1.一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料，其特征在于：该荧光材料的发射光谱范围为650-1100nm，激发光谱范围为200-400nm，化学式为：MaMg1-aAl2Si2O8:Nb，Rc，其中M为Ca、Sr、Ba四种元素中的一种，N为Ce、Eu、Mn三种元素中的一种，R为Nd、Yb两种元素中的一种，a、b、c为摩尔系数，其范围是：0＜a＜1，0＜b＜0.5，0＜c＜0.5。
2.如权利要求1所述的一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料，其特征在于：所述的元素M来源于Ca、Sr、Ba碳酸盐中的一种，元素Ce、Eu、Mn、Nd、Yb均来源于其相应的氧化物。
3.如权利要求1所述的一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料，其制备方法是通过以下步骤实现的：
（1）、按照化学式MaMg1-aAl2Si2O8:Nb，Rc中各元素的摩尔系数比，称取原料，按照与原料总质量比，称取助熔剂，球磨混匀，球磨时间10-12小时，球磨速度为100-120转/分钟；
（2）、球磨结束后，将原料装入坩埚，放入高温固相炉中，在空气的气氛下进行煅烧，温度850-1050℃，时间6-8小时；
（3）、煅烧结束后，将材料取出、冷却至室温，粉碎和过筛，即得到所需的荧光材料。
4.如权利要求3所述的一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料的制备方法，其特征在于：所述的助熔剂为BaF2、NH4Cl、LiCl、H3BO3中的至少一种。
5.如权利要求3所述的一种微弧光传感器用深红/近红外下转换荧光材料的制备方法，其特征在于：所述的助熔剂添加量为原料总质量的0.5%-3.0%。