粘合带及晶片加工用胶带的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及如下的可以扩展的晶片加工用胶带等，S卩，在将半导体晶片截断为芯 片状的元件的划片工序中，可以用于将半导体晶片固定，此外还可以用于粘接划片后的芯 片一芯片间或者芯片一基板间的管芯焊接工序或贴装工序中，并且可以在利用扩展将胶粘 剂层沿着芯片截断时使用。
【背景技术】
[0002] 在1C等半导体装置的制造工序中，为了将形成电路图案后的晶片薄膜化，而实施 研削晶片背面的背面研磨工序、在晶片的背面贴附具有粘合性及伸缩性的晶片加工用胶带 后将晶片截断为芯片单元的划片工序、将晶片加工用胶带扩张（扩展）的扩展工序、拾取 进行截断而得的芯片的拾取工序、进而将所拾取的芯片粘接在引线框或封装基板等上（或 者，在堆叠封装中，是将芯片之间层叠、粘接）的管芯焊接（diebonding)(贴装（mount)) 工序。
[0003] 上述背面研磨工序中，为了保护晶片的电路图案形成面（晶片表面）免受污染，使 用表面保护胶带。在晶片的背面研削结束后，将该表面保护胶带从晶片表面剥离时，在晶片 背面贴合以下所述的晶片加工用胶带（划片?管芯焊接胶带）后，将晶片加工用胶带侧固 定在吸附台上，对表面保护胶带实施降低与晶片的粘接力的处理后，剥离表面保护胶带。被 剥离了表面保护胶带的晶片此后在背面贴合有晶片加工用胶带的状态下，被从吸附台上拿 起，提供给下面的划片工序。而且，上述的所谓降低粘接力的处理，在表面保护胶带由紫外 线等能量射线固化性成分组成的情况下，是能量射线照射处理，在表面保护胶带由热固化 性成分组成的情况下，是加热处理。
[0004] 上述背面研磨工序后的划片工序~贴装工序中，使用在基材膜上依次层叠有粘合 剂层和胶粘剂层而得的晶片加工用胶带。通常，在使用晶片的情况下，首先，在晶片的背面 贴合晶片的胶粘剂层而将晶片固定，使用划片刀将晶片及胶粘剂层划切为芯片单元。其后， 通过将胶带沿晶片的径向扩张，从而实施拓宽芯片之间的间隔的扩展工序。该扩展工序是 出于如下目的实施，即，在之后的拾取工序中，提高借助CCD照相机等的芯片的辨识性，并 且在拾取芯片时，防止因相邻的芯片之间接触而产生的芯片的破损。其后，芯片在拾取工序 中与胶粘剂层一起从粘合剂层剥离并被拾取，在贴装工序中，被直接粘接在引线框或封装 基板等上。这样，通过使用晶片加工用胶带，就可以将带有胶粘剂层的芯片直接粘接在引线 框或封装基板等上，因此可以省略胶粘剂的涂布工序或另外在各芯片上粘接管芯焊接膜的 工序。
[0005] 然而，在所述划片工序中，如上所述，使用划片刀将晶片与胶粘剂层一起切划，因 此不仅会产生晶片的切削肩，还会产生胶粘剂层的切削肩。此外，在胶粘剂层的切削肩堵塞 在晶片的划片槽中的情况下，芯片彼此粘着而产生拾取不良等，存在有半导体装置的成品 率降低的问题。
[0006] 为了解决此种问题，提出过如下的方法，即，在划片工序中用刀仅切划晶片，在扩 展工序中，通过扩张晶片加工用胶带，从而按照各个芯片来截断胶粘剂层（例如专利文献 1)。根据此种利用了扩张时的张力的胶粘剂层的截断方法，不会产生胶粘剂的切削肩，也不 会在拾取工序中造成不良影响。
[0007] 另外，近年来，作为晶片的切断方法，提出过可以使用激光加工装置以非接触方式 切断晶片的所谓隐形划片法（stealthdicingmethod)。例如，在专利文献2中，作为隐形 划片法，公开了一种半导体基板的切断方法，其具备：通过使焦点光聚光在夹隔着胶粘剂层 (小片接合树脂层）并贴附有片材的半导体基板的内部，照射激光，从而在半导体基板的内 部形成由多光子吸收造成的改性区域，将该改性区域设为预定切断部的工序；以及通过使 片材扩张，从而沿着预定切断部切断半导体基板及胶粘剂层的工序。
[0008]另外，作为使用了激光加工装置的其他的晶片的切断方法，例如，在专利文献3 中，提出了一种晶片的分割方法，包括：在晶片的背面安装管芯焊接用的胶粘剂层（粘接 膜）的工序；在贴合有该胶粘剂层的晶片的胶粘剂层侧贴合可以伸长的保护粘合带的工 序；从贴合了保护粘合带的晶片的表面沿着切割道（street)照射激光线而分割为各个芯 片的工序；扩张保护粘合带以对胶粘剂层施加拉力、使胶粘剂层按照每个芯片断裂的工序； 以及将贴合有断裂了的胶粘剂层的芯片从保护粘合带中脱离的工序。
[0009] 根据这些专利文献2及专利文献3中记载的晶片的切断方法，由于利用激光的照 射及胶带的扩张，以非接触方式切断晶片，因此对晶片的物理负荷小，可以不产生像进行当 前主流的刀片划片时那样的晶片的切削肩（碎肩）地切断晶片。另外，由于利用扩张来截 断胶粘剂层，因此也不会产生胶粘剂层的切削肩。由此，作为可以取代刀片划片的优异的技 术受到关注。
[0010] 如上述专利文献1~3中记载所示，在利用扩张来截断胶粘剂层的方法中，对于所 使用的晶片，为了沿着芯片将胶粘剂层可靠地截断，需要将基材膜的均匀并且各向同性的 扩张性通过粘合剂层充分地传递到胶粘剂层。
[0011] 这是因为，在胶粘剂层与粘合剂层的界面中产生偏移的情况下，在该部位就不会 向胶粘剂层传递足够的拉力，从而无法截断胶粘剂层。
[0012] 然而，一般而言，在采用不会产生胶粘剂层与粘合剂层的界面偏移的设计的晶片 加工用胶带的情况下，有增大胶粘剂层与粘合剂层的剥离强度的方法，然而在拾取工序中 会产生无法将被分割了的芯片剥离的问题。相反如果使胶粘剂层与粘合剂层的剥离强度过 低，则会产生在刀片划片工序中容易发生芯片分散的问题。
[0013] 现有技术文献
[0014] 专利文献
[0015] 专利文献1日本特开2007-5530号公报
[0016] 专利文献2日本特开2003-338467号公报
[0017] 专利文献3日本特开2004-273895号公报
【发明内容】
[0018] 发明所要解决的问题
[0019] 因而，本发明的目的在于，提供一种晶片加工用胶带，其具有适于利用扩张来截断 胶粘剂层的工序的均匀扩张性和拾取性，并且刀片划片工序中的切削性和拾取性也优异。
[0020] 本发明的目的可以利用以下的方案来达成。
[0021] < 1 >-种粘合带，其特征在于，在基材膜的一方的面层叠有粘合剂层，在比较从 所述粘合剂层的所述基材膜侧的表面起厚1ym的区域的基于红外吸收光谱分析的4000~ 650cm_1的红外光谱、和从所述粘合剂层的与所述基材膜侧相反一侧的表面起厚1ym的区 域的基于红外吸收光谱分析的4000~650CHT1的红外光谱时，匹配度为95%以下，从与所 述基材膜侧相反一侧的表面起厚1ym的区域的粘合剂层含有在分子中具有放射线固化性 碳一碳双键的化合物（A)、和选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺-甲醛树脂及环氧树脂中的至少 1种的化合物（B)。
[0022] < 2 >根据< 1 >中记载的粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的厚度为1. 5~ 15um〇
[0023] < 3>根据<1>或<2>中记载的粘合带，其特征在于，所述放射线固化性碳一 碳双键的碘值为0.5~30。
[0024] < 4 >根据< 1 >~< 3 >中任一项记载的粘合带，其特征在于，所述具有放射线 固化性碳一碳双键的化合物的分子量为30万~200万。
[0025] < 5 >-种晶片加工用胶带，其特征在于，在< 1 >~< 4 >中任一项记载的粘合 带的所述粘合剂层的、至少预定要贴合晶片的部分层叠有胶粘剂层，在预定向划片框贴合 的部分未层叠有所述胶粘剂层。
[0026] <6>-种半导体装置的制造方法，其特征在于，
[0027] 所述半导体装置的制造方法是使用< 5 >中记载的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括：
[0028] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0029] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0030] (c)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工 用胶带的胶粘剂层的工序；
[0031] (d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
[0032] (e)沿着所述晶片的截断线照射激光，在所述晶片内部形成由多光子吸收造成的 改性区域的工序；
[0033] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而将所述晶片与所述晶片加工用胶带的所 述胶粘剂层沿着截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0034] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0035] (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0036] <7>-种半导体装置的制造方法，其特征在于，
[0037] 所述半导体装置的制造方法是使用< 5 >中记载的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括：
[0038] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0039](b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0040] (C)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工 用胶带的胶粘剂层的工序；
[0041] (d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
[0042] (e)沿着所述晶片表面的截断线照射激光，将所述晶片截断为芯片的工序；
[0043] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得 到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0044] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0045] (h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0046] < 8 >-种半导体装置的制造方法，其特征在于，
[0047] 所述半导体装置的制造方法是使用< 5 >中记载的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括：
[0048] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带的工序；
[0049] (b)研削所述晶片背面的背面研磨工序；
[0050] (c)在将所述晶片加热到70~80°C的状态下，在所述晶片背面贴合所述晶片加工 用胶带的胶粘剂层的工序；
[0051] (d)从所述晶片表面剥离所述表面保护胶带的工序；
[0052] (e)用划片刀沿着截断线切削所述晶片，截断为芯片的工序；
[0053] (f)通过扩张所述晶片加工用胶带，从而按照每个所述芯片截断所述胶粘剂层，得 到带有所述胶粘剂层的多个芯片的扩展工序；
[0054] (g)在扩张后的所述晶片加工用胶带中，通过使不与所述芯片重叠的部分加热收 缩，从而除去所述扩展工序中产生的松弛，保持所述芯片的间隔的工序；
[0055](h)从所述晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有所述胶粘剂层的所述芯片的工 序。
[0056] <9>-种半导体装置的制造方法，其特征在于，
[0057] 所述半导体装置的制造方法是使用< 5 >中记载的晶片加工用胶带制造半导体 装置的方法，其包括：
[0058] (a)将形成有电路图案的晶片用划片刀