一种有机硅电子封装材料及其制备方法_2

文档序号:8442013阅读:来源:国知局
,由以下组分及重量份配比组成: 甲基封端聚二甲基硅氧烷(lOOOOcps)............60 二甲基硅油(200cps)........................10 气相二氧化娃..............................25 甲基MQ硅树脂............................15 麵硅烷..................................1.5 环氮化合物.................................3 异丙氧基硅烷偶联剂.........................1 硼酸酯化合物...............................2 甲基三乙氧基硅烷..........................1.8 多烷氧基型钛酸酯..........................2. 0 八甲基三硅氧烷............................40 本实施例溶剂型有机硅电子封装材料的制备方法如下: a. 将甲基封端聚二甲基硅氧烷与甲基MQ硅树脂在140r/min下高速搅拌混合分散均 匀; b. 气相二氧化娃预先在150°C下烘烤lh后分4次加入,搅拌分散35min,然后添加二 甲基硅油,在140r/min下高速搅拌分散均勾; c. 加入聚硼硅烷和环氮化合物复配物、异丙氧基硅烷偶联剂和硼酸酯化合物复配物, 在100r/min下中速搅拌分散30min,加入甲基三乙氧基硅烷分散15min; d. 然后加入多烷氧基型钛酸酯在45r/min下低速搅拌分散20min,加入八甲基三硅氧 烷调整粘度,继续分散15min,抽真空出料即得产品。
[0026] 实施例三: 本实施例有机娃电子封装材料,其组成与实施例一不同之处在于: 聚硼硅烷.............1.5 环氮化合物...........3 异丙氧基硅烷偶联剂......2 有机金属(Fe)螯合物? ? ? *1 本实施例溶剂型有机硅电子封装材料的制备方法如下: a.将甲基封端聚二甲基硅氧烷与甲基MQ硅树脂在140r/min下高速搅拌混合分散均 匀; b. 气相二氧化娃预先在140°C下烘烤lh后分5次加入,搅拌分散35min,然后添加二甲 基硅油,在l〇〇r/min下高速搅拌分散均勾; c. 加入聚硼硅烷和环氮化合物复配物、异丙氧基硅烷偶联剂和有机金属螯合物复配 物,在70r/min下中速搅拌分散20min,加入甲基三甲氧基硅烷分散lOmin; d. 然后加入二烷基锡双(fi-二酮醋)在45r/min下低速搅拌分散20min,加入六甲基二 硅氧烷调整粘度,继续分散lOmin,抽真空出料即得产品。
[0027] 实施例四: 本实施例有机娃电子封装材料,其组成与实施例一不同之处在于: 聚硼硅烷....................2 环氮化合物..................3 含异丙氧基硅烷偶联剂.........2 有机金属螯合物(Cu)..........1 本实施例溶剂型有机硅电子封装材料的制备方法如下: a. 将甲基封端聚二甲基硅氧烷与甲基MQ硅树脂在140r/min下高速搅拌混合分散均 匀; b. 气相二氧化娃预先在150°C下烘烤lh后分4次加入,搅拌分散35min,然后添加二甲 基硅油,在140r/min下高速搅拌分散均勾; c. 加入聚硼硅烷和环氮化合物复配物、异丙氧基硅烷偶联剂和硼酸酯化合物复配物, 在100r/min下中速搅拌分散30min,加入甲基三乙氧基硅烷分散15min; d. 然后加入二烷基锡双(fi-二酮醋)在45r/min下低速搅拌分散20min,加入六甲基二 硅氧烷调整粘度,继续分散15min,抽真空出料即得产品。
[0028] 实施例五: 本实施例有机硅电子封装材料,其组成与实施例二不同之处在于: 聚硼硅烷................1 环氮化合物..............3 异丙氧基硅烷偶联剂........2 硼酸酯化合物.............0.5 本实施例有机硅电子封装材料的制备方法如下: a. 将甲基封端聚二甲基硅氧烷与甲基MQ硅树脂在140r/min下高速搅拌混合分散均 匀; b. 气相二氧化硅预先在130°C下烘烤lh后分3次加入,搅拌分散35min,然后添加二甲 基硅油,在140r/min下高速搅拌分散均勾; c. 加入聚硼硅烷和环氮化合物复配物、异丙氧基硅烷偶联剂和硼酸酯化合物复配物, 在80r/min下中速搅拌分散30min,加入甲基三乙氧基硅烷分散15min; d. 然后加入多烷氧基型钛酸酯在40r/min下低速搅拌分散20min,加入八甲基三硅氧 烷调整粘度,继续分散lOmin,抽真空出料即得产品。
[0029] 实施例六: 本实施例有机硅电子封装材料,其组成与实施例二不同之处在于: 聚硼硅烷..............2 环氮化合物............3 异丙氧基硅烷偶联剂.......2 硼酸酯化合物............2 本实施例粘接性有机硅电子封装材料的制备方法如下: a. 将甲基封端聚二甲基硅氧烷与甲基MQ硅树脂在100r/min下高速搅拌混合分散均 匀; b. 气相二氧化娃预先在130°C下烘烤lh后分5次加入,搅拌分散35min,然后添加二甲 基硅油,在130r/min下高速搅拌分散均勾; c. 加入聚硼硅烷和环氮化合物复配物、异丙氧基硅烷偶联剂和硼酸酯化合物复配物, 在90r/min下中速搅拌分散30min,加入甲基三乙氧基硅烷分散15min; d. 然后加入多烷氧基型钛酸酯在40r/min下低速搅拌分散20min,加入八甲基三硅氧 烷调整粘度,继续分散12min,抽真空出料即得产品。
[0030] 对本发明实施例的有机硅电子封装材料的进行性能检测,结果如下表1所示。
[0031] 表1本发明实施例有机硅电子封装材料的性能指标
【主权项】
1. 一种有机硅电子封装材料,其特征在于,由以下组分及重量份配比组成: 聚二甲基硅氧烷..........40~60 增塑剂...................5~10 无机填料................15~25 有机填料................10~20 阻燃助剂.................1~5 粘接助剂.................2~5 交联剂..................I. 0~L 8 催化剂..................0? 8~2. 0 豁免型挥发性有机溶剂.....30~40。
2. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述增塑剂为二甲基硅 油、八甲基三硅氧烷中的一种或其组合。
3. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述无机填料为气相白 炭黑。
4. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述有机填料为甲基MQ 娃树脂。
5. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述阻燃助剂为聚硼硅 氧烷和环氮化合物的复配物,聚硼硅氧烷和环氮化合物的重量份配比为1~2:3。
6. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述粘接助剂为有机金 属螯合物或/和硼酸酯化合物与异丙氧基硅烷偶联剂的复配物。
7. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述交联剂为甲基三甲 氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷中的一种或其组合。
8. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述催化剂为二烷基锡 双(0 _二酮酯)、多烷氧基型钛酸酯中的一种或其组合。
9. 根据权利要求1所述的有机硅电子封装材料,其特征在于,所述豁免型挥发性有机 溶剂为六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷中的一种或其组合。
10. 如权利要求1-9任一所述有机硅电子封装材料的制备方法,其特征在于,包括以下 步骤: a. 将聚二甲基硅氧烷与有机填料在100~140r/min下高速搅拌混合分散均匀; b. 无机填料预先在120~150°C下烘烤Ih后分3~5次加入,搅拌分散20~35min, 然后添加增塑剂,在100~140r/min下高速搅拌分散均勾; c. 加入阻燃助剂、粘接助剂,在70~lOOr/min下中速搅拌分散20~30min,加入交联 剂分散10~15min; d. 然后加入催化剂在30~45r/min下低速搅拌分散15~20min,加入豁免型挥发性 有机溶剂调整粘度,继续分散10~15min,抽真空出料即得产品。
【专利摘要】本发明公开了一种有机硅电子封装材料及其制备方法,所述有机硅电子封装材料包括:甲基封端聚二甲基硅氧烷、增塑剂、无机填料、有机填料、阻燃助剂、功能助剂、交联剂、催化剂和豁免型挥发性有机溶剂,将聚二甲基硅氧烷与有机填料在高速搅拌混合分散均匀;无机填料预先进行高温烘烤后加入,搅拌分散,然后添加增塑剂再次进行高速搅拌分散均匀;加入阻燃助剂、粘接助剂速搅拌分散,加入交联剂分散,然后加入催化剂在低速搅拌分散,加入溶剂调整粘度,继续分散,抽真空出料即得产品。本发明有机硅电子封装材料对PC、PTFE、不锈钢和铝材粘接性能好,使用豁免型挥发性有机溶剂制备,绿色安全,并具备良好的贮存稳定性、耐温性和优异的电性能。
【IPC分类】C09J11-08, C09J183-04, C09J11-06, C09J11-04, H01L23-29
【公开号】CN104762057
【申请号】CN201510156301
【发明人】张利利, 吴向荣, 邱浩孟, 程宪涛, 刘建
【申请人】肇庆皓明有机硅材料有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年4月3日
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