>[0208] 相对于丙烯酸系共聚物（a- 1) 100质量份，作为聚异氰酸酯加入CORONATEL(日 本聚氨酯制）3质量份，作为光聚合引发剂加入IRGA⑶RE184(日本Ciba-Geigy公司制）3 质量份，将所得的混合物溶解于乙酸乙酯中，搅拌而配制出粘合剂组合物1。
[0209] 然后，相对于丙烯酸系共聚物（a- 2) 100质量份，作为聚异氰酸酯加入CORONATE L(日本聚氨酯制）6质量份，将所得的混合物溶解于乙酸乙酯中，搅拌从而配制出粘合剂组 合物2。
[0210] 然后，在由进行了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的剥离内衬上，依 次涂布该粘合剂组合物1、2,使得干燥后的厚度分别为5ym，合计为10ym，在110°C干燥3 分钟后，与基材膜贴合，制作出在基材膜上形成了粘合剂层的粘合片。
[0211] 然后，在由进行了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜构成的剥离内衬上，以 使干燥后的厚度为20ym的方式涂布胶粘剂组合物（d- 1)，在110°C干燥5分钟，制作出 在剥离内衬上形成有胶粘剂层的粘接膜。
[0212] 将粘合片裁割为相对于环形框能覆盖开口部地贴合的图3等中所示的形状。另 外，将粘接膜裁割为能覆盖晶片背面的图3等中所示的形状。此后，将所述粘合片的粘合剂 层侧与所述粘接膜的胶粘剂层侧如图3等中所示以在粘接膜的周围形成露出粘合剂层12 的部分的方式贴合，制作出晶片加工用胶带。
[0213] <实施例2>
[0214] 除了作为粘合剂组合物3取代丙烯酸系共聚物（a- 1)而使用了丙烯酸系共聚物 (a- 3)以外，与实施例1的粘合剂组合物1相同地配制出粘合剂组合物3。使用该粘合剂 组合物3,利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物3、2的顺序涂布在剥离内衬上，制 作出晶片加工用胶带。
[0215] <实施例3>
[0216] 除了作为粘合剂组合物4取代丙烯酸系共聚物（a- 2)而使用了丙烯酸系共聚物 (a- 4)以外，与实施例1的粘合剂组合物2相同地配制出粘合剂组合物4。使用该粘合剂 组合物4,利用与实施例1相同的手法，依照粘合剂组合物1、4的顺序涂布在剥离内衬上，制 作出晶片加工用胶带。
[0217] <实施例4>
[0218] 在实施例3中，取代粘合剂组合物1而使用了粘合剂组合物3,利用与实施例1相 同的手法，依照粘合剂组合物3、4的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0219] <实施例5>
[0220] 在实施例1中，取代粘合剂组合物2而使用了粘合剂组合物3,利用与实施例1相 同的手法，依照粘合剂组合物1、3的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0221] <实施例6>
[0222] 在实施例1中，不改变各自的厚度比率而以使干燥后的厚度为15ym的方式涂布 在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0223] <实施例7>
[0224] 在实施例1中，不改变各自的厚度比率而以使干燥后的厚度为2ym的方式涂布在 剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0225] <实施例8 >
[0226] 在实施例1中，不改变各自的厚度比率而以使干燥后的厚度为1.5ym的方式涂布 在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0227] <实施例9 >
[0228] 在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为1ym、粘合剂组合物2的干 燥后的厚度为9ym的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0229] < 实施例 10 >
[0230] 在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为2ym、粘合剂组合物2的干 燥后的厚度为8ym的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0231] < 实施例 11 >
[0232] 在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为3ym、粘合剂组合物2的干 燥后的厚度为7ym的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0233] < 实施例 12 >
[0234] 在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为4ym、粘合剂组合物2的干 燥后的厚度为6ym的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0235] < 实施例 13 >
[0236] 在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为0. 6ym、粘合剂组合物2的 干燥后的厚度为〇. 7ym的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0237] < 实施例 14 >
[0238] 在实施例1中，以使粘合剂组合物1的干燥后的厚度为9ym、粘合剂组合物2的干 燥后的厚度为7ym的方式涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶带。
[0239] <比较例1>
[0240] 与实施例1相同地配制出粘合剂组合物1。仅使用该粘合剂组合物1，利用与实施 例1相同的手法，制作出晶片加工用胶带。
[0241] <比较例2>
[0242] 与实施例1相同地配制出粘合剂组合物2。仅使用该粘合剂组合物2,利用与实施 例1相同的手法，制作出晶片加工用胶带。
[0243] <比较例3 >
[0244] 与实施例1相同地配制出粘合剂组合物1及2。使用该粘合剂组合物，利用与实 施例1相同的手法，依照粘合剂组合物2、1的顺序涂布在剥离内衬上，制作出晶片加工用胶 带。
[0245]〔晶片加工用胶带的物性和评价〕
[0246] (1)红外吸收光谱的测定
[0247] 对实施例、比较例中得到的各晶片加工用胶带，利用借助切片机的截面切断使粘 合剂层露出，测定出基材膜的附近及胶粘剂层附近的粘合剂层的红外吸收光谱。此时使用 了Nicolet公司制的NEXUS470的ATR法模式。具体而言，分别设为如下的条件，S卩，使用样 品池：ZnSe棱镜、扫描次数：100次、入射角：45度、基线：连结4000CHT1与650cm_1的直 线。（而且，测定波长的潜入深度d如前所述，在通常的丙烯酸系粘合剂等中在试样间能近 似为同等，在必要时修正吸收强度以达到同等的深度。）。求出所得的光谱的一致率（匹配 度），将结果表不于表1中。
[0248] 需要说明的是，匹配度的算出使用了相关法。具体而言，对于4000~650cm_1的 红外光谱（纵轴：强度、横轴：波数）的曲线图中的、各波数下的光谱的斜率，利用基材侧光 谱的斜率和粘接层侧光谱的斜率求出相关系数。
[0249] (2)截断率的测定
[0250] 利用以下所示的方法，对所述实施例及所述比较例的各晶片加工用胶带，实施了 相当于所述的半导体装置的制造方法（A)的下述的半导体加工工序中的适合性试验。
[0251] (a)在形成有电路图案的晶片表面贴合表面保护胶带。
[0252] (b)进行了研削所述晶片背面的背面研磨工序。
[0253] (c)在将晶片加热到70°C的状态下，在所述晶片的背面贴合所述晶片加工用胶带 的胶粘剂层，同时将晶片加工用环形框与所述晶片加工用胶带的粘合剂层未与胶粘剂层重 叠而露出的部分贴合。
[0254] (d)从所述晶片表面剥离表面保护胶带。
[0255] (e)沿着所述晶片的截断线照射激光，在该晶片的内部形成由多光子吸收造成的 改性区域。
[0256] (f)通过将所述晶片加工用胶带扩展10%，从而将所述晶片和所述胶粘剂层沿着 截断线截断，得到带有所述胶粘剂层的多个芯片。
[0257] (g)将所述晶片加工用胶带的未与所述芯片重叠的部分（存在有芯片的区域与环 形框之间的圆环状的区域）加热到120°C，使之收缩，从而除去（f)的扩展工序中产生的松 她，保持该芯片的间隔。
[0258] (h)从晶片加工用胶带的粘合剂层中拾取带有胶粘剂层的所述芯片。
[0259] 需要说明的是，（f)工序中，通过利用株式会社DISCO公司制DDS- 2300,将贴合 在晶片加工用胶带上的划片用环形框用株式会社DISCO公司制DDS- 2300的扩展环下压， 将晶片加工用胶带的晶片贴合部位外周的未与晶片重叠的部分向圆形的顶出构件推压从 而实施了扩展。另外，作为（f)及（g)工序的条件，设为扩展速度300mm/sec、扩展量（顶出 量）20mm。此处，所谓扩展量，是指下压前与下压后的环形框与顶出构件的相对位置的变化 量。
[0260] 对实施例1~14及比较例1~3的晶片加工用胶带，通过在（g)工序后立即观察 100个芯片的截断的有无而评价了上述的（f)工序中的胶粘剂层的截断率。将结果表示于 表1中。
[0261] (3)拾取性的评价（1)
[0262] 进行了对利用隐形划片法截断了的芯片的拾取性的评价。
[0263] 在经过（a)~（f)中的工序后，在（g)工序之后（h)工序之前，对晶片加工用胶 带的、基材膜中的与层叠有胶粘剂层的面相反一侧的面，利用金属卤化物高压水银灯，在 氮气气氛下，以365nm下30mW/cm2、200mJ/cm2的条件照射了紫外线。此后，对单片化为 10. 0X10. 0mm的芯片100个，在（h)工序中进行借助芯片分选装置（CanonMachinery公司 制、商品名CAP- 300II)的拾取试验，在顶出顶针的顶出高度0. 3mm时，将从粘合剂层剥离 了的胶粘剂层被保持在芯片上的设为拾取成功的产品，算出拾取成功率。将结果表示于表 1中。
[0264] (4)刀片划片工序中的芯片飞散的评价
[0265] 在经过（a)~（d)的工序后，取代（e)工序而将固定在环形框上的半导体晶片用 划片装置在下述的划片条件下沿着设定好的预定分割线全切割。
[0266](划片条件1:娃晶片50ym厚）
[0267] 划片机：DISC0公司制、商品名"DFD- 340"
[0268] 刀片：DISCO公司制、商品名"27HEEE"
[0269]刀片转速：40000rpm
[0270] 划片速度：100mm/sec
[0271] 划片深度：25ym
[0272] 切割模式：下切
[0273] 划片尺寸：1. 0X1. 0mm
[0274] 此时，对100个芯片，评价了芯片飞散的个数。
[0275] 将评价结果表示于表1中。
[0276] (5)拾取性的评价（2)
[0277] 进行了对利用刀片划片法截断了的芯片的拾取性的评价。
[0278] 在经过（a)~（d)的工序后，取代（e)工序而将固定于环形框上的半导体晶片用 划片装置在下述的划片条件下沿着设定好的预定分割线全切割。
[0279](划片条件1:娃晶片50ym厚）
[0280] 划片机：DISC0公司制、商品名"DFD- 340"
[0281] 刀片：DISCO公司制、商品名"27HEEE"
[0282]刀片转速：40000rpm
[0283] 划片速度：100mm/sec
[0284] 划片深度：25ym
[0285] 切割模式：下切
[0286]划片尺寸：10. 0X10. 0mm
[0287] 其后，对晶片加工用胶带的、基材膜中的与层叠有胶粘剂层的面相反一侧的面，利 用金属卤化物高压水银灯，在氮气气氛下，以365nm下30mW/cm2、200mJ/cm2的条件照射了 紫外线。此后，对进行了划片的100个芯片，在（h)工序中进行借助芯片分选