形成聚合物的方法
【专利说明】形成聚合物的方法
[0001] 发明背景
[0002] 固有导电的聚合物（ICP)对于宽广范围的应用是已知的，包括下列中的用途：印 制有机电路和有机电子器件例如有机发光二极管（OLED)、有机光响应器件（特别是有机光 伏器件和有机光传感器）、有机晶体管和存储器阵列器件。
[0003] -种形成ICP的方法是Buchwald-Hartwig聚合方法，其中芳基二卤化物单体与包 含伯或仲芳胺的单体在钮催化剂的存在下反应。在Buchwald-Hartwig聚合方法中，在芳族 单体的芳族碳原子与芳胺单体的N原子之间形成C-N键。
[0004] US 2004/262574公开了根据如下一般过程形成聚合物的方法：
【主权项】
1. 一种通过使包含至少一种式（I)单体和至少一种式（II)单体的组合物聚合形成聚 合物的方法：
其中： R1包括可以是未取代的或取代有一个或多个取代基的芳族基团； R2在每次出现时独立地为取代基； Ar1在每次出现时独立地为芳基或杂芳基，该芳基或杂芳基可以是未取代的或者取代 有一个或多个取代基； X在每次出现时独立地选自溴、氯、碘和磺酸酯，并且每个X与R1的芳族碳原子结合；n是正整数； m是O或正整数；以及 使所述单体在预先形成的式（III)的钯催化剂的存在下聚合：
其中R3在每次出现时独立地选自Cpltl烷基和芳基，所述烷基和芳基可以是未取代的或 者取代有一个或多个取代基； y为O或2 ;和 是阴离子。
2. 根据权利要求1的方法，其中式（I)的单体具有式（Ia):
其中Ar2在每次出现时独立地为芳基或杂芳基，所述芳基或杂芳基可以是未取代的或 者取代有一个或多个取代基，并且w是正整数。
3. 根据权利要求2的方法，其中w是1、2或3。
4. 根据权利要求2或3的方法，其中Ar2是芳基，该芳基可以是未取代的或者取代有一 个或多个取代基。
5. 根据任一前述权利要求的方法，其中Z_是卤根。
6. 根据任一前述权利要求的方法，其中每个R3独立地选自CVltl烷基、苯基、和取代有一 个或多个q_5烷基的苯基。
7. 根据权利要求6的方法，其中至少一个PR33基团的至少一个R3是CHtl烷基，并且至 少一个PR33S团的至少一个R3是苯基，所述苯基可以是未取代的或者取代有一个或多个 。卜5烷基。
8. 根据任一前述权利要求的方法，其中n为1、2或3。
9. 根据任一前述权利要求的方法，其中m为O或1。
10. 根据任一前述权利要求的方法，其中Ar1选自亚苯基和芴，它们各自可以是未取代 的或者取代有一个或多个取代基。
11. 根据任一前述权利要求的方法，其中每个R2独立地选自如下：CV2tl烷基；芳基，该芳 基可以是未取代的或者取代有一个或多个取代基；以及芳基的支化链或直链，其中每个芳 基可以是未取代的或者取代有一个或多个取代基。
12. 根据任一前述权利要求的方法，其中所述至少一种式（I)单体与所述至少一种式 (II)单体的摩尔比率为50:50。
13. 根据权利要求1-11任一项的方法，其中所述至少一种式（I)单体与所述至少一种 式（II)单体的摩尔比率不为50:50。
14. 根据权利要求13的方法，其中所述至少一种式（II)单体的摩尔数大于所述至少一 种式⑴单体的摩尔数。
15. -种通过如下方式形成聚合物的方法：使包含至少一种式（IV)单体和至少一种式 (V)单体的组合物在小于80°C的温度下聚合：
其中： R13包括可以是未取代的或取代有一个或多个取代基的芳族基团； R14包括可以是未取代的或取代有一个或多个取代基的芳族基团； 每个LG1是选自溴、氯、碘和磺酸酯的离去基团，并且每个LG1与R13的芳族碳原子结合； 每个LG2是选自硼酸和硼酸酯的离去基团，并且每个LG2与R14的芳族碳原子结合； 在式（III)的钯催化剂的存在下使所述单体聚合：
其中R3在每次出现时独立地选自Cpltl烷基和芳基，所述烷基和芳基可以是未取代的或 者取代有一个或多个取代基，条件是至少一个PR33S团的至少一个R3是CHtl烷基； y为0或2 ;和 是阴离子。
16. 根据权利要求15的方法，其中R13和R14中的至少一个取代有可交联的基团。
17. 根据权利要求15或16的方法，其中R13和R14中的至少一个具有式-(Ar6)v-，其中 Ar6在每次出现时独立地为芳基或杂芳基，所述芳基或杂芳基可以是未取代的或者取代有 一个或多个取代基，并且V是正整数。
18. 根据权利要求15-17的方法，其中至少一个PR33基团中的至少一个R3是C^烷基 并且至少一个PR33基团中的至少一个R3是取代的或者未取代的苯基。
19. 根据权利要求15-18任一项的方法，其中R13和R14中的至少一个具有式（VII):
其中Ar8和Ar9在每次出现时独立地选自取代或未取代的芳基或杂芳基，g大于或等于 1，R15是H或取代基；c和d各自独立地是1、2或3 ;并且与共同N原子直接连接的Ar8、Ar9 和R15中的任何两个可以通过直接键或者二价连接基团连接。
【专利摘要】描述了使用式(III)的金属催化剂的金属催化聚合的方法：其中R3在每次出现时独立地选自C1-10烷基和芳基，所述烷基和芳基可以是未取代的或者取代有一个或多个取代基；y为0或2；以及Z-是阴离子。所述方法包括Buchwald型聚合以及Suzuki型聚合。
【IPC分类】C09K11-00, H01L51-00, H01B1-00, C08G61-12, C08G73-00
【公开号】CN104822797
【申请号】CN201380062394
【发明人】F·鲍塞特, K·坎姆特卡尔, R·佩根顿, J·莫里
【申请人】剑桥显示技术有限公司, 住友化学株式会社
【公开日】2015年8月5日
【申请日】2013年11月28日
【公告号】DE112013005727T5, WO2014083342A2, WO2014083342A3