[0134] 在真空条件下，将80重量份的高介电常数的填料、1. 5重量份的分散剂和1. 2重量 份的偶联剂加入砂磨机中砂磨6h，加入100重量份的基体树脂、10重量份的稀释剂、8重量 份的调色剂，继续砂磨2h，出料至搅拌机中，加入1. 2重量份的防沉降剂，搅拌分散好，得到 所述粘接剂。
[0135] 实施例19
[0136] 本发明所述粘接剂的一种实施例，所述粘接剂包括以下重量份的组份：基体树脂 1〇〇份，高介电常数的填料90份，分散剂0. 5份，偶联剂2份，调色剂10份；所述粘接剂还 包括防沉降剂和稀释剂，其添加量为10份。
[0137] 所述基体树脂为湿固化聚氨酯树脂预聚体（含有质量分数为6 %的-NCO)，所述稀 释剂为稀释剂DINP，所述分散剂为双氰胺，所述偶联剂为硅烷偶联剂KH570,所述高介电常 数的填料为钛酸锶钡，所述防沉降剂为聚酰胺腊，所述调色剂为炭黑。
[0138] 上述所述粘接剂的制备方法的一种实施例，所述制备方法包括以下步骤：
[0139] 在真空条件下，将90重量份的高介电常数的填料、0. 5重量份的分散剂和2重量份 的偶联剂加入砂磨机中球磨6h，加入100重量份的基体树脂、9重量份的稀释剂、10重量份 的调色剂，继续砂磨2h，出料至搅拌机中，加入1重量份的防沉降剂，搅拌分散好，得到所述 粘接剂。
[0140] 实施例20
[0141] 本发明所述粘接剂的一种实施例，所述粘接剂包括以下重量份的组份：：基体树脂 100份，高介电常数的填料140份，分散剂0. 5份，偶联剂2份，调色剂10份；所述粘接剂还 包括防沉降剂和稀释剂，其添加量为10份。
[0142] 所述基体树脂为湿固化聚氨酯树脂预聚体（含有质量分数为6%的-NCO)，所述稀 释剂为稀释剂DINP，所述分散剂为双氰胺，所述偶联剂为硅烷偶联剂KH570,所述高介电常 数的填料为钛酸锶钡，所述防沉降剂为聚酰胺腊，所述调色剂为炭黑。
[0143] 上述所述粘接剂的制备方法的一种实施例，所述制备方法包括以下步骤：
[0144] 在真空条件下，将140重量份的高介电常数的填料、0. 5重量份的分散剂和2重量 份的偶联剂加入砂磨机中球磨6h，加入100重量份的基体树脂、9重量份的稀释剂、10重量 份的调色剂，继续砂磨2h，出料至搅拌机中，加入1重量份的防沉降剂，搅拌分散好，得到所 述粘接剂。
[0145] 实施例21
[0146] 相对介电常数测定：
[0147] 用聚四氟乙烯制成的圆柱形中空模具，将实施例1-20制备的粘接剂注入其中，在 适当的温度下固化，固化后取出固化物，将圆柱形固化物上下面打磨光滑，测量圆柱形固化 物厚度（各位置测量相差不超过〇. 〇5mm)，将上下面镀金，在频率1MHz，电压IV条件下测量 电容，通过公式计算得出实施例1-20制备的粘接剂的相对介电常数。
[0148] 粘结强度测定：
[0149] 粘结强度测定所需器材：ZrO陶瓷八字模（接触面积15*15mm)、万能拉力机。
[0150] 粘结强度测定方法：将实施例1-20制备的粘合剂涂覆在八字模上的接触面积上， 厚度控制在l±〇. 1mm，固化后静置24h，用万能拉力机测试粘结强度。
[0151] 实施例1-20制备的粘接剂的相对介电常数和粘结强度的测定结果如表1所示， 从表1的测试结果可知，本发明制备的粘接剂的相对介电常数完全满足相对介电常数 er多6,能够保证电容信号能够顺利传输到芯片上，并且保持了高的粘结强度。
[0152] 表1实施例1-20制备的粘接剂的相对介电常数测定
[0153]
【主权项】
1. 一种粘接剂，其特征在于，所述粘接剂包括以下重量份的组份：基体树脂100份，高 介电常数的填料5?350份，分散剂0. 01?5份，偶联剂0. 1?5份，调色剂8?25份。
2. 根据权利要求1所述的粘接剂，其特征在于，所述基体树脂是湿固化聚氨酯树脂预 聚体。
3. 根据权利要求2所述的粘接剂，其特征在于，所述基体树脂是含有质量分数为 2. 5%?15%的-NCO的湿固化聚氨酯树脂预聚体。
4. 根据权利要求1所述的粘接剂，其特征在于，所述分散剂为阴离子分散剂或非离子 型分散剂，所述偶联剂为硅烷偶联剂或钛酸酯偶联剂，所述调色剂为炭黑、二氧化钛和气相 白炭黑中的一种。
5. 根据权利要求1所述的粘接剂，其特征在于，所述高介电常数的填料为具有高介电 特性的陶瓷粉末。
6. 根据权利要求5所述的粘接剂，其特征在于，所述具有高介电特性的陶瓷粉末 为 Ti02、Zr02、BaTi03、CaTi03、ZnO、CaZr0 3、MgZr03、BaxSrhTiyZivyO 3' CayBa1IZrxTi1-XO3' KxNahNbO3中的至少一种；所述Ba XSr1-JiyZivyO3中x为0?l，y为0?I;所述 CayBahZrxTihO3* X 为 0 ?l，y 为 0 ?1 ;所述 K AahNbO3* X 为 0 ?l，y 为 0 ?1。
7. 根据权利要求5所述的粘接剂，其特征在于，所述高介电常数的填料的粒径为 0. 1 μ m ~ 20 μ m。
8. 根据权利要求1所述的粘接剂，其特征在于，所述粘接剂还包括防沉降剂和稀释剂 中的至少一种，其添加量为0. 6?20份。
9. 根据权利要求8所述的粘接剂，其特征在于，所述防沉降剂选自聚酰胺腊、聚丙烯酸 盐和气相二氧化硅中的一种，所述稀释剂为无挥发性稀释剂。
10. -种如权利要求1所述的粘接剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下 步骤： (la) 在真空条件下，对高介电常数的填料进行预分散，通过添加分散剂及偶联剂对所 述高介电常数的填料进行表面改性处理； (2a)在经过步骤（Ia)处理后的高介电常数的填料中加入基体树脂和调色剂后，对其 进行再分散，搅拌均匀，得到所述粘接剂； 或者所述制备方法包括以下步骤： (lb) 在真空条件下，将基体树脂、分散剂、偶联剂、高介电常数的填料和调色剂混合后 在搅拌机或行星搅拌机中搅拌分散； (2b)分散后转入砂磨机或轧机进行再分散，得到所述粘接剂。
11. 一种如权利要求8所述的粘接剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下 步骤： (lc) 在真空条件下，对高介电常数的填料进行预分散，通过添加分散剂及偶联剂对所 述高介电常数的填料进行表面改性处理； (2c)在经过步骤（Ic)处理后的高介电常数的填料中加入基体树脂、稀释剂和调色剂 后，对其进行再分散； (3c)然后加入防沉降剂，搅拌均匀，得到所述粘接剂； 或者所述制备方法包括以下步骤： (ld) 在真空条件下，将基体树脂、分散剂、偶联剂、稀释剂、高介电常数的填料和调色剂 混合后在搅拌机或行星搅拌机中搅拌分散， (2d)分散后转入砂磨机或轧机进行再分散，出料后添加防沉降剂搅拌均匀，得到所述 粘接剂； 或者所述制备方法包括以下步骤： (le) 在真空条件下，对高介电常数的填料进行预分散，通过添加分散剂及偶联剂对所 述高介电常数的填料进行表面改性处理； (2e)在经过步骤（Ie)处理后的高介电常数的填料中加入基体树脂、稀释剂和调色剂 后，对其进行再分散，搅拌均匀，得到所述粘接剂； 或者所述制备方法包括以下步骤： (lf) 在真空条件下，将基体树脂、分散剂、偶联剂、高介电常数的填料和调色剂混合后 在搅拌机或行星搅拌机中搅拌分散； (2f)分散后转入砂磨机或轧机进行再分散，出料后添加防沉降剂搅拌均匀，得到所述 粘接剂； 或者所述制备方法包括以下步骤： (lg) 在真空条件下，对高介电常数的填料进行预分散，通过添加分散剂及偶联剂对所 述高介电常数的填料进行表面改性处理； (2g)在经过步骤（Ig)处理后的高介电常数的填料中加入基体树脂、调色剂后，对其进 行再分散； (3g)然后加入防沉降剂，搅拌均匀，得到所述粘接剂； 或者所述制备方法包括以下步骤： (lh) 在真空条件下，将基体树脂、分散剂、偶联剂、稀释剂、高介电常数的填料和调色剂 混合后在搅拌机或行星搅拌机中搅拌分散， (2h)分散后转入砂磨机或轧机进行再分散，得到所述粘接剂。
12.根据权利要求10或11所述的粘接剂的制备方法，其特征在于，所述步骤（Ia)、 (Ic)、（Ie)和（Ig)中所述表面改性处理方式均为球磨、行星磨、砂磨和行星搅拌中的一种， 所述步骤（2a)、（2c)、（2e)和（2g)中所述分散方式均为球磨、砂磨、行星搅拌和轧机中的一 种。
【专利摘要】本发明提供了一种粘接剂，所述粘接剂包括以下重量份的组份：基体树脂100份，高介电常数的填料5～350份，分散剂0.01～5份，偶联剂0.1～5份，调色剂8～25份。该粘接剂同时具有相对介电常数高，其相对介电常数在6以上，遮光性好、颜色可调、粘接力强等特点，可用于电容式指纹识别芯片模组封装的粘接，封装后能够传输电容信号而不会导致电容信号被屏蔽或被反射。本发明提供的电子封装粘接剂还具有装配容易等优点，其装配方式可以是点胶式，也可以是刮涂、辊涂或丝网印刷，然后通过自动固化方式粘接，特别适合批量化生产。本发明还提供了所述粘接剂的制备方法，该方法简化了封装工艺。
【IPC分类】C09J11-04, C09J11-08, C09J175-04
【公开号】CN104592926
【申请号】CN201510017212
【发明人】马艳红, 林莅蒙, 徐苏龙
【申请人】潮州三环（集团）股份有限公司
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月13日