儀相对于所述苯乙締下二締橡胶的源自下二締的构成单位l，000mol 为Imol的方式加入预先在另一容器中调整的环烧酸儀、=乙基侣及下二締[分别为1:3:3 (摩尔比）]的催化剂液。W2.758MPa(4(K)psi)将氨气加压添加于密闭反应容器中，在110°C 进行氨化反应4小时。
[0158] 随后，W3mol/m3的盐酸提取分离催化剂残留物，再经离屯、分离使催化剂残留物沉 降分离。随后，使分子末端具有径基的氨化苯乙締下二締橡胶在异丙醇中沉淀，再经充分干 燥，获得分子末端具有径基的氨化苯乙締下二締橡胶（苯乙締含量20质量％，质均分子量 16，500，氨化率98 %，分子量分布1.1)。
[0159] 将如此获得的分子末端具有径基的氨化苯乙締下二締橡胶溶解于环己烧中，边在 40°C揽拌边缓慢滴加2-丙締酷氧基乙基异氯酸醋（"KARENZ(注册商标)AOr，昭和电工股份 有限公司制），再进行揽拌4小时后，于异丙醇中使结晶沉淀，获得末端改性氨化苯乙締下二 締橡胶。
[0160] (B)光聚合引发剂
[0161] B1:ESACURE TZT(2,4,6-S甲基二苯甲酬，Lamberti公司制）
[0162] b2:ESACURE KIP 100F(聚{2-径基-2-甲基甲基乙締基)苯基]丙-1-酬} 与2-径基-2-甲基-1 -苯基-丙-1 -酬的渗合物，Lamber t i公司制）
[0163] B3:Irgacure 184(1-径基环己基苯基酬，BASF公司制）
[0164] B4:抗氧化剂IRGAN0X 1520L(汽己特用化学品股份有限公司）
[0165] (C)反应性稀释剂
[0166] Cl:l，6册-A(l，6-己二醇二丙締酸醋，共荣社化学股份有限公司制）
[0167] C2:DCP-A(二径甲基环癸烧二丙締酸醋，共荣社化学股份有限公司制）
[0168] C3: CD595( 1，10-癸二醇二丙締酸醋，Sartomer 公司制）
[0169] C4:Li曲t Ester ID(甲基丙締酸异癸醋，共荣社化学股份有限公司制）
[0170] (dl)控系软化剂
[0171] dl-l:Nissan化lybutene 200N(聚下締，Mn2650,日油股份有限公司制）
[0172] dl-2:Glissopal 1000(聚异下締，Mn100 0，BASF 公司制）
[0173] dl-3:化ssan化lybutene 015N(聚下締，Mn580,日油股份有限公司制）
[0174] dl-4:0卵anol B10N(聚异下締，]?"36,000，]\11112,000,845。公司制）
[01 巧]dl-5:KURAPRE肥 LIR30(聚异戊二締橡胶，Mw29，000，Mn28，000，KURARAY股份有限 公司制）
[0176] dl-6:0卵anol B15N(聚异下締，]?"75,000，]\11122,000,845。公司制）
[0177] (d2)控系增粘剂
[017引 d2-l:ESC0REZ 5320(C5系氨化二环戊二締系树脂，软化点 124°C，Mw640，Mn430， ExxonMobil Chemical公司制）
[0179] d2-2:l-MARVP100(C5二环戊二締/C9共聚系氨化石油树脂，软化点100°C，Mw660， 出光兴产股份有限公司制）
[0180] (12-3ESC0REZ 1310(C5 系石油树脂，软化点 94°C，Mwl600，Mn100 0，ExxonMobil Qiemical公司制）
[0181] d2-4:PI肥CRYSTAL KE311 (氨化松脂醋系树脂，软化点95°C，Mn580，荒川化学工业 股份有限公司制）
[0182] 针对实施例.比较例的各组合物的阻挡水蒸气性、涂布性、信赖性、耐晓曲性进行 评价。
[0183] (阻挡水蒸气性）
[0184] W使实施例.比较例的电子设备密封用树脂组合物成为50皿厚的方式，WBAKER 式布胶机涂布于玻璃板上。随后，W高压水银灯照射5J/cm2的波长365nm的紫外线使的固 化，获得试验用薄片。W无皱權或松弛的方式将所得薄片装设于低湿度腔室及高湿度腔室 之间，使用压差式气体?蒸气透过率测定装置(GTR Tech股份有限公司制，GTR-10XAWT)、气 相层析仪(YANAC0技术科技股份有限公司制，G2700T)，依据JIS K7129C，求出40°C、90%畑 及60°C、90%RH的阻挡水蒸气性。阻挡水蒸气性根据W下评价基准，分5阶段进行评价。另 夕h评价中DW上者意指为合格品，E意指不合格品下同）。
[0185] A 极佳
[0186] :60°C的透湿度为lOOg/m2天W下且40°C的透湿度为20g/m 2天W下
[0187] B非常好
[0188] :60°C的透湿度为lOOg/m2天W下且40°C的透湿度为50g/m2天W下
[0189] 唯
[0190] :60°C的透湿度为lOOg/m2天W下且40°C的透湿度为lOOg/m2天W下
[0191] D:普通
[0192] : 60°C的透湿度为1 OOg/m2天W上且40°C的透湿度为1 OOg/m2天W下
[0193] E 不良
[0194] :60°C及40°C的透湿度为100g/m2天W上
[0195] (涂布性）
[0196] 作为条件1按照W下顺序，进行密封用树脂组合物的涂布实验。依据JIS R 3202将 1.2mm厚的浮式玻璃调整成30mmX30mm的大小，四边留下3mm宽作为边缘(bezel)，W100 nm 的厚度蒸锻金属巧，制作玻璃基板。另一方面，W成为50WI1厚度的方式于另一浮式玻璃上涂 布电子设备密封用树脂组合物。使涂布电子设备密封用树脂组合物的面朝下，贴合涂布玻 璃与玻璃基板，获得基板玻璃/电子设备密封用树脂组合物/玻璃的构成的试验样品。接着， 于试验样品的周围重叠放置2片上述1.2mm厚的浮式玻璃与厚度50WI1的聚对苯二甲酸乙二 醋膜1片，确保无间隙的状态下W真空层叠在80°C、0.6MPa的压力下加压5分钟。自层叠机取 出加压后的样品，W高压水银灯照射5J/cm2的波长365nm的紫外线进行固化后，W目视观察 是否可进行贴合，或二片玻璃之间是否可无孔隙地填充密封用树脂组合物。条件2是除了 W 层叠机的加压设为1分钟W外，W与条件1相同的条件进行。条件3是除了溫度设为4(TCW 夕hW与条件2相同的条件进行，条件4是除了 W层叠机的加压设为O.lMPaW外，W与条件3 相同的条件进行。涂布性根据W下评价基准，分5阶段进行评价。
[0197] A 极佳
[0198] :所有条件均获得未观察到孔隙的样品
[0199] B非常好
[0200] :条件1、2、3下均获得未观察到孔隙的样品
[0201] 唯
[0202] :条件1及2下获得未观察到孔隙的样品 [020；3] D 普通
[0204] :条件1下获得未观察到孔隙的样品
[0205] E不良
[0206] :任一条件下均观察到孔隙或无法贴合
[0207] (信赖性）
[020引在40°C、90%畑下处理在涂布性试验中未观察到孔隙的样品1000小时，随后，冷却 至室溫（25°C)后，由巧蒸锻膜的变化测定透过电子设备密封用树脂组合物的水分浸入量。 信赖性根据W下评价基准，分2阶段进行评价。
[0209] A 极佳
[0210] : 1000小时后的水分浸入量为3mmW下 [0別。E不良
[0212] : 1000小时后的水分浸入量为3mm W上或观察到孔隙或剥离发生
[0213] (耐晓曲性）
[0214] W成为25WI1厚的方式将实施例?比较例的电子设备密封用树脂组合物涂布于100 皿厚的PET膜上。使涂布电子设备密封用树脂组合物的面朝下，W不夹带孔隙的方式，使涂 布膜与另一 100皿厚的PET膜贴合后，W高压水银灯照射5J/cm2的波长365nm紫外线进行固 化，获得1 OOwii厚PET膜/25WI1厚的密封用树脂组合物/1 OOwii厚PET膜的构成的试验样品。接 着，根据JIS K 5600-5-11999,使用25mm直径的屯、轴进行所得试验样品的耐晓曲性试验。耐 晓曲性系根据W下评价基准，分3阶段进行评价。
[0別引 A极佳
[0216]:样品可晓曲，且未观察到自膜剥离、样品的变色、破裂 [0^7] D普通
[0218] :样品可晓曲，但观察到白化等的变色
[0219] E 不良
[0220] :样品无法晓曲，或者试验后的样品观察到剥离、破裂
[0221] [表 1]



L0229」如表1~3所示，实施例1~39由于含有末端具有（甲基）内筛醜基甘具有氨基甲酸 醋键的聚下二締聚合物与光聚合引发剂，且不含质均分子量5万W上的热塑性树脂的组成， 故兼具阻挡水蒸气性与涂布性，且信赖性的评价中获得良好的结果。另外，实施例14~17、 19~25、28~31、33~39由于由聚下二締聚合物与反应性稀释剂的质量比为5:95~50:50的 范围含有反应性稀释剂，故涂布性获得改善。且，实施例19~32、34~39由聚下二締聚合物 与反应性稀释剂的总计与数均分子量不足5万的控化合物的质量比为20:80~70:30的范围 含有数均分子量不足5万的控化合物，故显示良好的阻挡水蒸气性。
[0230] 如表4所示，比较例1、3、4由于聚下二締聚合物于末端具有（甲基)丙締酷基但不具 有氨基甲酸醋键，故结果为信赖性差。比较例2由于为苯乙締系聚下二締聚合物，故结果为 信赖性差。比较例5、7由于不含末端具有（甲基)丙締酷基且具有氨基甲酸醋键的聚下二締 聚合物，故结果为信赖性差。比较例6由于含有质均分子量5万W上的热塑性树脂，故结果为 涂布性与信赖性均差。
[0231] 符号说明
[0232] 1A、1B、1C:光生伏特电池
[0233] 101A、101B、101C:元件状态的光生伏特电池
[0234] 102A、103A、103B、102C:粘接性封入用层
[0235] 104A、104B:前面侧的基材
[0236] 105A、105B、105C:背面侧的基材
[0237] 2A、2B:薄膜晶体管
[023引 201、208:基材
[0239] 202、209:栅电极
[0240] 203:介电体材料
[0241] 204:表面改性被膜
[0242] 205:半导体层
[0243] 206、213:源电极
[0244] 207、214:漏电极
[0245] 210:栅极介电体
[0246] 211:实质的非氣化聚合物层
[0247] 212:有机半导体层
【主权项】
1. 一种电子设备密封用树脂组合物，其特征在于，含有： (A) 由下述化学式(1)表示的末端具有（甲基)丙烯酰基的聚丁二烯聚合物、和 (B) 光聚合引发剂， 并且不含质均分子量为5万以上的热塑性树脂， 【化1】式中，R1及R2分别独立地表示羟基或H2C = c (R7)-⑶0-，R3及R4分别独立地表示碳数1~ 16的取代、未取代的二价有机基团，R5、R6、R7分别独立地表示氢原子或碳数1~10的烷基，其 内部含有至少1个由下述化学式(2)表示的有机基团，1及m分别独立地为表示0或1的整数，η 为表示15~150的整数，x:y = 0~100:100~0,其中，不存在R1及R2均为羟基的情况， 【化2】2. 根据权利要求1所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 其还含有(c)反应性稀释剂，且所述(A)成分与所述(c)成分的质量比(A):(c)为5:95~ 50：50〇3. 根据权利要求2所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 其还含有(D)数均分子量不足5万的烃化合物，且所述(A)成分及所述(c)成分的总计与 所述(〇)成分的质量比[以)+ (〇]:(0)为20:80~70:30。4. 根据权利要求3所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 所述(D)成分的烃化合物至少含有(dl)烃系软化剂及(d2)烃系增粘剂，且所述(dl)成 分与所述((12)成分的质量比（(11):((12)为20:80~80:20。5. 根据权利要求2至4中任一项所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 所述(c)成分的反应性稀释剂为二官能的（甲基)丙烯酸酯单体。6. 根据权利要求4或5所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 所述(dl)成分的烃系软化剂为聚丁烯或/及聚异丁烯。7. 根据权利要求4至6中任一项所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 所述(d2)成分的烃系增粘剂为氢化石油树脂。8. 根据权利要求1至7中任一项所述的电子设备密封用树脂组合物，其特征在于， 所述聚丁二烯聚合物的丁二烯骨架所具有的不饱和键的50%以上被氢化。9. 一种电子设备，其特征在于，通过使用了权利要求1至8中任一项所述的电子设备密 封用树脂组合物的密封材料而密封。10. 根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于， 其具有挠性。11. 根据权利要求9或10所述的电子设备，其特征在于， 所述电子设备为有机设备，具有活性有机部件，且所述密封材料被配置于所述活性有 机部件上、上方或周围。12. 根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于， 所述有机设备为有机电致发光设备，所述活性有机部件包含阳极、发光层及阴极。13. 根据权利要求9或10所述的电子设备，其特征在于， 所述电子设备为触控屏幕，具有包含玻璃或聚合物的基材以及配置于所述基材上的实 质上透明的导电性金属，且所述密封材料被配置于所述金属上、上方或周围。14. 根据权利要求9或10所述的电子设备，其特征在于， 所述电子设备为光生伏特设备，具有光生伏特电池或光生伏特电池阵列，所述密封材 料被配置于所述光生伏特电池或所述光生伏特电池阵列中的任意一个光生伏特电池上、上 方或周围。15. 根据权利要求9或10所述的电子设备，其特征在于， 所述电子设备为薄薄膜晶体管，具有半导体层，且所述密封材料被配置于所述半导体 层上、上方或周围。
【文档编号】H01L51/44GK106062022SQ201580010530
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2015年2月4日
【发明人】浅沼匠, 青山真沙美, 石坂靖志, 三枝哲也
【申请人】古河电气工业株式会社