专利名称：表面防水处理用组合物以及使用该组合物的半导体基板表面的防水处理方法
技术领域：
本发明涉及一种具有长宽比高的图案结构的半导体基板表面的防水处理用组合物以及使用该组合物的半导体基板表面的防水处理方法。
背景技术：
在半导体基板制造过程中，近年来随着配线微细化，需要形成高度比线宽还高、SP所谓的长宽比高的图案。在这样的长宽比高的图案的情况下，在纯水清洗工序中受水的表面张力的影响会产生图案损坏这样的问题。该倾向尤其在形成SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层进行层积而得到的图案时会增大。作为以往的防水处理方法，已知有例如对SiO2层等含有Si的绝缘层或硅晶圆，使用含有各种氟化合物的溶液(专利文献I)、或使用各种氟化合物的气体(专利文献2、专利文献3等)来进行防水处理的方法等。但是，SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层因其表面性质不同，因而尚未得知一种可同时有效地对这2种层进行防水处理的组合物，因此尚在期望开发的状况中。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平9-203803号公报专利文献2:W099/48339号再公表公报专利文献3:日本特开2003-257655号公报
发明内容
发明所要解决的课题本发明是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种用于对半导体基板表面整体进行一次防水处理的组合物，所述半导体基板表面具有SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层进行层积而形成的图案；以及还提供一种使用了该组合物半导体基板表面的防水处理方法，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。用于解决课题的方法为了解决所述课题，本发明由以下构成。(I) 一种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有:a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少I种化合物山)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂；以及C)极性有机溶剂。(2) 一种半导体基板表面的防水处理方法，其特征在于，在波长为200nm以上的光照射下或加热下，利用上述(I)的组合物对半导体基板进行处理，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。S卩，本发明人为了寻找一种以一次处理就能够对半导体基板的表面进行防水处理的组合物而进行了深入研究，所述半导体基板具有高度比线宽还高、即所谓的长宽比高的图案，该图案是由SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的；经上述研究发现，只要使用上述(I)的组合物，就能够简便且高效地对该半导体基板表面的由SiO2层等含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案的表面进行防水处理，从而完成本发明。发明效果只要使用本发明的防水处理用组合物以及使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，就能够以一次处理对半导体基板的表面进行防水处理，所述半导体基板具有高度比线宽还高、即所谓的长宽比高的图案，该图案是由3102层等含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的；因此能够防止在这样的基板中会成为问题的例如在纯水清洗工序中受水的表面张力的影响而产生图案损坏这样的问题的产生。
具体实施例方式作为本发明的a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少I种化合物，优选举出由下述通式(I)或通式(2)所示的化合物。
权利要求
1.种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有:a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少I种化合物；b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂；以及c)极性有机溶剂。
2.权利要求1所述的组合物，其中，长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐至少具有I个以上的碳原子数为4 20的烷基。
3.权利要求1所述的组合物，其中，a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少I种化合物为长链烷基铵盐。
4.权利要求3所述的组合物，其中，所述长链烷基铵盐为三正辛基甲基氯化铵、四正辛基溴化铵或正十四烷基二甲基苄基氯化铵。
5.权利要求1所述的组合物，其中，b)具有稠环结构的碱产生剂或酸产生剂通过光照射或加热而在除了形成为碱或酸的部分以外还具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构。
6.权利要求5所述的组合物，其中，所述稠环结构为蒽环、萘环、芘环、蒽醌环、硫杂蒽酮环、苊环、香豆素环或氧杂蒽酮环。
7.权利要求5所述的组合物，其中，所述稠环结构为蒽环。
8.权利要求1所述的组合物，其中，b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂为9-蒽基甲基-1-哌啶羧酸酯。
9.权利要求1所述的组合物，其中，c)极性有机溶剂为非质子性。
10.权利要求1所述的组合物，其中，c)极性有机溶剂为Y-丁内酯。
11.种半导体基板表面的防水处理方法,其特征在于,在波长为200nm以上的光照射下或加热下，利用权利要求1所述的组合物对具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案的半导体基板进行处理。
12.权利要求11所述的方法，其中，金属层是由钨、铝、钛、铪、含有这些金属的合金、铪氧化物或铪-钇氧化物形成的。
全文摘要
本发明的目的在于提供一种组合物、以及使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述组合物用于对具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案的半导体基板表面整体进行一次防水处理。本发明涉及(1)一种半导体基板表面防水处理用组合物，其含有a)选自由长链烷基叔胺以及长链烷基铵盐组成的组中的至少1种化合物、b)具有稠环结构或产生碱或酸而形成稠环结构的碱产生剂或酸产生剂、以及c)极性有机溶剂；本发明还涉及(2)使用了该组合物的半导体基板表面的防水处理方法，所述半导体基板具有由含有Si的绝缘层与金属层层积而形成的图案。
文档编号C09K3/18GK103098178SQ20118004304
公开日2013年5月8日 申请日期2011年9月7日 优先权日2010年9月8日
发明者水田浩德, 浦野洋治, 柿泽政彦 申请人:和光纯药工业株式会社