基材薄膜。然后，在50°C下保存24小时。仅对粘合剂层前体的相当于半导体晶圆粘 贴部分（直径200_)的部分（直径220_)照射紫外线，形成粘合剂层。由此，制作本制造 例的切割薄膜A。需要说明的是，照射条件如下所述。
[0158] 〈紫外线的照射条件〉
[0159] 紫外线（UV)照射装置：高压汞灯
[0160] 紫外线照射累积光量：500mJ/cm2
[0161] 功率：120W
[0162] 照射强度：200mW/cm2
[0163] (制造例2)
[0164] 作为基材薄膜，准备具有聚丙烯层和聚乙烯层的2层结构的厚度100 μπι的基材 薄膜，在前述粘合剂前体表面上以聚丙烯层作为粘贴面粘贴基材薄膜，除此之外与制造例1 同样操作，制作切割薄膜Β。
[0165] (制造例3)
[0166] 作为基材薄膜，准备具有将聚丙烯和聚乙烯共混而成的1层结构的厚度40 μπι的 基材薄膜，将其与前述粘合剂前体表面粘贴，除此之外与制造例1同样操作，制作切割薄膜 Co
[0167] (制造例4)
[0168] 作为基材薄膜，准备具有聚丙烯和聚乙烯的共混层、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、 以及聚丙烯和聚乙烯的共混层的3层结构的厚度90 μπι的基材薄膜，在前述粘合剂前体表 面上以任意共混层作为粘贴面粘贴基材薄膜，除此之外与制造例1同样操作，制作切割薄 膜D。
[0169] 〈芯片接合薄膜的制造〉
[0170] (制造例5)
[0171] 将下述（a)~（d)溶解于甲乙酮，得到浓度23. 6重量％的粘接剂组合物溶液。
[0172] (a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作为主要成分的丙烯酸酯系聚合物（Nagase Chemtex Corporation 制造、SG-P3,玻璃化转变温度：15°C )
[0173] 48重量份
[0174] (b)环氧树脂（东都化成株式会社制造，KI-3000,环氧当量105,软化点70°C )
[0175] 6重量份
[0176] (c)酚醛树脂（明和化成株式会社制造，MEH-7800M，羟基当量175)
[0177] 6重量份
[0178] (d)填料（ADMATECHS CO.，LTD.制造，S0-E2，熔融球状二氧化硅，平均粒径 0. 5 μ m)
[0179] 40重量份
[0180] 将该粘接剂组合物溶液涂布到由经有机硅脱模处理的厚度为50 μm的聚对苯二 甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜（剥离衬垫）上后，在130°C下干燥2分钟。由此， 制作厚度10 μ m的芯片接合薄膜A。
[0181] (制造例6)
[0182] 将下述（a)~（e)溶解于甲乙酮，得到浓度23. 6重量％的粘接剂组合物溶液。
[0183] (a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯作为主要成分的丙烯酸酯系聚合物（Nagase Chemtex Corporation 制造，SG-P3,玻璃化转变温度：15°C )
[0184] 32重量份
[0185] (b)环氧树脂（东都化成株式会社制造，KI-3000,环氧当量105,软化点70°C )
[0186] 4重量份
[0187] (c)酚醛树脂（明和化成株式会社制造，MEH-7800M，羟基当量175)
[0188] 4重量份
[0189] (d)填料（ADMATECHS CO.，LTD.制造，S0-E2,熔融球状二氧化硅，平均粒径0· 5 μ m) 60重量份
[0190] (e)硅烷偶联剂（信越化学工业株式会社制造，ΚΒΜ-403)0· 05重量份
[0191] 将该粘接剂组合物溶液涂布到由经有机硅脱模处理的厚度为50 μπι的聚对苯二 甲酸乙二醇酯薄膜形成的脱模处理薄膜（剥离衬垫）上后，在130°C下干燥2分钟。由此， 制作厚度10 μ m的芯片接合薄膜B。
[0192] 〈切割/芯片接合薄膜的制造〉
[0193] 按照表1中示出的组合，将芯片接合薄膜和切割薄膜在层压温度40°C、线压2kgf/ cm下粘贴，将它们分别记作实施例和比较例的切割/芯片接合薄膜A~E。
[0194] (23°C的储能模量的测定）
[0195] 对于切割薄膜A~D，分别测定23°C下的MD方向和TD方向的储能模量。详细而 言，用切割刀将切割薄膜切成IOmm宽度X 50mm长度，使用Autograph (岛津制作所制造， AGS-J)，在卡盘间距离10mm、拉伸速度50mm/min下进行测定。由得到的SS曲线使用伸长 3%时刻的值求出储能模量。算出所使用的样品厚度使用基材和粘合剂层的厚度的总计的 值。将结果示于表1。
[0196] (0°C的储能模量的测定）
[0197] 对于切割薄膜A~D，分别测定0°C下的MD方向和TD方向的储能模量。详细而 言，用切割刀将切割薄膜切成IOmm宽度X 50mm长度，使用Autograph (岛津制作所制造）， 在卡盘间距离l〇mm、拉伸速度50mm/min下进行测定。由得到的SS曲线使用伸长3%时刻 的值求出储能模量。算出所使用的样品厚度使用基材和粘合剂层的厚度的总计的值。将结 果示于表1。
[0198] (断裂性的确认）
[0199] 作为激光加工装置，使用株式会社东京精密制造的ML300_Integration，向半导体 晶圆的内部对准集光点，沿着格子状（IOmmXlOmm)的分割预定线自半导体晶圆的表面侧 照射激光，在半导体晶圆的内部形成改性区域。半导体晶圆使用硅晶圆（厚度75 μπκ外径 12英寸）。另外，激光照射条件如下所述地进行。
[0200] ⑷激光
[0201]
[0202] (B)聚光用透镜
[0203] 倍率 50倍
[0204] NA 0. 55
[0205] 对于激光波长的透过率 60%
[0206] (C)载置半导体基板的载置台的移动速度IOOmm/秒
[0207] 对各个切割/芯片接合薄膜A~E分别粘贴利用激光进行了前处理的半导体晶圆 后，进行断裂试验。断裂试验在扩展温度〇°C的条件下进行。扩展速度设为400_/秒、扩展 量设为6%。作为扩展的结果，对于半导体晶圆的中央部100个芯片，计数芯片和芯片接合 薄膜沿分割预定线良好地断裂的芯片个数，求出其比率。将结果示于表1。
[0208] (剥离力测定）
[0209] 在所制作的切割/芯片接合薄膜上在芯片接合薄膜侧在常温下粘贴胶带（日东 电工株式会社制造，商品名；BT-315)来进行加强。用切割刀切断成IOOmm宽度X 120mm长 度。然后，将切割薄膜的粘合剂层和芯片接合薄膜夹持，分别在〇°C和23°C下使用拉伸试验 机（株式会社岛津制作所制造，商品名；AGS-J)读取以剥离速度300mm/min、T型剥离试验 剥离粘合剂层和芯片接合薄膜时的力（最大载荷，单位：N/100mm)。将结果示于表1。
[0210]
[0212] 实施例的切割/芯片接合薄膜的基于激光切割的断裂性良好。另外，得到以下的 结果，(TC下的剥离力高，半导体晶圆的保持性优异，另一方面，23°C下的剥离力低，拾取性 优异。另一方面，比较例1和2的切割/芯片接合薄膜由于TD方向和MD方向的物性的偏 差大，因此得到基于激光切割的断裂性差的结果。
【主权项】
1. 一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层， 由MD方向和TD方向各自在(TC下负荷拉伸应力时的应力-应变曲线求出的MD方向的 储能模量设为E'm、TD方向的储能模量设为E' TD1时，E' m/E' TD1为0. 75以上且1. 25以 下。2. 根据权利要求1所述的切割薄膜，其中，所述储能模量E' ^与所述储能模量E' TD1 之差的绝对值为1以上且50以下。3. 根据权利要求1所述的切割薄膜，其中，所述储能模量E' ^和所述储能模量E' TD1 中的至少一者为IOMPa以上且IOOMPa以下。4. 一种切割/芯片接合薄膜，其具备权利要求1所述的切割薄膜和设置于该切割薄膜 的粘合剂层上的热固型芯片接合薄膜。5. 根据权利要求4所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层与所述热固型芯 片接合薄膜之间的〇°C下的剥离力高于所述粘合剂层与所述热固型芯片接合薄膜之间的 23°C下的剥离力。6. 根据权利要求5所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层与所述热固型芯片 接合薄膜之间的〇°C下的剥离力为0. 15N/100mm以上且5N/100mm以下。7. 根据权利要求5所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层与所述热固型芯片 接合薄膜之间的23°C下的剥离力为0. 05N/100mm以上且2. 5N/100mm以下。8. 根据权利要求4~7中任一项所述的切割/芯片接合薄膜，其用于对半导体晶圆照 射激光而形成改性区域后，使所述半导体晶圆沿所述改性区域断裂，从而得到半导体元件 的半导体元件的制造方法。9. 一种半导体装置的制造方法，其包括以下的工序： 对半导体晶圆的分割预定线照射激光，沿着所述分割预定线形成改性区域的工序； 将改性区域形成后的半导体晶圆粘贴于权利要求4~8中任一项所述的切割/芯片接 合薄膜的工序； 在-20°C~15°C的条件下，对所述切割/芯片接合薄膜施加拉伸应力，从而使所述半导 体晶圆和所述切割/芯片接合薄膜的芯片接合薄膜沿着所述分割预定线断裂，形成半导体 元件的工序； 将所述半导体元件与所述芯片接合薄膜一起拾取的工序；以及 将拾取的所述半导体元件夹着所述芯片接合薄膜芯片接合于被粘物的工序。
【专利摘要】本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力-应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。
【IPC分类】C09J7/02, H01L21/683, H01L21/78
【公开号】CN104946152
【申请号】CN201510148818
【发明人】木村雄大, 三隅贞仁, 村田修平, 大西谦司, 宍户雄一郎
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年3月31日